| 氏 名 | 大石 敏之 | フリガナ | オオイシ トシユキ |
| 欧文氏名 | Toshiyuki Oishi | ||
| 所 属 | 理工学部 理工学科 電気電子工学部門 | ||
| 職 名 | 教授 | 学位 | 博士(工学)（2000年06月） |
| 電子メール | oishi104 (at) cc.saga-u.ac.jp | リンク | ティーチングポートフォリオ |
| ホームページ | http://www.ee.saga-u.ac.jp/sedlab/index.htm http://www.ee.saga-u.ac.jp/sedlab/index_English.html | ||
Last Updated :2024/03/12
教員詳細情報
研究分野・キーワード
- 電子デバイス：高周波高出力デバイス、解析及び設計、デバイスモデリング、デバイス製造技術
学歴
- 1984年03月, 京都大学, 工学部, 電気工学, 卒業
- 1986年03月, 京都大学, 工学研究科, 電気工学専攻, 修士課程・博士前期課程, 修了
職歴
- 1986年04月 - 1993年05月 三菱電機株式会社 中央研究所 研究員
- 1993年06月 - 1999年05月 三菱電機株式会社 半導体基礎研究所 研究員
- 1999年06月 - 2005年09月 三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 研究員
- 2005年04月 - 2007年03月 立命館大学 客員研究員
- 2005年10月 - 2008年09月 三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 グループマネージャー
- 2008年10月 - 2011年09月 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 研究員
- 2011年10月 - 2014年02月 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 主席技師長
- 2013年09月 - 2014年01月 日本大学生産工学部 非常勤講師
- 2014年03月 - 継続中 佐賀大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻 教授
専門分野
- 電子デバイス・電子機器, 電子・電気材料工学, 電力工学・電力変換・電気機器, 無機材料・物性, 金属物性・材料
所属学会
- 電子情報通信学会, IEEE, 応用物理学会
現在実施している研究テーマ
- ワイドバンドギャップ半導体を用いた高周波高出力電子デバイスの研究
これまでの研究テーマ
- GaNトランジスタに関する研究開発
- InP系化合物半導体の光，電子デバイスの研究開発
- 集積回路用Si MOSFETの微細化に関する研究開発
- 高温超電導体プロセスの研究開発
主要業績
- トラップの非線形容量への影響を考慮したGaN-HEMT大信号コンパクトモデル 2021年12月
- Bias Dependence Model of Peak Frequency of GaN Trap in GaN HEMTs Using Low-Frequency Y22 Parameters 2021年10月
- Microwave Power Rectification using β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2019年09月
- GaN HEMTのGaNトラップのY22/Y21信号と過渡応答特性比較 -マルチバイアスでの比較- 2024年03月
- Drain bias dependence of Y22 and Y21 signals at low frequency for on-state conditions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors 2024年01月
- Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si 2023年05月
- A simulation study of the impact of traps in the GaN substrate on the electrical characteristics of an AlGaN/GaN HEMT with a thin channel layer 2021年12月
- Study on Effects of GaN Trap Depth Profiles to Transient Response in GaN HEMTs on GaN Substrates by Device Simulation 2020年09月
- Study on Self-heating and Drain Voltage Effects for Buffer Traps in GaN HEMTs by Low Frequency S-parameter Measurements 2020年09月
- 大電力レクテナ用スーパーワイドバンドギャップ半導体デバイスの研究開発の状況 2019年11月
- Study of Self-heating Effect of GaN HEMTs with Buffer Traps by Low Frequency S-parameters Measurements and TCAD Simulation 2019年11月
- Ga2O3ショットキーバリアダイオードの正弦波入力に対する応答 2018年12月
- 半導体材料の違いによるRF-DC変換効率の回路シミュレーションによる比較 2018年12月
- GaN HEMTのバッファトラップが過渡応答と周波数応答に与える影響 −デバイスシミュレーションによる検討− 2018年12月
- ダメージ領域がダイヤモンドMOSFETの電気的特性に与える影響 ―デバイスシミュレーションによる検討― 2018年12月
- GaN HEMT と Si SBD のカスコード接続を用いたシングルャト整流回路の動作実証 2018年12月
- GaNトランジスタのモデリング技術 2018年11月
- スーパーワイドバンドギャップ半導体トランジスタの研究開発の現状 2018年11月
- Ka-band GaN Large-Signal Model Considering Trap Effect on Non-linear Capacitance by Using Transient S-parameters Measurement 2018年10月
- GaN HEMTのゲート形状とゲート金属残留応力がゲートリーク電流に与える影響のデバイスシミュレーションによる検討 2017年09月
- AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 －TCADシミュレーションによる検討－ 2017年01月
- Diamond Schottky Barrier Diodes With NO2 Exposed Surface and RF-DC Conversion Toward High Power Rectenna 2017年01月
- Physical Model of RF Leakage in GaN HEMTs on Si Substrates Based on Atomic Diffusion Analysis at Buffer/Substrate Interface 2016年10月
- 表面伝導型ダイヤモンドFETのデバイスシミレーションに関する検討 2016年05月
- Si基板中キャリアの温度依存特性を考慮したGaN-on-Siのモデリング 2016年03月
- ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製 2016年03月
- 効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案 2016年03月
- 将来が期待される萌芽的デバイス –さらなる高出力高周波化に向けて- 2015年09月
- Simulation study of NO2-exposed H-terminated diamond FETs with Al2O3 insulator gate 2015年06月
- Modeling of Frequency Dispersion at Low Frequency for GaN HEMT 2014年11月
- Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation 2014年10月
- Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation 2014年
- Decrease in On-State Gate Current of AlGaN/GaN HEMTs by Recombination-Enhanced Defect Reaction of Generated Hot Carriers 2014年
- Analysis on trade-off between drain resistance and drain-source capacitance of source field plate GaN HEMT 2013年09月
- An Improved Raab Method Taking Account of the Effects of Cutoff Frequency and Parastic Components 2013年09月
- Simulation study of gate leakage current under three-terminal operation for AlGaN/GaN HEMTs 2013年09月
- TCADシミュレーションを用いたGaN HEMTの半物理的非線形回路モデル 2013年09月
- Design of enhancement mode single-gate and double-gate multi-channel GaN HEMT with vertical polarity inversion heterostructure 2013年05月
- Analysis of On-state Gate Current of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor under Electrical and Temperature Stress 2013年
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレインリーク電流の解析 2013年
- Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation 2013年
- AlGaN channel HEMT with Extremely High Breakdown Voltage 2013年
- Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs 2012年10月
- Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation 2012年09月
- Mechanism study of gate leakage current for AlGaN/GaN HEMT structure under high reverse bias by TSB model and TCAD simulation 2012年09月
- デバイスと回路シミュレーションの連携によるGaN HEMTの 半物理的 非線形モデル 2012年07月
- Semiconductor device and manufacturing method thereof 2012年04月
- 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討 2012年01月
- AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 2012年01月
- Design and simulation of enhancement-mode N-polar GaN single-channel and dual-channel MIS-HEMTs 2011年12月
- 「Compact equivalent circuits and table based FET models –Is there one winner for circuit designers and foundries ? 」(2011年6月6日，Baltimore, MD) 「Current and future demands for nonlinear modeling for microwave applications」（Additional speakerで講演） 2011年06月
- GaN HEMTにおけるゲートリークの解析 2011年03月
- Semi-physical nonlinear circuit model with device/physical parameters for HEMTs 2011年
- Enhancement of Drain Current by an AlN Spacer Layer Insertion in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Si-Ion-Implanted Source/Drain Contacts 2011年
- GaN HEMTの半物理的非線形回路モデル 2011年
- Semi-physical nonlinear model for HEMTs with simple equations 2010年04月
- Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT 2009年03月
- Drivability Enhancement for AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors with AlN Spacer Layer Using Si Ion Implantation Doping 2009年
- AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current 2009年
- Comparison of characteristics of AlGaN channel HEMTs formed on SiC and sapphire substrates 2009年
- AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上 2008年03月
- Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel high electron mobility transistors 2008年
- First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors 2008年
- Application of lightly doped drain structure to AlGaN/GaN HEMTs by ion implantation technique 2008年
- AlGaNチャネルによるトランジスタの高耐圧化 2008年
- Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel HEMTs 2007年12月
- First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors with Sufficiently Low Resistive Source/Drain Contact formed by Si Ion Implantation 2007年09月
- Effects of a thin Al layer insertion between AlGaN and Schottky gate on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor characteristics 2006年
- Ion implantation doping for AlGaN/GaN HEMTs 2006年
- 窒化物半導体の高周波・高出力デバイス技術 2005年09月
- Ion implantation doping for AlGaN/GaN HEMTs 2005年08月
- A C-Band AlGaN/GaN HEMT with Cat-CVD SiN Passivation Developed for an Over 100 W Operation 2005年06月
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT 2005年01月
- 注入ドーピングによるGaNトランジスタの高性能化 2005年
- A High Reliability GaN HEMT with SiN Passivation by Cat-CVD 2004年10月
- AlGaN/GaN HEMT with thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate 2004年03月
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化 2004年
- Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN with insertion of high work function metal 2004年
- Improvement of DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors by Thermally Annealed Ni/Pt/Au Schottky Gate 2004年
- Effects of interfacial thin metal layer for high-performance Pt-Au-based Schottky contacts to AlGaN-GaN 2004年
- Improvement of DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs by thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate 2003年09月
- Semiconductor device with sidewall spacers and elevated source/drain region 2003年09月
- Improvement of Schottky characteristics by insertion of refractory metal into Ni/Au electrode on n-(Al)GaN with thermal annealing 2003年06月
- Highly resistive GaN layers formed by ion implantation of Zn along the c axis 2003年
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性 2003年
- Semiconductor device manufacturing method 2002年06月
- Method of manufacturing semiconductor device 2002年02月
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZn注入 2002年
- Remarkable effects of introduction of SiON materials into shallow trench isolation fabrication process on metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 2001年
- 高温超電導薄膜のエッチング方法 2000年10月
- Self-Aligned Pocket Implantation into Elevated Source,/Drain MOSFETs for Reduction of Junction Capacitance and Leakage Current 2000年08月
- Expansion of effective channel width for MOSFETs defined by novel T-shaped shallow trench isolation fabricated with SiON spacers and liners 2000年
- Isolation Edge Effect Depending on Gate Length of MOSFET's with Various Isolation Structures 2000年
- 素子分離技術総論 2000年
- Effect of <100> channel direction for high performance SCE immune pMOSFET with less than 0.15 μm gate length 1999年12月
- Low resistance Co-salicided 0.1 μm CMOS technology using selective Si growth 1999年06月
- Simulation Study on Comparison Between Metal Gate and Polysilicon Gate for Sub-Quarter-Micron MOSFET’s 1999年
- Experimental study on isolation edge effects in short channel characteristics of metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) 1999年
- Advantage of shallow trench isolation over local oxidation of silicon on alignment tolerance 1999年
- Noticeable enhancement of edge effect in short channel characteristics of trench-isolated MOSFETs 1998年09月
- Gate overlap length reduction and shallow junction formation in high-performance fine MOSFETs by ion implantation through thin oxide film 1998年
- Anomalous gate length dependence of threshold voltage of trench-isolated metal oxide semiconductor field effect transistors 1998年
- Protection of field oxide in trench isolation against contact hole etching to improve alignment tolerance 1998年
- Excellent electrical characteristics of ultrafine trench isolation 1998年
- LOCOS分離の限界とトレンチ分離の問題点 1997年12月
- Excellent electrical characteristics of ultra-fine trench isolation 1997年05月
- Narrow-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) isolated by an ultra-fine trench 1997年
- Electrical characteristics of ultra-fine trench isolation fabricated by a new two-step filling process 1996年08月
- Electrical characteristics of ultra-fine trench isolation fabricated by a new two-step filling process 1996年
- Giga-bit scale DRAM cell with new simple Ru/(Ba,Sr)TiO3/Ru stacked capacitors using X-ray lithography 1995年12月
- Reactive ion etching of BiSrCaCuO superconducting thin films using ethane and oxygen 1994年
- In-Plane Orientation and Coincidence Site Lattice Relation of Bi2Sr2CaCu2Ox Thin Films Formed on Highly Mismatched (001) YAG Substrates 1993年08月
- Effect of ethane addition to argon in etching of BiSrCaCuO superconducting thin films 1993年
- Dry etching of BiSrCaCuO superconducting thin films using argon and ethane 1992年11月
- A novel InGaAsP/InP bistable-bipolar transistor 1990年09月
- 微分負性抵抗特性を示すヘテロ接合バイポーラトランジスタ 1990年05月
- Open-tube Zn diffusion method for InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistors 1990年
- Ultra-high current gain InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor 1990年
- 開管法によるInP, InGaAsへのZn拡散 1989年09月
- GaInAsP/InP heterojunction bipolar transistors with a double layer base 1989年
- 多層ベースInGaAsP/InP HBT 1988年11月
- Novel fabrication methods of gratings for DFB lasers using ECR-CVD SiNx films 1988年09月
著書
- 素子分離技術総論; 2000年
発表情報; “2000 半導体テクノロジー大全”、電子ジャーナル、2000、pp.341-344.
著者; 大石敏之、黒井隆
原著論文
- トラップの非線形容量への影響を考慮したGaN-HEMT大信号コンパクトモデル; 2021年12月
発表情報; , J104-C, 12, 343-351
著者; 山口裕太郎、大塚友絢、山中宏治、大石敏之 - Bias Dependence Model of Peak Frequency of GaN Trap in GaN HEMTs Using Low-Frequency Y22 Parameters; 2021年10月
発表情報; IEEE Trans. Electron Devices, 68 (2021) pp.5565-5571., 68, 5565-5571.
著者; T. Oishi, T. Otsuka, M. Tabuchi, Y. Yamaguchi, S. Shinjo, and K. Yamanaka - Microwave Power Rectification using β-Ga2O3 Schottky barrier diodes; 2019年09月
発表情報; IEEE Electron Device Lett, 40, 1393
著者; T. Oishi, K. Urata, M. Hashikawa, K. Ajiro and T. Oshima - Drain bias dependence of Y22 and Y21 signals at low frequency for on-state conditions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors; 2024年01月
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. , 63, 010905 (2024）, 63, 010905
著者; T.Oishi, S.Takada, K.Kudara, Y.Yamaguch, S.Shinj, and K.Yamanaka - Trapping Compensation for Transient Recovery in GaN LNAs; 2023年11月
発表情報; IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, ( Early Access )
著者; Yutaro Yamaguchi, Keigo Nakatani, Shitaro Shijo, Toshiyuki Oishi, and Yasuyuki Miyamoto - Stable AC Stress Operation (100 h) of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs; 2023年10月
発表情報; , 44, 10, 1704
著者; N.C.Saha , T.Shiratsuchi, T.Oishi, and M.Kasu - Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs; 2023年06月
発表情報; , 44, 06, 975
著者; N.C.Saha , T.Shiratsuchi, S.-W. Kim , K.Koyama , T.Oishi, and M.Kasu - Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si; 2023年05月
発表情報; IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 71, 5, 1945 - 1956
著者; Yutaro Yamaguchi; Toshiyuki Oishi - Fast Switching NO2-Doped p-Channel Diamond MOSFETs; 2023年05月
発表情報;
著者; N.C.Saha , T.Shiratsuchi, S.-W. Kim , K.Koyama , T.Oishi, and M.Kasu - The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure; 2023年04月
発表情報; , 62, 040902
著者; - A simulation study of the impact of traps in the GaN substrate on the electrical characteristics of an AlGaN/GaN HEMT with a thin channel layer; 2021年12月
発表情報; Journal of Computational Electronics, 20 (2021) pp.2411-2455., 20, 2411-2455
著者; T. Oishi, K. Ito - 345-MW/cm² 2608-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs With an Al₂O₃ Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond; 2021年06月
発表情報; IEEE Electron Device Lett., 42, 903
著者; N. C. Saha, S.-W. Kim, T. Oishi, Y. Kawamata, K. Koyama, M. Kasu - Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer; 2021年05月
発表情報; Applied Physics Express, 14, 051004
著者; M. Kasu, N. C. Saha, T. Oishi and S.-W. Kim - Schottky barrier diodes fabricated on high-purity type-IIa CVD diamond substrates using an all-ion-implantation process; 2021年05月
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys., 60, 050903
著者; S. Shigematsu, T. Oishi, Y. Seki, Y. Hoshino, J. Nakata and M. Kasu, - Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high-sensitive emission microscopy; 2020年07月
発表情報; Applied Physics Letters, 117, 022106
著者; Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu - 145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer; 2020年05月
発表情報; IEEE Electron Device Lett, 41, 1066
著者; Niloy Chandra Saha ,Toshiyuki Oishi ,Seongwoo Kim,Yuki Kawamata,Koji Koyama,Makoto Kasu - Stability of diamond/Si bonding interface during device fabrication process; 2019年01月
発表情報; Applied Physics Express, 12, 016501
著者; J.Liang, S.Masuya, S.Kim, T.Oishi, M.Kasu, and N.Shigekawa - β-Ga2O3-based metal–oxide–semiconductor photodiodes with HfO2 as oxide; 2018年10月
発表情報; Applied Physics Express, 11, 112202
著者; T. Oshima, M. Hashikawa, S. Tomizawa, K. Miki, T. Oishi, K. Sasaki, and A. Kuramata, - Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects,; 2017年06月
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys., 56, 086501 (2017）., 56, 086501
著者; T. Oshima, A. Hashiguchi, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, T. Oishi, and M. Kasu - Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface; 2017年02月
発表情報; Applied Physics Express 10 (2017) pp.035701, 10, 035701
著者; T. Oshima, Y. Kato, N. Kawano, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, T. Oishi, and M. Kasu, - Diamond Schottky Barrier Diodes With NO2 Exposed Surface and RF-DC Conversion Toward High Power Rectenna; 2017年01月
発表情報; IEEE Electron Device Lett., 38, 87-90
著者; T. Oishi, N. Kawano, S. Masuya, and M. Kasu - Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes; 2016年11月
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202BB
著者; M. Kasu, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oshima, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda - Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3; 2016年10月
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202B7
著者; T. Oshima, R. Wakabayashi, M. Hattori, A. Hashiguchi1, N. Kawano, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo, T. Oishi, and M. Kasu - 表面伝導型ダイヤモンドFETのデバイスシミレーションに関する検討; 2016年05月
発表情報; 電子情報通信学会論文誌C, J99-C, 5, pp.193-200
著者; 大石敏之、岸川拓也、吉川大地、平間一行、嘉数誠 - Study on capacitance-voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole dopinb and Al2O3 gate insulator layer; 2016年02月
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys., 55, 041301
著者; M.Kasu, K.Hirama, K. Harada, and T.Oishi - Conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-2 0 1) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes; 2016年01月
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys., 55, 030305 (2016）., 55, 030305
著者; T.Oishi, K.Harada, Y.Koga, and M.Kasu - High-mobility -Ga2O3 (-2 0 1) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact; 2015年
発表情報; Applied Physics Express, 8, 031101
著者; T.Oishi, Y.Koga, K.Harada, and M.Kasu - Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation; 2014年10月
発表情報; Microelectronic Engineering, 54, 2662-2667
著者; H.Sasaki, K.Kadoiwa, H.Koyama, Y.Kamo, Y.Yamamoto, T.Oishi, K.Hayashi - Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation; 2014年
発表情報; Microelectronic Engineering, 54, pp.2662-2667
著者; H.Sasaki, K.Kadoiwa, H.Koyama, Y.Kamo, Y.Yamamoto, T.Oishi, K.Hayashi - Analysis of On-state Gate Current of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor under Electrical and Temperature Stress; 2013年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys., 52（2013） 124101.
著者; K.Hayashi, H.Sasaki, and T.Oishi - AlGaN/GaN HEMTにおけるドレインリーク電流の解析; 2013年
発表情報; 電子情報通信学会論文誌C、J96-C, No.8, 2013 pp.200-208.
著者; 林一夫、大石敏之、加茂宣卓、山口裕太郎、大塚浩志、山中宏治、中山正敏、宮本恭幸 - Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation; 2013年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys., 52（2013） 04CF12.
著者; K.Hayashi, Y.Yamaguchi, T.Oishi, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama and Y.Miyamoto - AlGaN channel HEMT with Extremely High Breakdown Voltage; 2013年
発表情報; IEEE Trans. Electron Devices, 60 (2013) pp.1046-1053.
著者; T.Nanjo , A.Imai , Y.Suzuki , Y.Abe , T.Oishi , M.Suita , E.Yagyu , Y.Tokuda - Semi-physical nonlinear circuit model with device/physical parameters for HEMTs; 2011年
発表情報; International Journal of Microwave and Wireless Technologies 3 (2011) pp.25–33.
著者; H.Otsuka, T.Oishi, K.Yamanaka, M.Thorsell, K.Andersson, A.Inoue, Y.Hirano and I.Angelov - Enhancement of Drain Current by an AlN Spacer Layer Insertion in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Si-Ion-Implanted Source/Drain Contacts; 2011年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 064101.
著者; T.Nanjo, T.Motoya, A.Imai, Y.Suzuki, K.Shiozawa, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda - Drivability Enhancement for AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors with AlN Spacer Layer Using Si Ion Implantation Doping; 2009年
発表情報; Applied Physics Express 2 (2009) 031003.
著者; T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda - AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current; 2009年
発表情報; Electron.Lett. 45 (2009) pp.1346-1347.
著者; T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda and Y.Aoyagi - Comparison of characteristics of AlGaN channel HEMTs formed on SiC and sapphire substrates; 2009年
発表情報; Electron. Lett. 45 (2009) pp.424-425.
著者; T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda - Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel high electron mobility transistors; 2008年
発表情報; Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 263502.
著者; T.Nanjo, M.Takeuchi, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, Y.Tokuda and Y.Aoyagi - First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors; 2008年
発表情報; Applied Physics Express 1 (2008) 011101.
著者; T.Nanjo, .Takeuchi, M.Suita, Y.Abe, T.Oishi, Y.Tokuda, and Y.Aoyagi - Application of lightly doped drain structure to AlGaN/GaN HEMTs by ion implantation technique; 2008年
発表情報; Electron.Lett. 44 (2008) pp.1378-1379.
著者; M.Suita, T.Nanjo, T.Oishi, Y.Abe and Y.Tokuda - X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of the Origin of the Improved Device Performance by a Thin Al Layer Insertion between AlGaN and Schottky Gate on the AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor; 2007年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) pp.L584-L586.
著者; T.Nanjo, K.Kawase, M.Suita, Y.Abe, T.Oishi and Y.Tokuda - Effects of a thin Al layer insertion between AlGaN and Schottky gate on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor characteristics; 2006年
発表情報; Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 043503.
著者; T.Nanjo, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe and Y.Tokuda - Ion implantation doping for AlGaN/GaN HEMTs; 2006年
発表情報; phys.stat.sol.(c) 3 (2006) pp.2364–2367.
著者; M.Suita, T.Nanjo, T.Oishi, Y.Abe and Yasunori Tokuda - 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化; 2004年
発表情報; J.Vac.Soc.Jpn. (真空) 47 (2004) pp.328-333.
著者; 大石敏之、三浦成久、吹田宗義、南條拓真、阿部雄次、尾関龍夫、石川博康、江川孝志 - Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN with insertion of high work function metal; 2004年
発表情報; Solid-State Electronics 48 (2004) pp.689–695.
著者; N.Miura, T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, T.Egawa, T.Jimbo - Improvement of DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors by Thermally Annealed Ni/Pt/Au Schottky Gate; 2004年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) pp.1925-1929.
著者; T.Nanjo, N.Miura, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Ishikawa, Y.Matsuda, H.Ishikawa and T.Egawa - Effects of interfacial thin metal layer for high-performance Pt-Au-based Schottky contacts to AlGaN-GaN; 2004年
発表情報; IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) pp.297-303.
著者; N.Miura, T.Oishi, T.Nanjo, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, and T.Egawa - Highly resistive GaN layers formed by ion implantation of Zn along the c axis; 2003年
発表情報; J. Appl. Phys. 94 (2003) pp.1662-1666.
著者; T.Oishi, N.Miura, M.Suita, T.Nanjo, Y.Abe and T.Ozeki - Junction capacitance reduction due to self-aligned pocket implantation in elevated source/drain NMOSFETs; 2001年
発表情報; IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) pp.1969-1974.
著者; N.Miura, Y.Abe, K.Sughihar, T.Oishi, T.Furukawa, T.Nakahata, K.Shiozawa, S.Maruno, Y.Tokuda - Short channel characteristics of quasi-single-drain MOSFETs; 2001年
発表情報; IEEE Electron Device Lett., 22 (2001) pp.351-353.
著者; K.Sugihara, Y.Abe, T.Oishi, N.Miura, Y.Tokuda - A dual-gate complementary metal-oxide-semiconductor technology with novel self-aligned poket implantation which takes advantage of elevated source/drain configurations; 2001年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) pp.2611-2615.
著者; K.Sugihara, N.Miura, T.Furukawa, T.Nakahata, T.Oishi, S.Maruno, Y.Abe and Y.Tokuda - Remarkable effects of introduction of SiON materials into shallow trench isolation fabrication process on metal-oxide-semiconductor field-effect transistors; 2001年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) pp.462-466.
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, Y.Abe and Y.Tokuda - Expansion of effective channel width for MOSFETs defined by novel T-shaped shallow trench isolation fabricated with SiON spacers and liners; 2000年
発表情報; Electron. Lett. 36 (2000) pp.910-912.
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, Y.Abe, Y.Tokuda - Isolation Edge Effect Depending on Gate Length of MOSFET's with Various Isolation Structures; 2000年
発表情報; IEEE Trans. on Electron Devices 47 (2000) pp.822-827.
著者; T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda - Simulation Study on Comparison Between Metal Gate and Polysilicon Gate for Sub-Quarter-Micron MOSFET’s; 1999年
発表情報; IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) pp.632-634.
著者; Y.Abe, T.Oishi, K.Shiozawa, Y.Tokuda and S.Satoh - Experimental study on isolation edge effects in short channel characteristics of metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs); 1999年
発表情報; Microelectronic Engineering 45 (1999) pp.369-375.
著者; T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe, Y.Tokuda and S.Satoh - Advantage of shallow trench isolation over local oxidation of silicon on alignment tolerance; 1999年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) pp.L234-L235.
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, K.Sugihara, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda - Gate overlap length reduction and shallow junction formation in high-performance fine MOSFETs by ion implantation through thin oxide film; 1998年
発表情報; Electron. Lett. 34 (1998) pp.2436-2438.
著者; T.Oishi, A.Furukawa, K.Shiozawa, Y.Abe and Y.Tokuda - Anomalous gate length dependence of threshold voltage of trench-isolated metal oxide semiconductor field effect transistors; 1998年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) pp.L852-L854.
著者; T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda - Protection of field oxide in trench isolation against contact hole etching to improve alignment tolerance; 1998年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) pp.L833-L835.
著者; T.Oishi, K.Shiozawa, K.Sugihara, Y.Abe and Y.Tokuda - Excellent electrical characteristics of ultrafine trench isolation; 1998年
発表情報; J. Electrochem. Soc. 145 (1998) pp.1684-1687.
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, H.Maeda, T.Murakami, K.Yasumura, Y.Abe and Y.Tokuda - Narrow-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) isolated by an ultra-fine trench; 1997年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) pp.L547-L549.
著者; T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda - Electrical characteristics of ultra-fine trench isolation fabricated by a new two-step filling process; 1996年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp.L1625-L1627.
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, H.Maeda, T.Murakami, K.Yasumura, Y.Abe and Y.Tokuda - In-plane orientation and coincidence site lattice relation of Bi2Sr2CaCu2Ox thin films formed on highly mismatched (001) YAG substrates; 1994年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) pp.929-931.
著者; M.Kataoka, K.Kuroda, T.Oishi, T.Takami, A.Furukawa, J.Tanimura, T.Ogama and K.Kojima - Reactive ion etching of BiSrCaCuO superconducting thin films using ethane and oxygen; 1994年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) pp.L315-L317.
著者; T.Oishi, T.Takami, K.Kuroda, K.Kojima, O.Wada, and M.Nunoshita - Effect of ethane addition to argon in etching of BiSrCaCuO superconducting thin films; 1993年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) pp.L187-L189.
著者; T.Oishi, T.Takami, K.Kojima, K.Kuroda and O.Wada - Fabrication of submicron gratings for 1.5μm InGaAsP/InP distributed feedback lasers by reactive ion etching using C2H6/H2; 1992年
発表情報; J. Electrochem. Soc. 139 (1992) pp.2969-2974.
著者; H.Sugimoto, Y.Abe, T.Ohishi, K.Ohtsuka, T.Matsui, H.Yoshiyasu and Y.Nomura - Fe and Al concentrations in high resistivity InP layer grown by low-temperature liquid phase epitaxy; 1991年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys.30 (1991) pp.218-220.
著者; K.Ohtsuka, T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, H.Yoshiyasu, H.Kuroki and K.Kuramoto - Photoluminescence characterization of InP surface reactive ion etched by a gas mixture of ethane and hydrogen; 1991年
発表情報; J. Appl. Phys. 70 (1991) pp.2361-2365.
著者; K.Ohtsuka, T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto and T.Matsui - 1.5μm InGaAsP/InP buried-heterostructure laser diode fabricated by reactive ion etching using a mixture of ethane and hydrogen; 1990年
発表情報; Appl. Phys. Lett. 56 (1990) pp.1641-1642.
著者; T.Matsui, K.Ohtsuka, H.Sugimoto, Y.Abe and T.Ohishi - Open-tube Zn diffusion method for InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistors; 1990年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) pp.L213-L216.
著者; T.Ohishi, K.Ohtsuka, Y.Abe, H.Sugimoto and T.Matsui - Ultra-high current gain InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor; 1990年
発表情報; Electron. Lett. 26 (1990) pp.392-393.
著者; T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, K.Ohtsuka and T.Matsui - High resistivity InP layer grown by low temperature liquid phase epitaxy; 1990年
発表情報; J. Crystal Growth 106 (1990) pp.467-470.
著者; K.Ohtsuka, T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto and T.Matsui - C2H6/H2混合ガスを使用したIII-V族化合物半導体の反応性イオンエッチング; 1989年
発表情報; J.Vac.Soc.Jpn. (真空) 32 (1989) pp.801-807.
著者; 松井輝仁，杉本博司，大石敏之、大塚健一 - High-speed 1.55μm GaInAsP/InP mass transport laser diode on semi-insulating substrate; 1989年
発表情報; Electron. Lett. 25 (1989) pp.1505-1506.
著者; Y.Abe, T.Ohishi, H.Sugimoto, T.Matsui and H.Ogata - 1.5μm side-hilled BH InGaAsP/InP laser with waveguide for wavelength tuning; 1989年
発表情報; OPTOELECTRONICS-Devices and Technologies 4 (1989) pp.97-104.
著者; Y.Abe, K.Ohtsuka, H.Sugimoto, T.Ohishi and T.Matsui - GaInAsP/InP lasers with etched mirrors by reactive ion etching using a mixture of ethane and hydrogen; 1989年
発表情報; Appl.Phys.Lett.54 (1989) pp.1193-1194.
著者; T.Matsui, H.Sugimoto, T.Ohishi, Y.Abe, K.Ohtsuka and H.Ogata - GaInAsP/InP heterojunction bipolar transistors with a double layer base; 1989年
発表情報; Electron. Lett. 25 (1989) pp.41-42.
著者; T.Ohishi, K.Ohtsuka, T.Matsui and H.Ogata - Reactive ion etching of III-V compounds using C2H6/H2; 1988年
発表情報; Electron. Lett. 24 (1988) pp.798-800.
著者; T.Matsui, H.Sugimoto, T.Ohishi and H.Ogata - High-purity In0.53Ga0.47As layer grown by liquid phase epitaxy; 1988年
発表情報; J. Crystal Growth 89 (1988) pp.391-394.
著者; K.Ohtsuka, T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, T.Matsui and H.Ogata - Electrical properties of silicon nitride films plasma-deposited from SiF4, N2, and H2 source gases; 1985年
発表情報; J. Appl. Phys. 57 (1985) pp.426-431.
著者; Sz.Fujita, T.Ohishi, H.Toyoshima, A.Sasaki - Plasma-deposited silicon nitride films from SiF2 as silicon source; 1984年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) pp.L268-L270.
著者; Sz.Fujita, H.Toyoshima, T.Ohishi, A.Sasaki - Plasma-enhanced chemical vapor deposition of fluorinated silicon nitride; 1984年
発表情報; Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) pp.L144-L146.
著者; Sz.Fujita, H.Toyoshima, T.Ohishi, A.Sasaki
資料・解説・論説・研究報告・総合雑誌の論文
- 研究室紹介 「ワイドバンドギャップ半導体を用いた高周波電子デバイスの高性能化を目指して」; 2017年07月
発表情報; , 166
著者; 大石敏之 - GaN HEMTの半物理的非線形回路モデル; 2011年
発表情報; 三菱電機技報 85(2011) pp.297-300.
著者; 大石敏之、大塚浩志、山中宏治 - AlGaNチャネルによるトランジスタの高耐圧化; 2008年
発表情報; 三菱電機技報 82(2008) pp.389-392.
著者; 南條拓真、武内道一、吹田宗義、青柳克信、大石敏之 - 注入ドーピングによるGaNトランジスタの高性能化; 2005年
発表情報; 三菱電機技報 79(2005) pp.537-540.
著者; 大石敏之、阿部雄次、吹田宗義、南條拓真
一般講演（学術講演を含む）
- GaN HEMTのGaNトラップのY22/Y21信号と過渡応答特性比較 -マルチバイアスでの比較-; 2024年03月
発表情報; , C-10-8
著者; 大石 敏之, 東島 拓海, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 山中 宏治 - ダイヤモンドNO2 p 型ドープMOSFET の長時間(100h)AC ストレス測定; 2023年09月
発表情報; , 23p-B201-4
著者; 白土智基， ニロイ チャンドラ サハ, 大石敏之, 嘉数 誠, - GaN HEMT のDC パラメータがトラップ特性（低周波Y22）に与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）; 2023年09月
発表情報; , 22a-B201-6
著者; 西嶋 尚, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 大石 敏之, 新庄 真太郎, 山中 宏治, - GaN HEMT に対する低周波Y21 とY22 信号のドレイン電圧依存性; 2023年09月
発表情報; , 22a-B201-7
著者; 大石 敏之, 高田 栞, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 山中 宏治 - GaN HEMT 中のトラップ位置と低周波Y21/Y22 虚部の関係（デバイスシミュレーションによる検討）; 2023年09月
発表情報; , 22a-B201-8
著者; 大石 敏之, 諸隈 奨吾, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 山中 宏治 - S パラメータの周波数依存性を用いたトランジスタ動作時におけるGaN HEMT のトラップとRF 特性の同時評価; 2023年09月
発表情報; , 22a-B201-9
著者; 津山 慎樹, 久樂 顕, 山口 裕太郎, 大石 敏之, 新庄 真太郎, 山中 宏治 - ノーマリオフ型EID AlGaN/GaN MOS-HEMT における膜中残留応力が電気的特性に与える影響のTCAD による検討; 2023年09月
発表情報; , 22p-B201-9
著者; 大石 敏之, 南條 拓真, 古橋 壮之, 西川 和康 - GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討－デバイスシミュレーション－; 2023年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2022-91、2023年1月27日, 機械振興会館（ハイブリッド開催） pp.29-32., pp.29-32
著者; 諸隈 奨吾, 大塚 友絢, 大石 敏之, 山口 裕太郎, 新庄 真太郎, 山中 宏治 - 低周波Y パラメータを用いたGaN HEMT トラップ評価における表面処理と光照射の効果に関する研究; 2022年11月
発表情報; 2022年度応用物理学会九州支部学術講演会，大分大学（2022年11月26日） 26Ba-7.
著者; 高田 栞、大石 敏之、大塚 友絢、山口 裕太郎、津留 正臣、山中 宏治 - GaN HEMT のGaN トラップ位置が低周波Y パラメータに与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）; 2022年11月
発表情報;
著者; 諸隈 奨吾、大石 敏之、大塚 友絢、山口 裕太郎、津留 正臣、山中 宏治 - 低周波 22 パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価; 2022年11月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2022-34 、2022年11月24日, ウインク愛知（ハイブリッド開催） p.49., 49
著者; 西田 大生, 大石敏之, 大塚 友絢, 山口裕太郎, 新庄真太郎, 山中 宏治 - Characterization of Fe-doping Induced Trap in AlGaN/GaN HEMTs using Low Frequency Y22 Measurement; 2022年09月
発表情報; 14th Topical workshop on heterostructure microelectronics (TWHM 2022), Aug. 29th- Sept. 1sh, 2022, Hiroshima, 8-3
著者; T. Nishida, T. Oishi, T. Otsuka, Y. Yamaguchi, M. Tsuru, K. Yamanaka - Bイオン注入のみで作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード; 2022年09月
発表情報; 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会，東北大学＆オンライン（2022年9月22日）22p-B204-17.
著者; 関 裕平、重松 誠也、大石 敏之、嘉数 誠、星野 靖、中田 穣治 - 3659 V, 0.37 A /mm 微傾斜ダイヤモンド上に作製した NO2ドープ ダイヤモンド MOSFET; 2022年09月
発表情報; 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会，東北大学＆オンライン（2022年9月21日）21a-M206-13.
著者; ハ ニロイ チャンドラ、金 聖祐、小山 浩司、大石 敏之、嘉数 誠 - 過渡応答測定を用いたGaN HEMTトラップ時定数のドレイン電圧依存性の検討; 2022年09月
発表情報;
著者; 東島拓海，加地大樹，大石敏之，大塚友絢，山口裕太郎，都留正臣，山中宏治 - 移動度パラメータがGaN HEMTの低周波Y22特性に与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）; 2022年09月
発表情報; 2022年度（第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会，オンライン（2022年9月16日-17日）、05-2A-11.
著者; 西嶋尚，諸隈奨吾，大石敏之，大塚友絢，山口裕太郎，都留正臣，山中宏治 - 低ドレイン電流時のY22によるGaN HEMTのトラップ解析; 2022年09月
発表情報; 2022年度（第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会，オンライン （2022年9月16日-17日）、05-2A-10.
著者; 加地 大樹，田渕 将也，大石 敏之，大塚 友絢，山口 裕太郎，津留 正臣，山中宏治 - Mechanisms of Buffer and Surface Traps in GaN HEMTs for Low Frequency Y21 and Y22 parameters; 2022年04月
発表情報; The European Microwave Conference (EuMC) 2021, 2nd – 7th April 2022, London, UK (Video Letter)
著者; T. Otsuka, Y. Yamaguchi, M. Tsuru, and T. Oishi - GaN HENTの低周波Yパラメータ特性におけるバッファトラップと表 面トラップの異なる特性に対するメカニズム解析; 2022年03月
発表情報; ” 2022年電子情報通信学会総合大会, 2021年3月16日, C-10-2
著者; 大塚 友絢，山口 裕太郎，津留 正臣，大石 敏之 - トラップの影響を考慮した Ka 帯 GaN コンパクトモデルの変調特性の精度改善; 2022年03月
発表情報; 2022年電子情報通信学会総合大会, 2021年3月16日, C-2-8
著者; 山口 裕太郎，中谷圭吾，大塚 友絢，津留 正臣，大石 敏之 - GaN HEMTのGaN層中トラップと自己発熱効果が低周波Y22へ与える影響(デバイスシミュレーションによる検討); 2021年12月
発表情報; 2021年度応用物理学会九州支部学術講演会 オンライン開催（2021年12月4-5日） 4Bp-4.
著者; 諸隈奨吾，大塚友絢，山口裕太郎，津留正臣，大石敏之 - GaN HEMTの飽和領域における低周波Y21の温度特性を用いたトラップ評価; 2021年12月
発表情報; 2021年度応用物理学会九州支部学術講演会 オンライン開催（2021年12月4-5日） 4Bp-5.
著者; 田渕将也，大塚友絢，山口裕太郎，加地大樹，津留正臣，大石敏之 - ゲート電流を注入したGaN HEMTにおける回路パラメータの周波数依存性に関する研究; 2021年12月
発表情報; 2021年度応用物理学会九州支部学術講演会 オンライン開催（2021年12月4-5日） 4Bp-6.
著者; 髙田栞，田渕将也，大塚友絢，山口裕太郎，津留正臣，大石敏之 - 選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ; 2021年09月
発表情報; 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 12p-N305-9
著者; 嘉数誠、サハ ニロイ チャンドラ、金聖祐、大石敏之 - 全てイオン注入法でドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード; 2021年09月
発表情報; 2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会, 12p-S301-8
著者; 重松誠弥、関裕平、星野靖、中田穣治、大石敏之、嘉数誠 - GaN HEMTの低周波Yパラメータ特性における表面トラップの影響に対するTCAD解析; 2021年03月
発表情報; 2021年電子情報通信学会総合大会, C-10-2
著者; 大塚友絢、山口裕太郎、山中宏冶、大石敏之 - GaN HEMTにおけるバッファトラップからの低周波Yパラメータを再現するトラップ回路の検討; 2020年09月
発表情報; 第73回電気・情報関係学会九州支部連合大会, 06-2A-08
著者; 西村匠史、田淵将也、山口裕太郎、大塚友絢、新庄真太郎、大石敏之 - 超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定; 2020年09月
発表情報; 2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-Z20-11
著者; 嘉数誠、スダーン セイリープ、佐々木公平、大石敏之、川崎克己、平林潤、倉又朗人 - Study on Effects of GaN Trap Depth Profiles to Transient Response in GaN HEMTs on GaN Substrates by Device Simulation; 2020年09月
発表情報; 2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT2020), September 2-4, 2020, Hiroshima, Japan.
著者; K.Ito and T.Oishi - Study on Self-heating and Drain Voltage Effects for Buffer Traps in GaN HEMTs by Low Frequency S-parameter Measurements; 2020年09月
発表情報; 2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT2020), September 2-4, 2020, Hiroshima, Japan.
著者; M.Tabuchi, T.Otsuka, Y.Yamaguchi, S.Shinjo and T.Oishi - GaN HEMTの自己発熱の低周波Sパラメータへの影響に関する解析; 2020年03月
発表情報; 2020年電子情報通信学会総合大会, C-10-3
著者; 大塚友絢、山口裕太郎、新庄真太郎、大石敏之 - カスコード接続を用いたシングルシャント整流回路のRF-DC変換効率におけるゲート幅依存性の検討; 2019年11月
発表情報; 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会，熊本大学工学部 黒髪南地区, 熊本（2019年11月24日） 24Dp-9
著者; 浦田 幸佑, 大石 敏之, 山口 裕太郎, 大塚 友絢, 新庄 真太郎 - 低周波ネットワークアナライザによるGaN HEMTソース，ゲート間のトラップ評価; 2019年11月
発表情報; 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会，熊本大学工学部 黒髪南地区, 熊本（2019年11月24日） 24Dp-8.
著者; 島田 優馬，竹ノ畑 拓海，大石 敏之 - サブミクロンゲ－トダイヤモンドMOSFETの電気的特性評価; 2019年11月
発表情報; 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会，熊本大学工学部 黒髪南地区, 熊本（2019年11月23日） 23Bp-10.
著者; 鴨川 拓弥，ニロイ チャンドラ サハ，大石 敏之，金 聖祐，嘉数 誠 - Ga2O3ショットキーバリアダイオードを用いたマイクロ波-DC変換動作の実証と負荷抵抗依存性; 2019年11月
発表情報;
著者; 橋川 誠, 浦田幸佑, 竹ノ畑拓海, 網代康佑, 大島孝仁, 大石敏之 - 大電力レクテナ用スーパーワイドバンドギャップ半導体デバイスの研究開発の状況; 2019年11月
発表情報; IEEE AP-S Fukuoka Chapter 特別講演、電子情報通信学会研究会 2019-11-AP-RCS, 2019年11月20日, 佐賀大学
著者; 大石敏之 - Study of Self-heating Effect of GaN HEMTs with Buffer Traps by Low Frequency S-parameters Measurements and TCAD Simulation; 2019年11月
発表情報; IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), November 3-6, 2019, Nashville, Tennessee, USA, 3b.2.
著者; T. Otsuka,Y. Yamaguchi, S. Shinjo, and Toshiyuki Oishi - RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds; 2019年09月
発表情報; 30th International Conference on Diamond and Carbon Materials(ICDCM2019), 8-12 September, 2019, Melia Lebreros, Seville, Spain, 06A.1.
著者; M. Kasu, T. Kamogawa, N.C. Saha, T. Oishi, and S.W. Kim - IM3のアンバランスに関するトラップの影響を考慮したGaN大信号モデルの精度向上; 2019年03月
発表情報; 2019年電子情報通信学会総合大会，早稲田大学 西早稲田キャンパス（東京）, 東京（2019年3月19–22日）C-2-29.
著者; 山口 裕太郎、大塚 友絢、半谷政毅、新庄 真太郎、大石 敏之 - TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータバイアス依存性に対する自己発熱の影響に関する検討; 2019年03月
発表情報; 2019年電子情報通信学会総合大会，早稲田大学 西早稲田キャンパス（東京）, 東京（2019年3月19–22日）C-10-2.
著者; 大塚 友絢、山口 裕太郎、新庄 真太郎、大石 敏之 - ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波数特性; 2019年03月
発表情報; 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会，東京工業大学 大岡山キャンパス，東京（2019年3月9–12日）12a-M121-7.
著者; 石松 裕真, 大石 敏之, 鴨川 拓弥, ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐、嘉数 誠 - デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのバッファトラップが過渡応答 とドレインリークに与える影響の検討; 2019年03月
発表情報; 2019年第66回応用物理学会春季学術講演会，東京工業大学 大岡山キャンパス，東京（2019年3月9–12日）9p-M121-14.
著者; 大石 敏之 - 大電力RF-DC変換に向けたGaN HEMT/Siダイオードのカスコード接続回路の検討; 2019年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2018-83、2019年1月17日, pp.75-78., 75
著者; 浦田幸佑，網代康佑，大石敏之，山口裕太郎，新庄真太郎，大塚友絢 - Ga2O3ショットキーバリアダイオードの正弦波入力に対する応答; 2018年12月
発表情報; 平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会，福岡大学 七隈キャンパス，福岡（2018年12月9日）9Ba-3.
著者; 深見 成， 大島 孝仁 ，大石 敏之 - 半導体材料の違いによるRF-DC変換効率の回路シミュレーションによる比較; 2018年12月
発表情報; 平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会，福岡大学 七隈キャンパス，福岡（2018年12月9日）9Ba-1.
著者; 網代 康佑，浦田 幸佑，大石 敏之 - GaN HEMTのバッファトラップが過渡応答と周波数応答に与える影響 −デバイスシミュレーションによる検討−; 2018年12月
発表情報; 平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会，福岡大学 七隈キャンパス，福岡（2018年12月9日）9Ba-10.
著者; 石松 裕真，大塚 友絢，大石 敏之，山口 裕太郎，新庄 真太郎 - ダメージ領域がダイヤモンドMOSFETの電気的特性に与える影響 ―デバイスシミュレーションによる検討―; 2018年12月
発表情報; 平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会，福岡大学 七隈キャンパス，福岡（2018年12月9日）9Ba-2.
著者; 鴨川 拓弥，大石 敏之，嘉数 誠 - GaN HEMT と Si SBD のカスコード接続を用いたシングルャト整流回路の動作実証; 2018年12月
発表情報; 平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会，福岡大学 七隈キャンパス，福岡（2018年12月9日）9Ba-1.
著者; 浦田 幸佑, 網代 康佑,大石 敏之, 山口 裕太郎, 大塚 友絢, 新庄 真太郎 - β-Ga2O3 MOSフォトダイオードの高電界印加動作; 2018年11月
発表情報; 第一回結晶工学×ISYSE 合同研究会, 2018年11月29日.
著者; 橋川 誠, 後藤 隆介, 富澤 三世, 三木 風帆、佐々木 公平, 倉又 朗人, 大石 敏之, 大島 孝仁 - Ka-band GaN Large-Signal Model Considering Trap Effect on Non-linear Capacitance by Using Transient S-parameters Measurement; 2018年10月
発表情報; IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), October 14-17, 2018, California, USA
著者; Yutaro Yamaguchi, Masatake Hangai, Shintaro Shinjo, Koji Yamanaka, and Toshiyuki Oishi - DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析; 2018年09月
発表情報; 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋国際会議場，名古屋（2018年9月18–21日）21p-331-6.
著者; 大石 敏之，鴨川 拓弥，嘉数 誠 - β-Ga2O3 MOSフォトダイオードの内部電界評価; 2018年09月
発表情報; 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会，名古屋国際会議場，名古屋（2018年9月18–21日）19a-224A-3.
著者; 橋川 誠, 富澤 三世, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 大石 敏之, 大島 孝仁 - Diamond field-effect transistors fabricated on highquality heteroepitaxial diamond wafers treated by chemical mechanical polishing technology; 2018年09月
発表情報; 29th International Conference on Diamond and Carbon Materials(ICDCM2018), 2-6 September, 2018, Valamar Lacroma Dubrovnik, Dubrovnik, Croatia, O6A.4., O6A.4
著者; M. Kasu, D. Fujii, S. Masuya, T.Oishi, S. Kim - Sパラメータ過渡応答測定を用いてトラップの非線形容量への影響を考慮したKa帯GaN大信号モデル; 2018年07月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 MW2018-45、2018年7月19日, pp.125-130., 125
著者; 山口裕太郎，大塚友絢，半谷政毅，新庄真太郎 - Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors on High-Quality Heteroepitaxial Diamond Wafer Using Microneedle Technology; 2018年05月
発表情報; 12th International New Diamond and Nano Carbons Conference(NDNC2018), B4.03
著者; Makoto Kasu, Naru Fukami, Yuma Ishimatsu, Satoshi Masuya, Toshiyuki Oishi, Daiki Fujii and Seongwoo Kim - トラップの時定数がGaN HEMTのパルス応答に与える影響 －デバイスシミュレーションによる検討－; 2018年03月
発表情報; 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス，東京（2018年3月17–20日）19p-C302-15.
著者; 網代 康佑、大石 敏之 - 高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路; 2018年03月
発表情報; 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス，東京（2018年3月17–20日）18p-C302-11.
著者; 深見 成、網代 康佑、大石 敏之、河野 直士、荒木 幸二、桝谷 聡士、嘉数 誠 - マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET; 2018年03月
発表情報; 2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学西早稲田キャンパス，東京（2018年3月17–20日）18p-C302-9.
著者; 嘉数 誠、深見 成、石松 裕真、桝谷 聡士、大石 敏之、藤居 大樹、金 聖佑 - Diamond field-effect transistors fabricated on high-quality heteroepitaxial diamond wafer using microneedle technology; 2018年03月
発表情報; Hasselt Diamond Workshop 2018(SBDD XXIII), 12.4
著者; M. Kasu, N. Fukami, Y. Ishimatsu, S. Masuya, T. Oishi, D. Fujii, S.W. Kim - NO2ホールドピング 水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価; 2017年12月
発表情報; 電子情報通信学会研究会, ED2017-63, 769-72
著者; 石松 裕真 舟木 浩祐 桝谷 聡士 宮崎 恭輔 大島 孝仁 嘉数 誠 大石 敏之 - NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討; 2017年09月
発表情報; 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場，福岡県（2017年9月5–8日）8a-S22-8.
著者; 舟木 浩祐，石松 裕真，桝谷 聡士，宮崎 恭輔，大島 孝仁，嘉数 誠，大石 敏之 - GaN HEMTのゲート形状とゲート金属残留応力がゲートリーク電流に与える影響のデバイスシミュレーションによる検討; 2017年09月
発表情報; 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場，福岡県（2017年9月5–8日）7p-S22-13.
著者; 大石 敏之，山口 裕太郎，山中 宏治 - 低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子; 2017年09月
発表情報; 2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡国際会議場，福岡県（2017年9月5–8日）7p-C17-14.
著者; 大島 孝仁，橋川 誠，富澤 三世，佐々木 公平，倉又 朗人，大石 敏之，嘉数 誠 - 非線形容量におけるトラップの影響を考慮したKa 帯大信号GaN モデル; 2017年09月
発表情報; 2017年電子情報通信学ソサイエティ大会, 2017年9月14日, 東京都市大学，C-2-19.
著者; 山口裕太郎，山中宏治，大石敏之 - Electrical properties of Schottky diodes fabricated on a (001) β-Ga2O3 single crystal substrate having line-shaped voids and small defects; 2017年09月
発表情報; 2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017), P22
著者; T. Oshima,A. Hashiguchi, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, T. Oishi, and M. Kasu - Ka 帯GaNHEMT の分布型大信号モデル; 2017年03月
発表情報; 2017年電子情報通信学会総合大会, 名城大学, 2016年3月22日, C-2-14
著者; 山口裕太郎，半谷政毅，山中宏治，大石敏之 - ゲート金属残留応力がGaN HEMTの電気的特性に与え る影響 － TCADシミュレーションによる検討 －; 2017年03月
発表情報; 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月16日, 16a-P4-29
著者; 大石 敏之，山口 裕太郎，山中 宏治 - β-(AlxGa1-x)2O3ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察; 2017年03月
発表情報; 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月14日, 14a-502-6
著者; 加藤勇次，大島孝仁，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠 - (-201)β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係; 2017年03月
発表情報; 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月14日, 14p-502-4
著者; 森林朋也，橋口明広，大島孝仁，花田賢志，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠 - (001)β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係; 2017年03月
発表情報; 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月14日, 14p-502-5
著者; 橋口明広，森林朋也，大島孝仁，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠 - ダブルNO2ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOSFETの連続動作; 2017年03月
発表情報; 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月15日, 15p-315-16
著者; 舟木浩祐, 石松裕真, 桝谷聡士, 大島孝仁, 嘉数誠, 大石敏之, - ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の高電圧動作; 2017年03月
発表情報; 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 2017年3月14–17日, 15p-315-17
著者; 河野直士, 深見成, 桝谷聡士, 大島孝仁, 嘉数誠, 大石敏之 - AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 －TCADシミュレーションによる検討－; 2017年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会, ED2016-108, 2017年1月27日, 63-68
著者; 大石 敏之, 山口 裕太郎, 山中 宏治 - GaN HEMTの低周波等価回路パラメータへのバッファトラップの影響; 2016年11月
発表情報; 電子情報通信学会研究会, MW2016-128, 2016年11月17日, 69-72
著者; 山口修造, 大石敏之 - ダイヤモンド素子を用いたレクテナの理論的検討と動作実証; 2016年10月
発表情報; 第8回集積化MEMSシンポジウム, 平戸文化センター, 2016年10月25日, 25am2-PM-015
著者; 大石 敏之，河野 直士，嘉数 誠 - Physical Model of RF Leakage in GaN HEMTs on Si Substrates Based on Atomic Diffusion Analysis at Buffer/Substrate Interface; 2016年10月
発表情報; 38th IEEE COMPOUND SEMICONDUCTOR IC (CSIC) SYMPOSIUM, Oct. 23-26, 2016, Austin, Texas, L.1.
著者; Y. Yamaguchi, J. Kamioka, S. Shinjo, K. Yamanaka and T. Oishi - 小信号特性の周波数依存性を利用したGaNショットキーバリアダイオードのパラメータ抽出; 2016年09月
発表情報; 平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 宮崎大学, 2016年9月29日, 05-1A-09
著者; 吉川大地，網代康祐，山口裕太郎，山中宏冶，大石敏之 - β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係; 2016年09月
発表情報; 第77回応用物理学会春季学術講演会, 2016年9月15日, 朱鷺メッセ, 16a-A22-2
著者; 橋口 明広，森林 朋也，花田 賢志，大島 孝，大石 敏之，輿 公祥，佐々木 公平，倉又 朗人，上田 修，嘉数 誠 - β-Ga2O3用ITOオーミック電極; 2016年09月
発表情報; 第77回応用物理学会春季学術講演会, 2016年9月15日, 朱鷺メッセ, 14p-P10-24
著者; 大島 孝仁，若林 諒，服部 真依，橋口 明広，河野 直人，佐々木 公平，増井 建和，倉又 朗人，山腰 茂伸，吉松 公，大友 明，大石 敏之，嘉数 誠 - レクテナにおけるダイヤモンドショットキーバリアダイオードの抵抗容量積の影響; 2016年09月
発表情報; 第77回応用物理学会春季学術講演会, 2016年9月15日, 朱鷺メッセ, 15a-B1-6
著者; 河野 直士，桝谷 聡士，大島 孝仁，大石敏之 - 酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作; 2016年09月
発表情報; 第77回応用物理学会春季学術講演会, 2016年9月15日, 朱鷺メッセ, 15a-B1-5
著者; 河野 直士，大島 孝仁，嘉数 誠，大石 敏之 - ダイヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討; 2016年09月
発表情報; 第77回応用物理学会春季学術講演会, 2016年9月15日, 朱鷺メッセ, 15a-B1-4
著者; 大石 敏之，河野 直士，嘉数 誠 - Fabrication of diamond field-effect transistorswith double NO2 hole doping and low-temperature Al2O3 gate insulator layer; 2016年09月
発表情報; International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sept. 4-8, 2016, Le Corum, Montpellier, France, P13.19.
著者; M. Kasu, K. Hanada, Y. Koga, T. Oshima, T. Oishi - Fabrication of diamond rectenna devices for wireless power transmission; 2016年09月
発表情報; International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sept. 4-8, 2016, Le Corum, Montpellier, France, O17.5
著者; M. Kasu, T. Oishi, N. Kawano, A. Miyachi, S. Kawasaki - Demonstration of RF-DC conversion using dual diode rectifier circuit for rectenna with diamond Schottky barrier diodes; 2016年06月
発表情報; Compound Semiconductor Week 2016 (the 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)), June 27-30, 2016, Toyama, MoP-ISCS-015.
著者; T. Oishi, N. Kawano, and M. Kasu - ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製; 2016年05月
発表情報; 電子情報通信学会研究会, ED2016-18, 2016年5月20日, 25-28
著者; 河野直士， 嘉数 誠， 大石敏之 - Si基板中キャリアの温度依存特性を考慮したGaN-on-Siのモデリング; 2016年03月
発表情報; 2016年電子情報通信学会総合大会, 2016年3月15日,九州大学 C-10-5.
著者; 山口裕太郎、新庄真太郎，半谷政毅、山中宏治、大石敏之 - ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製; 2016年03月
発表情報; 第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日、東工大、20p-P9-20 .
著者; 河野直士，大石敏之，嘉数誠 - 効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案; 2016年03月
発表情報; 第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大、20p-P9-19.
著者; 大石敏之，河野直士，嘉数誠 - 高濃度Snドープβ-Ga2O3(2-01)単結晶の温度特性の検討; 2016年03月
発表情報; 第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大、20p-P9-18.
著者; 大石敏之，嘉数誠 - β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード素子特性の分布; 2016年03月
発表情報; 第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月21日，東工大、21a-S222-8.
著者; 嘉数誠，原田和也，花田賢志、大石敏之 - ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製; 2016年03月
発表情報; 第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月21日，東工大、22p-W541-6.
著者; 嘉数誠，原田和也，古賀優太、花田賢志、大石敏之 - Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-Grown Sn-doped β-Ga2O3 (201) single-crystals; 2015年11月
発表情報; International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, Nov. 4-6 , Kyoto, E28., 2015, Nov. 4-6 , Kyoto, E28.
著者; Y.Koga, K.Harada, K.Hanada, T.Oishi, and M.Kasu - NO2吸着ダイヤモンドFETデバイスモデルの提案; 2015年09月
発表情報; 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2015年9月8日、東北大学 C-10-2., C-10-2
著者; 大石敏之、岸川拓也、吉川大地、古賀優太、嘉数誠 - 複数のトラップを考慮したGaN HEMTの大信号モデル; 2015年09月
発表情報; 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2015年9月9日、東北大学 C-2-11., C-2-11
著者; 山口裕太郎、桑田英悟、山中宏治、大石敏之 - Snドープβ-Ga2O3(2-01)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製; 2015年09月
発表情報; 第76回応用物理学会秋季学術講演会、2015年9月15日、名古屋国際会議場、15p-1B-3., 15p-1B-3
著者; 古賀優太、原田和也、花田賢志、大石敏之、嘉数誠 - NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製; 2015年09月
発表情報; 第76回応用物理学会秋季学術講演会、2015年9月16日、名古屋国際会議場、16p-4C-4., 16p-4C-4
著者; 古賀優太、原田和也、花田賢志、大石敏之、嘉数誠 - Study of two dimensional effects in forward characteristics of GaN Schottky barrier diodes by using patterns with two different sizes; 2015年08月
発表情報; 11th Topical workshop on heterostructure microelectronics (TWHM 2015), Aug. 23-26, 2015, Takayama, 8-7., Aug. 23-26, 2015, Takayama, 8-7.
著者; D.Yoshikawa, T.Oishi, S.Yamaguchi, Y.Yamaguchi, K.Yamanaka - Analysis for forward characteristics of GaN Schottky barrier diodes using floating electrodes; 2015年08月
発表情報; 11th Topical workshop on heterostructure microelectronics (TWHM 2015), Aug. 23-26, 2015, Takayama, 8-8., Aug. 23-26, 2015, Takayama, 8-8.
著者; S.Yamaguchi, D.Yoshikawa, Y.Yamaguchi, K.Yamanaka, T.Oishi, - Simulation study of NO2-exposed H-terminated diamond FETs with Al2O3 insulator gate; 2015年06月
発表情報; The 2015 international Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), June 4-5 2015, Kyoto, PA-01.
著者; T.Oishi, R.Higashi, K.Harada, K.Hirama, and M.Kasu - 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製; 2015年05月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2015-22、2015年5月28日, pp.31-34., ED2015-22, 31-34
著者; 古賀優太、原田和也、花田賢志、大石敏之、嘉数誠 - 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析; 2015年05月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2015-23、2015年5月28日, pp.35-40., ED2015-23, 35-40
著者; 山口修造、大石敏之、山口裕太郎、山中宏治 - Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション; 2015年05月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2015-24、2015年5月28日, pp.41-44., ED2015-24, 41-44
著者; 大石敏之、東竜太郎、原田和也、古賀優太、平間一行、嘉数誠 - 高移動度β-Ga2O3単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製; 2015年03月
発表情報; 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月12日、 東海大学 12a-D10-6, 12a-D10-6
著者; 古賀 優太、原田 和也、大石 敏之、嘉数 誠 - GaNショットキーバリアダイオードの順方向特性におけるアノード電極端効果; 2015年03月
発表情報; 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月12日、 東海大学 12a-A21-6, 12a-A21-6
著者; 吉川 大地、山口 裕太郎、山中 宏治、大石 敏之 - 三端子構造を用いたGaNショットキーバリアダイオードの寄生抵抗解析; 2015年03月
発表情報; 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月12日、 東海大学 12a-A21-7, 12a-A21-7
著者; 山口 修造、山口 裕太郎、山中 宏治、大石 敏之 - 低周波インピーダンス測定によるGaN HEMTのトラップモデリング; 2015年03月
発表情報; 2015年第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月12日、 東海大学 12p-A21-8, 12p-A21-8
著者; 山口 裕太郎、大塚 浩志、小山 英寿、加茂 宣卓、南條 拓真、山中 宏治、大石 敏之 - 過渡応答測定とTCADによるGaN HEMTのトラップモデリング; 2015年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2014-129, MW2014-193、2015年1月8日, pp.71-76, ED2014-129, MW2014-193, 71
著者; 山口裕太郎、南條拓真、小山英寿、加茂宣卓、山中宏治、大石敏之 - GaN High Electron Mobility Transistorのゲート長依存性の検討; 2014年12月
発表情報; 2014年応用物理学会九州支部学術講演会 2014年12月6日、大分大学、6Ba-9
著者; 中野 浩希、東 竜太郎、山口 修造、吉川 大地、大石 敏之 - Ni/Auを用いたβ-Ga2O3のショットキーバリアダイオードの作成; 2014年12月
発表情報; 2014年応用物理学会九州支部学術講演会 2014年12月6日、大分大学、6Ap-4
著者; 古賀 優太、原田 和也、大石 敏之、嘉数 誠 - 三端子構造を用いたGaN SBDの順方向特性解析; 2014年12月
発表情報; 2014年応用物理学会九州支部学術講演会 2014年12月6日、大分大学、6Ba-8
著者; 山口 修造、東 竜太郎、中野 浩希、吉川 大地、大石 敏之 - Modeling of Frequency Dispersion at Low Frequency for GaN HEMT; 2014年11月
発表情報; 2014 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2014), Nov. 6, 2014, Sendai, Japan. TH1G-24
著者; Y. Yamaguchi, T. Oishi, H. Otsuka, T. Nanjo, H. Koyama, Y. Kamo, and K. Yamanaka - Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges; 2014年10月
発表情報; 2014 Europian Microwave Conference (EuMW2014), Oct. 6 2014, Roma, Italy. EuMIC09-03
著者; M.Kasu and T.Oishi - ダイヤモンドMOSFET のゲート容量の周波数依存性; 2014年09月
発表情報; 2014年秋季第61回応用物理学会学術講演会 2014年9月18日、 北海道大学 18p-A22-15
著者; 原田 和也、平間 一行、大石 敏之、嘉数 誠 - Decrease in On-State Gate Current of AlGaN/GaN HEMTs by Recombination-Enhanced Defect Reaction of Generated Hot Carriers; 2014年05月
発表情報; Reliability of compound semiconductors (ROCS2014), May 19, 2014, Colorado, USA. Session III Part 2
著者; H.Sasaki, K.Kadoiwa, H.Koyama, Y.Kamo, Y.Yamamoto, T.Oishi, K.Hayashi and K.H.Teo - GaN HEMTの過渡応答バイアス依存性によるトラップ解析; 2014年03月
発表情報; 2014年春季第61回応用物理学会学術講演会 2014年3月18日、 青山学院大学 18p-PG3-11.
著者; 山口裕太郎，大石敏之，大塚浩志，山中宏治，Teo Koon Hoo，宮本恭幸 - GaNショットキーバリアダイオードの温度依存性モデル; 2014年03月
発表情報; 2014年春季第61回応用物理学会学術講演会 2014年3月18日、 青山学院大学 19p-D8-6.
著者; 大石敏之，山口裕太郎，大塚浩志，山中宏治，野上洋一，福本宏，宮本恭幸 - Decrease in On-State Gate Current of AlGaN/GaN HEMTs by Recombination-Enhanced Defect Reaction of Generated Hot Carriers; 2014年
発表情報; Reliability of compound semiconductors (ROCS2014), May 19, 2014, Colorado, USA. Session III Part 2., Session III Part 2, Session III Part 2
著者; H.Sasaki, K.Kadoiwa, H.Koyama, Y.Kamo, Y.Yamamoto, T.Oishi, K.Hayashi and K.H.Teo - Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges; 2014年
発表情報; 2014 Europian Microwave Conference (EuMW2014), Oct. 6 2014, Roma, Italy. EuMIC09-03., EuMIC09-03
著者; M.Kasu and T.Oishi - Modeling of Frequency Dispersion at Low Frequency for GaN HEMT; 2014年
発表情報; 2014 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC2014), Nov. 6, 2014, Sendai, Japan. TH1G-24., TH1G-24.
著者; Y. Yamaguchi, T. Oishi, H. Otsuka, T. Nanjo, H. Koyama, Y. Kamo, and K. Yamanaka -
Analysis on trade-off between drain resistance and drain-source capacitance of source field plate GaN HEMT; 2013年09月
発表情報; Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), September 24-27, 2013, Fukuoka, Japan, J-6-3.
著者; Y.Yamaguchi, K.Hayashi, T.Oishi, H.Otsuka, K.Yamanaka, and Y.Miyamoto -
An Improved Raab Method Taking Account of the Effects of Cutoff Frequency and Parastic Components; 2013年09月
発表情報; 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013), Sept 2-5, 2013, Hakodate, Japan, 3-3.
著者; H.Otsuka, T. Oishi, Y. Yamaguchi, K. Hayashi, T. Nanjo, K. Yamanaka, M. Nakayama, and I. Angelov -
Simulation study of gate leakage current under three-terminal operation for AlGaN/GaN HEMTs; 2013年09月
発表情報; 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013), Sept 2-5, 2013, Hakodate, Japan, 4-3.
著者; T.Oishi, K.Hayashi, H.Sasaki, Y.Yamaguchi, K.H.Teo, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama and Y.Miyamoto - 5.8GHz 帯シングル-シャント形GaN HEMT 整流器の試作; 2013年09月
発表情報; 2013年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2013年9月17日, 福岡工業大学 C-2-23
著者; 田中俊行，津留正臣，加茂宣卓，大石敏之，谷口英司 - ソースフィールドプレートGaN HEMTのドレインソース間容量とドレイン抵抗のトレードオフの解析; 2013年09月
発表情報; 2013年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2013年9月17日, 福岡工業大学 C-10-1.
著者; 山口裕太郎，林一夫，大石敏之，大塚浩志，山中宏治，宮本恭幸 - 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際; 2013年09月
発表情報; 2013年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2013年9月18日, 福岡工業大学 CS-3-2.
著者; 大塚浩志，大石敏之，内田浩光，山中宏治，中山正敏 - 過渡応答測定とTCADによるGaN HEMTのバッファトラップの解析; 2013年09月
発表情報; 2014年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2013年9月24日, 徳島大学 C-10-5
著者; 山口裕太郎，大石敏之，大塚浩志，南條拓真，小山英寿，加茂宣卓，山中宏治 - Design of enhancement mode single-gate and double-gate multi-channel GaN HEMT with vertical polarity inversion heterostructure; 2013年05月
発表情報; The 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2013), May 26-30, Kanazawa, Japan, WB-P10.
著者; P.Feng, K.H.Teo, T.Oishi, K.Yamanaka, and R.Ma - 波形整形理論に基づくGaN HEMT設計手法の提案; 2013年03月
発表情報; 2013年電子情報通信学会総合大会, 2013年3月21日, 岐阜大学 C-10-6.
著者; 大塚浩志，大石敏之，小坂尚希，山中宏治，中山正敏 - デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN HEMTのドレインリーク解析; 2013年03月
発表情報; 2013年春季第60回応用物理学会学術講演会 2013年3月29日、 神奈川工科大学 29p-PA2-9.
著者; 大石敏之，林一夫，加茂宣卓，山口裕太郎，大塚浩志，山中宏治，中山正敏，宮本恭幸 - Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs; 2012年10月
発表情報; IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS2012), October 14-17, California, session L.2.
著者; Y.Yamaguchi, K.Hayashi, T.Oishi, H.Otsuka, T.Nanjo, K.Yamanaka, M.Nakayama, and Y.Miyamoto - Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation; 2012年09月
発表情報; Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), September 25-27, 2012, Kyoto, Japan, pp.214-215.
著者; Y.Yamaguchi, K.Hayashi, T.Oishi, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama, and Y.Miyamoto - Mechanism study of gate leakage current for AlGaN/GaN HEMT structure under high reverse bias by TSB model and TCAD simulation; 2012年09月
発表情報; Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), September 25-27, 2012, Kyoto, Japan, pp.907-908.
著者; T.Oishi, K.Hayashi, Y.Yamaguchi, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama, and Y.Miyamoto - GaN HEMTを用いた5.8GHz帯シングル-シャント型整流器の設計; 2012年09月
発表情報; 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2012年9月11日, 富山大学 C-2-10.
著者; 田中俊行，津留正臣，加茂宣卓，大石敏之，谷口英司 - トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル; 2012年09月
発表情報; 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2012年9月12日, 富山大学 C-2-29.
著者; 大塚浩志，大石敏之，小坂尚希，山中宏治，中山正敏，平野嘉仁 - トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析; 2012年09月
発表情報; 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2012年9月11日, 富山大学 C-10-4.
著者; 大石敏之，林一夫，佐々木肇，山口裕太郎，大塚浩志，山中宏治，中山正敏，宮本恭幸 - GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析; 2012年09月
発表情報; 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2012年9月11日, 富山大学 C-10-5.
著者; 山口裕太郎，林一夫，大石敏之，大塚浩志，小山英寿，加茂宣卓，山中宏治，中山正敏、宮本恭幸 - GaN-HEMTノーマリーオフ化のためのしきい値電圧制御に関する研究; 2012年09月
発表情報; 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月14日、 松山大学 11a-PA5-8.
著者; 大澤一斗，富岡 寛，金澤 徹，宮本恭幸，大石敏之 - C帯高効率GaN HEMT発振器; 2012年03月
発表情報; 2012年電子情報通信学会総合大会, 2012年3月22日, 岡山大学C-2-12.
著者; 大塚浩志，大石敏之，山中宏治，中山正敏 - デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析; 2012年03月
発表情報; 2012年電子情報通信学会総合大会, 2012年3月22日, 岡山大学C-10-2.
著者; 山口裕太郎，大石敏之，大塚浩志，山中宏治，南條拓真，中山正敏，平野嘉仁，宮本恭幸 - GaN HEMT のソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析; 2012年03月
発表情報; 2012年電子情報通信学会総合大会, 2012年3月22日, 岡山大学C-10-3.
著者; 大石敏之，大塚浩志，山中宏治，中山正敏，平野嘉仁，宮本恭幸 - 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討; 2012年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2012-121, MW2012-151、2012年1月18日, pp.49-52.
著者; 山口裕太郎、大石敏之、吉岡貴章、小山英寿、鮫島文典、津山祥紀、山中宏治 - AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析; 2012年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2012-125, MW2012-155、2012年1月18日, pp.69-74.
著者; 林一夫、大石敏之、加茂宣卓、山口裕太郎、大塚浩志、山中宏治、中山正敏，宮本 恭幸 - 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討; 2012年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2012-121, MW2012-151、2012年1月18日, pp.49-52.
著者; 山口裕太郎，大石敏之，吉岡貴章，小山英寿，鮫島文典，津山祥紀，山中宏治 - AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析; 2012年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2012-125, MW2012-155、2012年1月18日, pp.69-74.
著者; 林一夫，大石敏之，加茂宣卓，山口裕太郎，大塚浩志，山中宏治，中山正敏，宮本 恭幸 - Design and simulation of enhancement-mode N-polar GaN single-channel and dual-channel MIS-HEMTs; 2011年12月
発表情報; 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS2011), December 7-9, 2011, Maryland, FA6-04.
著者; P.Feng, K.H.Teo, T.Oishi, M.Nakayama, C.Duan, J.Zhang - 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析; 2011年09月
発表情報; 2012年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2011年9月13日, 北海道大学 C-10-7.
著者; 大石敏之，大塚浩志，山中宏治，中山正敏，平野嘉仁，宮本恭幸 - GaN HEMTにおけるゲートリークの解析; 2011年03月
発表情報; 2011年春季第58回応用物理学会学術講演会 2011年3月29日、 神奈川工科大学 27a-P9-1.
著者; 大石敏之，大塚浩志，山中宏治，國井徹郎，南條拓真，中山正敏，平野嘉仁，宮本恭幸 - 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算; 2010年09月
発表情報; 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2010年9月14日, 大阪府立大学 C-2-23.
著者; 大塚浩志，大石敏之，山中宏治，井上 晃，平野嘉仁，Angelov Icho - 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案; 2010年09月
発表情報; 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2010年9月14日, 大阪府立大学 C-10-7.
著者; 大石敏之，大塚浩志，山中宏治，中山正敏，平野嘉仁，Ilcho Angelov - Semi-physical nonlinear model for HEMTs with simple equations; 2010年04月
発表情報; 2010 Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeter-Wave Circuits (INMMIC2010), April 26-27, 2010, Goteborg, Sweden, pp.20-23.
著者; T.Oishi, H.Otsuka, K.Yamanaka, A.Inoue, Y.Hirano and I.Angelov - GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案; 2010年03月
発表情報; 2011年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月19日, 東北大学C-2-33.
著者; 大石敏之，大塚浩志，山中宏治，井上 晃，平野嘉仁，Ilcho Angelov - SiC基板上 AlGaNチャネル HEMTにおけるドレイン電流の向上; 2009年09月
発表情報; 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会2009年9月8日 富山大 8p-TC-10.
著者; 南條拓真，今井章文，吹田宗義，阿部雄次，大石敏之，柳生栄治，蔵田哲之，徳田安紀 - 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル; 2009年09月
発表情報; 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2009年9月17日, 新潟大学 C-2-38.
著者; 山中宏治，能登一二三，大塚浩志，井上 晃，大石敏之，Thorsell Mattias，Andersson Kristoffer，Angelov Iltcho - GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析; 2009年09月
発表情報; 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2009年9月17日, 新潟大学 C-10-4.
著者; 大石敏之，大塚浩志，山中宏治，加茂宣卓，井上 晃，柳生栄治，平野嘉仁，宮本恭幸 - Si注入ドーピングを適用したAlGaN/AlN/GaN HEMTにおけるドレイン電流の向上; 2009年04月
発表情報; 2009年春季 第56回応用物理学会学術講演会2009年4月1日 筑波大 1a-TG-9.
著者; 南條拓真，今井章文，吹田宗義，阿部雄次，大石敏之，柳生栄治，吉新喜市，徳田安紀 - Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT; 2009年03月
発表情報; 電気学会 電子デバイス研究会 EDD-09-48, 2009年3月10日、pp.77-81.
著者; 南條拓真、吹田宗義、今井章文、阿部雄次、大石敏之、柳生栄治、吉新喜市、徳田安紀 - Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT; 2009年03月
発表情報; 電気学会 電子デバイス研究会 EDD-09-48, 2009年3月10日、pp.77-81.
著者; 南條拓真、吹田宗義、今井章文、阿部雄次、大石敏之、柳生栄治、吉新喜市、徳田安紀 - Si注入ドーピングしたAlGaN/GaNに対するAlフリーオーミック電極; 2009年03月
発表情報; 2009年春季 第56回応用物理学会学術講演会2009年3月30日 筑波大 30p-ZG-12.
著者; 今井章文，南條拓真，吹田宗義，阿部雄次，大石敏之，柳生栄治，吉新喜市 - AlGaNチャネルHEMTにおける2次元電子ガス濃度のエピ構造依存性; 2008年09月
発表情報; 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会2008年9月5日 中部大 5a-P16-19.
著者; 南條拓真，武内道一，吹田宗義，阿部雄次，大石敏之，徳田安紀，吉新喜一，青柳克信 - AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上; 2008年03月
発表情報; 電気学会 電子デバイス研究会 EDD-08-36, 2008年3月6日、pp.1-5.
著者; 南條拓真、吹田宗義、阿部雄次、大石敏之、徳田安紀、 武内道一、青柳克信 - AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上; 2008年03月
発表情報; 電気学会 電子デバイス研究会 EDD-08-36, 2008年3月6日、pp.1-5.
著者; 南條拓真、吹田宗義、阿部雄次、大石敏之、徳田安紀、 武内道一、青柳克信 - AlGaNチャネルHEMTにおける残留キャリアのバッファ層構造依存性; 2008年03月
発表情報; 2008年春季 第55回応用物理学会学術講演会2008年3月29日 日大 29p-D-15
著者; 南條拓真，武内道一，吹田宗義，阿部雄次，大石敏之，徳田安紀，青柳克信 - AlGaN チャネルHEMT におけるドレイン耐圧の向上; 2008年03月
発表情報; 2008年春季 第55回応用物理学会学術講演会2008年3月29日 日大 29p-D-16.
著者; 南條拓真，武内道一，吹田宗義，阿部雄次，大石敏之，徳田安紀，青柳克信 - Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel HEMTs; 2007年12月
発表情報; Technical Digest of 2007 International Electron Devices Meeting (IEDM2007), December 10-12, 2007, Washington DC, pp.397-400.
著者; T.Nanjo, M.Takeuchi, M.Suita, Y.Abe, T.Oishi, Y.Tokuda, and Y.Aoyagi - First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors with Sufficiently Low Resistive Source/Drain Contact formed by Si Ion Implantation; 2007年09月
発表情報; Extended Abstracts of the 2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007), September 18-21, 2007, Tsukuba, Japan, pp.164-165.
著者; T.Nanjo, M.Takeuchi, M.Suita, Y.Abe, T.Oishi, Y.Tokuda, and Y.Aoyagi - Ion implantation doping for AlGaN/GaN HEMTs; 2005年08月
発表情報; The 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS2005), Aug. 28- Sep. 2, 2005, Bremen Germany, Th-P-011.
著者; M.Suita, T.Nanjo, T.Oishi, Y.Abe, K.Marumoto - A C-Band AlGaN/GaN HEMT with Cat-CVD SiN Passivation Developed for an Over 100 W Operation; 2005年06月
発表情報; IEEE MTT-S 2005 International Microwave Symposium (IMS2005), June 12-17, 2005, Long Beach California, WE1E-4.
著者; Y. Kamo, T. Kunii, H. Takeuchi, Y. Yamamoto, M. Totsuka, T. Shiga, H. Minami, T. Kitano, S. Miyakuni, T. Oku, A. Inoue, T. Nanjo, H. Chiba, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, Y. Tsuyama, R. Shirahana, H. Ohtsuka, K. Iyomasa, K. Yamanaka, M. Hieda, M. Nakayama, T. Ishikawa, T. Takagi, K. Marumoto and Y. Matsuda - Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT; 2005年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2004-216, MW2004-23、2005年1月17日, pp.25-30.
著者; 國井徹朗、戸塚正裕、加茂宣卓、山本佳嗣、竹内日出雄、島田好治、志賀俊彦、巳浪裕之、北野俊明、宮国晋一、中塚茂典、井上晃、奥友希、南條拓真、大石敏之 -
A High Reliability GaN HEMT with SiN Passivation by Cat-CVD; 2004年10月
発表情報; Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS 2004), Oct. 24-27, Monterey California, pp.197-200.
著者; T.Kunii, M.Totsuka, Y.Kamo, Y.Yamanoto, H.Takeuchi, Y.Shimada, T.Shiga, H.Minami, T.Kitano, S.Miyakuni, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Oku, T.Nanjo, T.Oishi, T.Ishikawa, and Y.Matsuda - Improvement of DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs by thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate; 2003年09月
発表情報; Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2003), September 16-18, 2003, Tokyo, Japan, pp.136-137.
著者; T.Nanjo, N.Miura, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Ishikawa, Y.Matsuda, H.Ishikawa, and T.Egawa - Improvement of Schottky characteristics by insertion of refractory metal into Ni/Au electrode on n-(Al)GaN with thermal annealing; 2003年06月
発表情報; Electronic Materials Conference (EMC2003), June 25-27, 2003, Utah, T7.
著者; N.Miura, T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, T.Egawa, T.Jinbo - n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性; 2003年
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2003-151, 2003年, pp.21-26.
著者; 南條拓真、三浦成久、大石敏之、吹田宗義、阿部雄次、尾関龍夫、石川博康、江川孝志、神保孝志 - AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZn注入; 2002年
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2002-212, CPM2002-103、2002年, pp.17-22.
著者; 大石敏之、三浦成久、吹田宗義、南條拓真、阿部雄次、尾関龍夫、石川博康、江川孝志、神保孝志 - Self-Aligned Pocket Implantation into Elevated Source,/Drain MOSFETs for Reduction of Junction Capacitance and Leakage Current; 2000年08月
発表情報; Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2000), August 29-31, 2000, Sendai, Japan, pp.52-53.
著者; N.Miura, Y.Abe, K.Sugihara, T.Oishi, T.Furukawa, T.Nakahara, K.Shiozawa, S.Maruno, and Y.Tokuda - サブ0.1μm CMOS技術 -エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に-; 2000年
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2000-1133, SDM2000-115, ICD2000-69、2000年, pp.65-72.
著者; 阿部雄次、杉原浩平、三浦成久、古川泰助、塩沢勝臣、佐山弘和、中畑匠、大石敏之、丸野茂光、徳田安紀 - Effect of <100> channel direction for high performance SCE immune pMOSFET with less than 0.15 μm gate length; 1999年12月
発表情報; Technical Digest of 1999 International Electron Devices Meeting (IEDM1999), December 5-8, 1999, Washington DC, pp.657-660.
著者; H.Sayama, Y.Nishida, H.Oda, T.Oishi, S.Shimizu, T.Kunikiyo, K.Sonoda, Y.Inoue, M.Iuishi - Low resistance Co-salicided 0.1 μm CMOS technology using selective Si growth; 1999年06月
発表情報; Digest of Technical Papers of Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp. 1999), June 14-16, 1999, Kyoto, pp.55-56.
著者; H.Sayama, S.Shimizu, Y.Nishida, T.Kuroi, Y.Kanda, M.Fujisawa, Y.Inoue, T.Nishimura, T.Oishi, T.Nakahara, T.Furukawa, D.Yamakawa, Y.Abe, S.Maruno, Y.Tokuda, S.Satoh - Noticeable enhancement of edge effect in short channel characteristics of trench-isolated MOSFETs; 1998年09月
発表情報; Extended Abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1998), September 7-10, 1998, Hiroshima, Japan, pp.86-87.
著者; T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe, and Y.Tokuda - Excellent electrical characteristics of ultra-fine trench isolation; 1997年05月
発表情報; Proceedings of the Sixth International Symposium on Ultralarge Scale Integration Science and Technology (ULSI Science and Technology/1997), May 4-9, 1997, Quebec, Canada, pp.479-489.
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, H.Maeda, T.Murakami, K.Yasumura, Y.Abe and Y.Tokuda - Electrical characteristics of ultra-fine trench isolation fabricated by a new two-step filling process; 1996年08月
発表情報; Extended Abstracts of the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1996), August 26-29, 1996, Yokohama, Japan, pp.419-421.
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, H.Maeda, T.Murakami, K.Yasumura, Y.Abe and Y.Tokuda - Giga-bit scale DRAM cell with new simple Ru/(Ba,Sr)TiO3/Ru stacked capacitors using X-ray lithography; 1995年12月
発表情報; Technical Digest of 1995 International Electron Devices Meeting (IEDM1995), December 10-13, 1995, Washington DC, pp.903-906.
著者; Y.Nishioka, K.Shiozawa, T.Oishi, K.Kanamoto, Y.Tokuda, H.Sumitani, S.Aya, H.Yabe, K.Itoga, T.Hifumi, K.Marumoto, T.Kuroiwa, T.Kawahara, K.Nishikawa, T.Oomori, T.Fujino, S.Yamamoto, S.Uzawa, M.Kimata, M.Nunoshita and H.Abe - In-Plane Orientation and Coincidence Site Lattice Relation of Bi2Sr2CaCu2Ox Thin Films Formed on Highly Mismatched (001) YAG Substrates; 1993年08月
発表情報; Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1993), August 29-Sept. 29, 1993, Chiba, Japan, pp.775-777.
著者; M.Kataoka, K.Kuroda, T.Takami, T.Oishi, J.Tanimura, T.Ogama, and K.Kojima - Dry etching of BiSrCaCuO superconducting thin films using argon and ethane; 1992年11月
発表情報; Proceedings of the 5th International symposium on superconductivity (ISS '92), November 16-19, 1992, Kobe, Japan, pp.1029-1032.
著者; T.Oishi, T.Takami, K.Kojima, K.Kuroda, and O.Wada - A novel InGaAsP/InP bistable-bipolar transistor; 1990年09月
発表情報; Int. Symp. GaAs and related compounds, Inst. Phys. Conf. Ser. No.112. Chapter 7 , September 24-27, 1990, Jersey, England, pp.503-508.
著者; T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, and Y.Nomura - 微分負性抵抗特性を示すヘテロ接合バイポーラトランジスタ; 1990年05月
発表情報; 電気学会 計測研究会資料 IM-90-17, 1990年5月30日, pp.21-28.
著者; 大石敏之、阿部雄次、杉本博司、野村良徳 - エタン・水素混合ガスを用いたRIEによりエッチングしたInPのAES,PL評価; 1989年09月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED89-72, 1989年9月18日, pp.57-62.
著者; 松井輝仁、大塚健一 、杉本博司、阿部雄次、大石敏之 - 開管法によるInP, InGaAsへのZn拡散; 1989年09月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED89-73, 1989年9月18日, pp.63-69.
著者; 大石敏之、大塚健一、阿部雄次、杉本博司、松井輝仁 - C2H6/H2 RIEにより端面形成した1.5μm帯InGaAs/InPレーザ; 1989年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED88-135, MW88-86, EDD-89-15, 1989年1月19日, pp.93-99.
著者; 松井輝仁、杉本博司、大石敏之、阿部雄次、大塚健一 - 多層ベースInGaAsP/InP HBT; 1988年11月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED88-112, CPM88-87, 1988年11月10日, pp.75-81.
著者; 大石敏之、大塚健一、杉本博司、阿部雄次、松井輝仁 - Novel fabrication methods of gratings for DFB lasers using ECR-CVD SiNx films; 1988年09月
発表情報; Fourteenth European Conference on Optical Communication (ECOC 1988), September 11-15, 1988, Glasgow, Scotland, pp.376-379.
著者; S.Sugimoto, Y.Abe, K.Ohtsuka, T.Ohishi, T.Matui, H.Ogata - C2H6/H2ガスを用いたRIEによる化合物半導体のエッチング特性; 1988年09月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED88-83, 1988年9月22日, pp.35-40.
著者; 松井輝仁、杉本博司、大石敏之、尾形仁士 - Silicon nitride films by plasma-CVD from SiH4-N2 and SiF4-N2-H gas mixtures; 1984年12月
発表情報; Technical Digest of 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM1984), December 9-12, 1984, San Francisco, pp.630-633.
著者; Sz.Fujita, N-S.Zhou, H.Toyoshima, T.Ohishi, A.Sasaki - SiF4-N2-H2系プラズマCVDシリコン窒化膜の作製および電気的特性; 1984年03月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 SSD83-149、1984年3月6日, pp.49-54.
著者; 豊島秀雄、大石敏之、藤田静雄、佐々木昭夫
知的財産権の出願等（著作権は除く）
- 窒化物半導体装置およびその製造方法; 2013年07月
発表情報; 第530413号，2013年7月5日登録．
著者; 吹田宗義，南條拓真，今井章文，大石敏之，阿部雄次 - Semiconductor device and manufacturing method thereof; 2012年04月
発表情報; 第US8247844 B2号，2012年4月21日登録．
著者; T.Oishi, Y.Yamamoto, H.Otsuka, K.Yamanaka, A.Inoue - 半導体装置の製造方法; 2012年03月
発表情報; 第4954039号，2012年3月23日登録．
著者; 大塚健一，樽井陽一郎，鈴木洋介，塩沢勝臣，金本恭三，大石敏之，徳田安紀，大森達夫 - 窒化物半導体装置の製造方法; 2011年12月
発表情報; 第4884866号，2011年12月16日登録．
著者; 金本恭三，塩沢勝臣，川崎和重，佐久間仁，堀江淳一，志賀俊彦，大石敏之 - Nitride semiconductor heterojunction field effect transistor having wide band gap barrier layer that includes high concentration impurity region; 2011年10月
発表情報; 第US8035130 B2号，2011年10月11日登録．
著者; T.Nanjo, M.Suita, Y.Abe, T.Oishi, Y.Tokuda - 窒化物半導体装置およびその製造方法; 2011年06月
発表情報; 第4761718号，2011年6月17日登録．
著者; 塩沢勝臣，大石敏之，吹田宗義，南條拓真，阿部雄次 - Nitride semiconductor device including an electrode in ohmic contact with a p-type nitride semiconductor contact layer; 2011年05月
発表情報; 第US 7939943 B2号，2011年5月10日登録．
著者; K.Shiozawa, K.Kanamoto, T.Oishi, H.Kurokawa, K.Ohtsuka, Y.Tarui, Y.Tokuda - Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same; 2010年11月
発表情報; 第US 7842962 B2号，2010年11月30日登録．
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, K.Kawasaki, Y.Abe - Nitride semiconductor device and manufacturing method the same; 2010年09月
発表情報; 第US 7791097 B2号，2010年9月7日登録．
著者; K.Kanamoto, K.Shiozawa, K.Kawasaki, H.Sakuma, J.Horie, T.Shiga, T.Oishi - Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same; 2010年05月
発表情報; 第US 7714439 B2号，2010年5月11日登録．
著者; K.Shiozawa, H.Sakuma, K.Kawasaki, T.Shiga, T.Oishi - 窒化物半導体装置およびその製造方法; 2010年03月
発表情報; 第4476105号，2010年3月19日登録．
著者; 塩沢勝臣，大石敏之，川崎和重，阿部雄次 - Method of manufacturing semiconductor device including gallium-nitride semiconductor structure and a palladuim contact; 2010年03月
発表情報; 第US 7678597 B2号，2010年3月16日登録．
著者; K.Otuska, Y.Tarui, Y.Suzuki, K.Shiozawa, K.Kanamoto, T.Oishi, Y.Tokuda, T.Omori - 窒化物半導体装置の製造方法; 2009年10月
発表情報; 第4379208号，2009年10月2日登録．
著者; 塩沢勝臣，大石敏之，川崎和重，川津善平，阿部雄次 - 半導体装置およびその製造方法; 2008年07月
発表情報; 第4154960号，2008年7月18日登録．
著者; 大石敏之，三浦成久，阿部雄次，吹田宗義，南條拓真 - Method of manufacturing nitride semiconductor device; 2008年05月
発表情報; 第US 7378351 B2号，2008年5月27日登録．
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, K.Kawasaki, Z.Kawazu, Y.Abe - 半導体装置の製造方法; 2008年04月
発表情報; 第4104891号，2008年4月4日登録．
著者; 吹田宗義，南條拓真，高見哲也，大石敏之，三浦成久，阿部雄次 - 半導体レーザ装置; 2004年03月
発表情報; 第3535201号，2004年3月19日登録．
著者; 杉本博司，後藤田光伸，井須俊郎，阿部雄次，大塚健一，大石敏之 - Semiconductor device; 2003年10月
発表情報; 第US 6633070 B2号，2003年10月14日登録．
著者; N.Miura, T.Oishi, Y.Abe, K.Sugihara - Semiconductor device and manufacturing method thereof; 2003年10月
発表情報; 第US 6635938 B1号，2003年10月21日登録．
著者; T.Nakahata, S.Maruno, T.Furukawa, N.Miura, T.Oishi, Y.Tokuda - Semiconductor device with sidewall spacers and elevated source/drain region; 2003年09月
発表情報; 第US 6617654 B2号，2003年9月9日登録．
著者; T.Oishi, K.Sugihara, N.Miura, Y.Abe, Y.Tokuda - Method of making field effect transistor in which the increase of parasitic capacitance is restrained by scale reduction; 2003年09月
発表情報; 第US 6624034 B2号，2003年9月23日登録．
著者; Y.Abe, N.Miura, K.Sugihara, T.Oishi, Y.Tokuda - Semiconductor device; 2003年07月
発表情報; 第US 6600195 B1号，2003年7月29日登録．
著者; Y.Nishida, H.Sayama, H.Oda, T.Oishi - Semiconductor device and manufacturing method; 2003年06月
発表情報; 第US6506651 B2号，2003年6月14日登録．
著者; H.Sayama, H.Oda, Y.Nishida,T.Oishi - Semiconductor device; 2003年05月
発表情報; 第US 6566734 B2号，2003年5月20日登録．
著者; K.Sugihara, T.Oishi, N.Miura, Y.Abe, Y.Tokuda - Semiconductor device and manufacturing method thereof; 2003年02月
発表情報; 第US 6518635 B1号，2003年2月11日登録．
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, Y.Abe - Semiconductor device manufacturing method; 2002年06月
発表情報; 第US 6335252 B1号，2002年6月1日登録．
著者; T.Oishi, Y.Nshida, H.Sayama, H.Oda - トレンチ分離構造の最適化方法; 2002年05月
発表情報; 第3313024号，2002年5月31日登録．
著者; 村上隆昭，安村賢二，大石敏之，塩沢勝臣 - Method of manufacturing semiconductor device; 2002年02月
発表情報; 第US 6344388 B1号，2002年2月5日登録．
著者; T.Oishi, Y.Nishida, H.Sayama - レーザ薄膜形成装置; 2001年11月
発表情報; 第3255469号，2001年11月30日登録．
著者; 春田健雄，斧高一，若田仁志，津田陸，斉藤善夫，難波敬典，児島一良，高見哲也，鈴木明弘，笹川智広，黒田研一，大石敏之，和田幸彦，古川彰彦，松井安次，結城昭正，川原考昭，矢部秀毅，古川泰助，吉瀬幸司，三上登，堀川剛，蒔田哲郎，倉本一雄，藤野直彦，黒木洋志，小蒲哲夫，谷村純二 - Semiconductor device comprising trench isolation insulator film and method of fabricating the same; 2001年06月
発表情報; 第US 6245641 B1号，2001年6月12日登録．
著者; K.Shiozawa, T.Oishi, - 高温超電導薄膜のエッチング方法; 2000年10月
発表情報; 第3123236号，2000年10月27日登録．
著者; 大石敏之，吉田幸久，和田幸彦，高見哲也，児島一良，黒田研一 - Semiconductor device including trench isolation structure and a method of manufacturing thereof; 2000年07月
発表情報; 第6081662号，2000年7月27日登録．
著者; T.Murakami, K.Yasumura, T.Ohishi, K.Shiozawa - Thin film forming apparatus using laser; 2000年04月
発表情報; 第6110291号，2000年4月29日登録．
著者; K.Haruta, K.Ono, H.Wakata, M.Tsuda, Y.Saito, K.Nanba, K.Kojima, T.Takami, A.Suzuki, T.Sasagawa, K.Kuroda, T.Oishi, Y.Wada, A.Furukawa, Y.Matsui, A.Yuki, T.Kawahara, H.Yabe, T.Furukawa. K.Kise, N.Mikami, T.Horikawa, T.Makita, K.Kuramoto, N.Fujino, H.Kuroki, T.Ogama, J.Tanimura - 超電導体試料のエッチング方法; 1999年11月
発表情報; 第3005381号，1999年11月19日登録．
著者; 古川彰彦，大石敏之，和田幸彦，高見哲也，児島一良，黒田研一 - 半導体レーザ装置; 1999年04月
発表情報; 第2908111号，1999年4月2日登録．
著者; 大石敏之，大村悦司 - 回折格子製造方法; 1997年12月
発表情報; 第2730893号，1997年12月19日登録．
著者; 杉本博司，松井輝仁，大塚健一，阿部雄次，大石敏之 - 分布帰還型半導体レーザの製造方法; 1997年07月
発表情報; 第2669045号，1997年7月4日登録．
著者; 阿部雄次，大塚健一，杉本博司，大石敏之，松井輝仁 - Thin film forming apparatus using laser; 1997年04月
発表情報; 第5622567号，1997年4月22日登録．
著者; K.Kojima, T.Takami, K.Kuroda, T.Ohishi, Y.Wada, A.Furukawa - 半導体レーザの製造方法; 1997年03月
発表情報; 第2619057号，1997年3月11日登録．
著者; 阿部雄次，杉本博司，大塚健一，大石敏之，松井輝仁 - 分布帰還型半導体レーザ; 1997年02月
発表情報; 第2606838号，1997年2月13日登録．
著者; 阿部雄次，大塚健一，杉本博司，松井輝仁，大石敏之 - 半導体レーザおよびその使用方法; 1996年10月
発表情報; 第2099796号，1996年10月22日登録．
著者; 松井輝仁，徳田安紀，大塚健一，杉本博司，阿部雄次，大石敏之 - Process of producing diffraction grating; 1996年07月
発表情報; 第5540345号，1996年7月30日登録．
著者; H.Sugimoto, T.Matsui，K.Ohtsuka, Y.Abe, T.Ohishi, - 半導体レーザおよびその使用方法; 1996年06月
発表情報; 第2529260号，1996年6月14日登録．
著者; 松井輝仁，大塚健一，杉本博司，阿部雄次，大石敏之 - 半導体レーザおよびその使用方法; 1996年06月
発表情報; 第2526898号，1996年6月14日登録．
著者; 松井輝仁，大塚健一，杉本博司，阿部雄次，大石敏之 - 化合物半導体材料の加工方法; 1996年04月
発表情報; 第2512053号，1996年4月16日登録．
著者; 松井輝仁，杉本博司，大石敏之 - 半導体レーザの製造方法; 1995年
発表情報; 第1977445号，1995年10月17日登録．
著者; 阿部雄次，杉本博司，大塚健一，大石敏之，松井輝仁 - Process of producing diffraction grating; 1994年04月
発表情報; 第5300190号，1994年4月5日登録．
著者; H.Sugimoto, T.Matsui，K.Ohtsuka, Y.Abe, T.Ohishi - Heterojunction avalanche transistor; 1991年07月
発表情報; 第5036372号，1991年7月30日登録．
著者; T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, K.Ohisuka, T.Matsui - Semiconductor laser device; 1991年05月
発表情報; 第5020072号，1991年5月28日登録．
著者; Y.Abe, H.Sugimoto, K.Ohtsuka, T.Ohishi, T.Matsui
招待講演・特別講演（学会シンポジウム等での講演を含む）
- GaNトランジスタのモデリング技術; 2018年11月
発表情報; 2018 Microwave Workshops & Exhibition (MWE2018), パシフィコ横浜、2018年11月30日、ワークショップFR5B-3
著者; 山口 裕太郎、大塚 友絢、新庄 真太郎、大石 敏之 - スーパーワイドバンドギャップ半導体トランジスタの研究開発の現状; 2018年11月
発表情報; 2018 Microwave Workshops & Exhibition (MWE2018), パシフィコ横浜、2018年11月30日、ワークショップFR5B-2
著者; 大石 敏之 - Recent Progress of Diamond Devices for RF Applications; 2016年10月
発表情報; 38th IEEE COMPOUND SEMICONDUCTOR IC (CSIC) SYMPOSIUM, Oct. 23-26, 2016, Austin, Texas, Q.2.
著者; M. Kasu, T. Oishi - Diamond devices for RF applications; 2016年08月
発表情報; 2016 URSI Asia-Pacific Radio Science Conference (URSI AP-RASC), 21-25 Aug. 2016, Korea, S-D5-5, pp.828-830.
著者; M. Kasu, T. Oishi - 等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ―大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討―; 2016年01月
発表情報; 電子情報通信学会研究会 ED2015-116、2016年1月20日, pp.25-29., 25-29
著者; 大石敏之，嘉数誠 - 将来が期待される萌芽的デバイス –さらなる高出力高周波化に向けて-; 2015年09月
発表情報; 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2015年9月9日, 東北大学CT-1-7., CT-1-7
著者; 大石敏之、嘉数誠 - 回路設計のためのデバイスモデリング技術; 2014年12月
発表情報; 2014 Microwave Workshops & Exhibition (MWE2014) パシフィコ横浜、2014年12月11日、ワークショップ06-4
著者; 大石 敏之、山口 裕太郎、大塚 浩志 - TCADシミュレーションを用いたGaN HEMTの半物理的非線形回路モデル; 2013年09月
発表情報; 2013年電子情報通信学会 ソサイエティ大会 チュートリアルセッション (2013年9月19日，福岡)
著者; 大石敏之・大塚浩志・山中宏治・中山正敏 - デバイスと回路シミュレーションの連携によるGaN HEMTの 半物理的
非線形モデル; 2012年07月
発表情報; IEEE MTT-S Kansai Chapter「シミュレーション技術でマイクロ波を考えるワークショップ」(2012年7月28日，京都)
著者; 大石 敏之、大塚 浩志 - 「Compact equivalent circuits and table based FET models –Is there one winner for circuit designers and foundries ? 」(2011年6月6日，Baltimore, MD)
「Current and future demands for nonlinear modeling for microwave applications」（Additional speakerで講演）; 2011年06月
発表情報; 2011 IEEE MTT-S International microwave symposiumのワークショップ
著者; I.Angelov, T.Oishi - 窒化物半導体の高周波・高出力デバイス技術; 2005年09月
発表情報; 第210回電気材料技術懇談会(2005年9月26日，大阪)
著者; 大石敏之 - AlGaN/GaN HEMT with thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate; 2004年03月
発表情報; IEEE EDS Kansai Chapter「第4回関西コロキアム電子デバイスワークショップ」 (2004年3月9日，京都)
著者; T.Oishi, T.Nanjo,N.Miura, M. Suita,Y. Abe - LOCOS分離の限界とトレンチ分離の問題点; 1997年12月
発表情報; 半導体・集積回路技術第53回シンポジウム （1997年12月11日・12日，東京）
著者; 大石敏之、塩沢勝臣