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Low temperature epitaxia lgrowth of nitride senliconductors on GaAs substrates

発表形態：
著書
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2002年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Q. x. Guo, M. Nishio, and　H.Ogawa
題名：
Low temperature epitaxia lgrowth of nitride senliconductors on GaAs substrates
発表情報：
Vacuum Science and Technology:Nitrides as seen b y the technology; Research Signpost Chapter19 ページ: 457-468
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Q. x. Guo, M. Nishio, and　H.Ogawa
Title：
Low temperature epitaxia lgrowth of nitride senliconductors on GaAs substrates
Announcement information:
Vacuum Science and Technology:Nitrides as seen b y the technology; Research Signpost Chapter19 Page: 457-468

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