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齊藤 勝彦サイトウ カツヒコ

所属:
シンクロトロン光応用研究センター

著書

  • 第2編 第7章 第6節 ZnTe基板とLEDへの応用; 2013年
    発表情報; 2013化合物半導体技術大全, 株式会社電子ジャーナル (2013).
    著者; 田中徹,斉藤勝彦, 西尾光弘,郭其新
  • Enhanced Efficiency of ZnTe-Based Green Light-Emitting Diodes; 2012年09月
    発表情報; Light-Emitting Diodes and Optoelectronics: New Research, Nova Science Publishers, Inc. New York (2012). ISBN: 978-1-62100-448-6.
    著者; T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, and M. Nishio

原著論文

  • Temperature-dependent raman scattering in cubic (InGa)2O3 thin films; 2017年01月
    発表情報; Journal of Alloys and Compounds, 690, 287-292
    著者; Xu Wang, Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  • Phase transformation of germanium by processing through high-pressure torsion: strain and temperature effects; 2017年01月
    発表情報; Philosophical Magazine Letters, 97, 1, 27-34
    著者; Yoshifumi Ikoma, Kazuki Kumano, Kaveh Edalati, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Zenji Horita
  • Structural properties of Eu doped gallium oxide films; 2017年
    発表情報; Materials Research Bulletin, 94, 170-173
    著者; K. Nishihagi, Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, Q. Guo
  • Growth and characterization of Zn1-xCdxTe1-yOy highly mismatched alloys for intermediate band solar cells; 2017年
    発表情報; Solar Energy Materials and Solar Cells, 169, 1-7
    著者; T. Tanaka, T. Terasawa, Y. Okano, S. Tsutsumi, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, W. Walukiewicz
  • Growth of ZnMgSeTe nearly lattice-matched to ZnTe and p-type doping by low-pressure MOVPE; 2017年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 468, 671-675
    著者; Saito, K., Nishio, M., Nakatsuru, Y., Shono, T., Matsuo, Y., Tomota, A., Tanaka, T., Guo, Q.X.
  • Photoluminescence and electrical properties of P-doped ZnTe layers grown by low pressure MOVPE; 2017年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 468, 666-670
    著者; Nishio, M., Saito, K., Nakatsuru, Y., Shono, T., Matsuo, Y., Tomota, A., Tanaka, T., Guo, Q.X.
  • Improved Open-Circuit Voltage and Photovoltaic Properties of ZnTeO-Based Intermediate Band Solar Cells With n-Type ZnS Layers; 2017年
    発表情報; IEEE Journal of Photovoltaics
    著者; Tanaka, T., Yu, K.M., Okano, Y., Tsutsumi, S., Haraguchi, S., Saito, K., Guo, Q., Nishio, M., Walukiewicz, W.
  • Efficient pure green emission from Er-doped Ga2O3 films; 2017年
    発表情報; CrystEngComm, 19, 31, 4448-4458
    著者; Chen, Z., Saito, K., Tanaka, T., Guo, Q.
  • 直接接合技術を用いたp-ZnTe/n-ZnOヘテロ接合界面の作製と電気特性評価; 2016年09月
    発表情報; 電気学会論文誌C, 136, 12, 1761-1766
    著者; 秋山 肇, 内海 淳, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 西尾 光弘, 郭 其新
  • Toward controlling the carrier density of Si doped Ga2O3 films by pulsed laser deposition; 2016年09月
    発表情報; Applied Physics Letters, 109, 10, 102105
    著者; Fabi Zhang , Makoto Arita , Xu Wang , Zhengwei Chen , Katsuhiko Saito , Tooru Tanaka , Mitsuhiro Nishio , Teruaki Motooka , Qixin Guo
  • Band alignment of Ga2O3/Si heterojunction interface measured by X-ray photoelectron spectroscopy; 2016年09月
    発表情報; Applied Physics Letters, 109, 10, 102106
    著者; Zhengwei Chen, Kazuo Nishihagi , Xu Wang , Katsuhiko Saito , Tooru Tanaka , Mitsuhiro Nishio , Makoto Arita , Qixin Guo
  • Observation of low voltage driven green emission from erbium doped Ga2O3 light-emitting devices; 2016年08月
    発表情報; Applied Physics Letters, 109, 2, 022107
    著者; Zhengwei Chen, Xu Wang , Fabi Zhang , Shinji Noda , Katsuhiko Saito , Tooru Tanaka , Mitsuhiro Nishio , Makoto Arita , Qixin Guo
  • Highly transparent conductive Ga doped ZnO films in the near-infrared wavelength range; 2016年07月
    発表情報; Journal of Materials Science: Materials in Electronic, 27, 9, 9291-9296
    著者; Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  • Influence of substrate temperature on the properties of (AlGa)2O3 thin films prepared by pulsed laser deposition; 2016年06月
    発表情報; Ceramics International, 42, 11, 12783-12788
    著者; Xu Wang, Zhengwei Chen, Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  • Temperature dependence of luminescence spectra in europium doped Ga2O3 film; 2016年04月
    発表情報; Journal of Luminescence, 177, 48-53
    著者; Zhengwei Chen, Xu Wang, Fabi Zhang, Shinji Noda, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  • Influence of source transport rate upon fractions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy; 2016年
    発表情報; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 13, 443-447
    著者; K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, Q. Guo, and M. Nishio
  • Low Pressure MOVPE Growth and Characterization of ZnTe Homoepitaxial Layers; 2016年
    発表情報; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 13, 439-442
    著者; M. Nishio, K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, and Q. Guo
  • The impact of growth temperature on the structural and optical properties of catalyst-Free β-Ga2O3 nanostructures; 2016年
    発表情報; Materials Research Express, 3, 2, 25003
    著者; Chen, Z., Wang, X., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.
  • Effects of dopant contents on structural, morphological and optical properties of Er doped Ga2O3 films; 2016年
    発表情報; Superlattices and Microstructures, 90, 207-214
    著者; Chen, Z., Wang, X., Noda, S., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Arita, M., Guo, Q.
  • Compositional dependence of optical transition energies in highly mismatched Zn1-xCdxTe1-yOy alloys; 2016年
    発表情報; Applied Physics Express, 9, 2, 21202
    著者; Tanaka, T., Mizoguchi, K., Terasawa, T., Okano, Y., Saito, K., Guo, Q., Nishio, M., Yu, K.M., Walukiewicz, W.
  • Temperature dependence of Raman scattering in β -(AlGa)2O3 thin films; 2016年
    発表情報; AIP Advances, 6, 1, 15111
    著者; Wang, X., Chen, Z., Zhang, F., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.
  • Cl-doping in highly mismatched ZnTe1-xOx alloys for intermediate band solar cells; 2016年
    発表情報; Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2016-November, 2830-2832
    著者; Tanaka, T., Tsutsumi, S., Okano, Y., Saito, K., Guo, Q., Nishio, M., Yu, K.M., Walukiewicz, W.
  • Compositions of Mg and Se, surface morphology, roughness and Raman property of Zn1-xMgxSeyTe1-y layers grown at various substrate temperatures or dopant transport rates by MOVPE; 2015年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 414, 114-118
    著者; M. Nishio, K. Saito, K. Urata, Y. Okamoto, D. Tanaka, Y. Araki, M. Abiru, E. Mori, T. Tanaka, Q. Guo
  • Lower temperature growth of single phase MgZnO films in all Mg content range; 2015年
    発表情報; Journal of Alloys and Compounds, 627, 383-387
    著者; X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo
  • Electrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition; 2015年
    発表情報; Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 26, 12, 9624-9629
    著者; Zhang, F., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Guo, Q.
  • Low temperature growth of europium doped Ga2O3 luminescent films; 2015年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 430, 28-33
    著者; Chen, Z., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Arita, M., Guo, Q.
  • Allotropic phase transformation and photoluminescence of germanium nanograins processed by high-pressure torsion; 2015年
    発表情報; Journal of Materials Science, 51, 1, 138-143
    著者; Ikoma, Y., Toyota, T., Ejiri, Y., Saito, K., Guo, Q., Horita, Z.
  • Energy band bowing parameter in MgZnO alloys; 2015年
    発表情報; Applied Physics Letters, 107, 2, 22111
    著者; Wang, X., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Nagaoka, T., Arita, M., Guo, Q.
  • Toward the understanding of annealing effects on (GaIn)2O3 films; 2015年
    発表情報; Thin Solid Films, 578, 1-6
    著者; Zhang, F., Jan, H., Saito, K., Tanaka, T., Nishio, M., Nagaoka, T., Arita, M., Guo, Q.
  • Structural and optical properties of Ga2O3 films on sapphire substrates by pulsed laser deposition; 2014年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 387, 96-100
    著者; F.B. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q.X. Guo
  • Growth of InGaN layers on (1 1 1) silicon substrates by reactive sputtering; 2014年
    発表情報; Journal of Alloys and Compounds, 587, 217-221
    著者; Q. Guo, T. Nakao, T. Ushijima, W. Shi, F. Liu, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio
  • Photogenerated Current By Two-Step Photon Excitation in ZnTeO Intermediate Band Solar Cells with n-ZnO Window Layer; 2014年
    発表情報; IEEE Journal of Photovoltaics, 4, 1, 196-201
    著者; T. Tanaka, M. Miyabara, Y. Nagao, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, W. Walukiewicz
  • Fabrication of ZnO/ZnTe heterojunction by using a Room Temperature Direct Bonding technology; 2014年
    発表情報; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 11, 1218-1220
    著者; H. Akiyama, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo
  • The effect of substrate temperature upon the compositions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y layer grown by MOVPE; 2014年
    発表情報; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 11, 1202-1205
    著者; M. Nishio, K. Saito, R. Ito, K. Tanaka, K. Urata, Y. Nakamura, T. Tanaka, Q.X. Guo
  • Wide bandgap engineering of (GaIn)2O3 films; 2014年
    発表情報; Solid State Communications, 186, 28-31
    著者; Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  • Fabrication of Nanograined Silicon by High-Pressure Torsion; 2014年
    発表情報; Journal of Materials Science, 49, 19, 6565-6569
    著者; Y. Ikoma, K. Hayano, K. Edalati, K. Saito, Q. Guo, Z. Horita, T. Aoki, D.J. Smith
  • Electrical properties and emission mechanisms of Zn-doped β-Ga 2O3 films; 2014年
    発表情報; Journal of Physics and Chemistry of Solids, 75, 11, 1201-1204
    著者; X.H. Wang, F.B. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q.X. Guo
  • Wide bandgap engineering of (AlGa)2O3 films; 2014年
    発表情報; Applied Physics Letters, 105, 16, 162107
    著者; F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. Guo
  • Thermal Annealing Impact on Crystal Quality of (GaIn)2O3 Alloys; 2014年
    発表情報; Journal of Alloys and Compounds, 614, 173-176
    著者; F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo
  • Surface morphologies and photoluminescence properties of undoped and P-doped ZnTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy; 2013年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 370, 1, 348-352
    著者; M. Nishio, Y. Hayashida, K. Saito, T. Tanaka, Q. Guo
  • Effects of annealing treatment upon electrical and photoluminescence properties of phosphorus-doped ZnMgTe epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy; 2013年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 370, 1, 342-347
    著者; M. Nishio, K. Kai, R. Fujiki, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
  • Photocurrent induced by two-photon excitation in ZnTeO intermediate band solar cells; 2013年
    発表情報; Applied Physics Letters, 102, 5, 052111
    著者; T. Tanaka, M. Miyabara, Y. Nagao, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, W. Walukiewicz
  • Effects of oxygen gas pressure on properties of iron oxide films grown by pulsed laser deposition; 2013年
    発表情報; Journal of Alloys and Compounds, 552, 1-5
    著者; Q. Guo, W. Shi, F. Liu, M. Arita, Y. Ikoma, K. Saito, T. Tanaka,and M. Nishio
  • Band alignment of ZnTe/GaAs heterointerface investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy; 2013年
    発表情報; Applied Physics Letters, 102, 9, 092107
    著者; Q. Guo, K. Takahashi, K. Saito, H. Akiyama, T. Tanaka, and M. Nishio
  • Epitaxial Growth of ZnTe Layers on ZnO Bulk Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy; 2013年
    発表情報; Japanese Journal of Applied Physics, 52, 040206
    著者; H. Akiyama, H. Hirano, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo
  • Development of ZnTe-Based Solar Cells; 2013年
    発表情報; Materials Science Forum, 750, 80-83
    著者; T. Tanaka, M. Miyabara, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, and W. Walukiewicz
  • Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells; 2013年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 378, 259-262
    著者; T. Tanaka, Y. Nagao, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, W. Walukiewicz
  • Nanograin formation of GaAs by high-pressure torsion; 2013年
    発表情報; Philosophical Magazine Letters, in press
    著者; Y. Ikoma, Y. Ejiri, K. Hayano, K. Saito, Q. Guo, Z. Horita
  • Development of ZnTe-based solar cells; 2013年
    発表情報; Materials Science Forum, 750, 80-83
    著者; Tooru Tanaka, Masaki Miyabara, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  • Growth of ZnTe layers on (111) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy; 2012年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 341, 1, 7-11
    著者; Q. Guo, H. Akiyama, Y. Mikuriya, K. Saito, T. Tanaka, and M. Nishio
  • Epitaxial growth of ZnO layers on (111) GaAs substrates by laser molecular beam epitaxy; 2012年
    発表情報; Thin Solid Films, 520, 7, 2663-2666
    著者; J. Ding, D. Zhang, T. Konomi, K. Saito, and Q. Guo
  • Effects of substrate temperature upon the properties of ZnMgTe layer grown by MOVPE; 2012年
    発表情報; Applied Surface Science, 258, 6, 2137-2140
    著者; K. Saito, Y. Inoue, Y. Hayashida, T. Tanaka, Q. X. Guo, and M. Nishio
  • Molecular beam epitaxial growth and optical properties of highly mismatched ZnTe 1-xO x alloys; 2012年
    発表情報; Applied Physics Letters, 100, 1, 011905
    著者; T. Tanaka, S. Kusaba, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  • Existence and removal of Cu2Se second phase in coevaporated Cu2ZnSnSe4 thin films; 2012年
    発表情報; Journal of Applied Physics, 111, 5, 053522
    著者; T. Tanaka, T. Sueishi, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  • Characterization of epitaxial ZnTe layers grown on GaAs substrates by transmission electron microscopy and photoluminescence; 2012年
    発表情報; Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 30, 2, 021508
    著者; F. Zhang, Y. Ikoma, J. Zhang, K. Xu, K. Saito, and Q. Guo
  • Influence of source transport rate upon phosphorus doping of ZnTe layers grown by MOVPE method; 2012年
    発表情報; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 9, 8-9, 1732-1735
    著者; M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, and Q. X.Guo
  • Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE; 2012年
    発表情報; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 9, 8-9, 1736-1739
    著者; K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio
  • Phase transformation and nanograin refinement of silicon by processing through high-pressure torsion; 2012年
    発表情報; Applied Physics Letters, 101, 12, 121908
    著者; Y. Ikoma, K. Hayano, K. Edalati, K. Saito, Q. Guo, and Z. Horita
  • Impact of radio frequency powers on GaInN film growth by magnetron reactive sputtering; 2012年
    発表情報; Japanese Journal of Applied Physics, 51, 11, 118004
    著者; Q. Guo, W. Shi, F. Liu, T. Nakao, K. Saito, T. Tanaka, and M. Nishio
  • Growth and characterization of Fe3O4 films; 2011年
    発表情報; Materials Research Bulletin, 46, 12, 2212-2216
    著者; J. Ding, D. Zhang, M. Arita, Y. Ikoma, K. Nakamura, K. Saito, and Q. Guo
  • Effect of VI/II ratio upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnTe films grown by metalorganic vapor phase epitaxy; 2011年
    発表情報; Thin Solid Films, 520, 2, 743-746
    著者; M. Nishio, K. Kai, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
  • Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy; 2011年
    発表情報; Applied Physics Letters, 98, 18, 181901
    著者; Q. X. Guo, H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. X. Fan, D. Zhang, X. Q. Wang, S. T. Liu, B. Shen, and R. Ohtani
  • Structural and optical properties of porous iron oxide; 2011年
    発表情報; Solid State Communications, 151, 10, 802-805
    著者; J. Ding, T. Fan, D. Zhang, K. Saito, and Q. Guo
  • Effect of gas flow rate on surface morphology and crystal quality of ZnTe epilayers grown on GaAs substrates; 2011年
    発表情報; Materials Research Bulletin, 46, 4, 551-554
    著者; Q. Guo, M. Nada, Y. Ding, K. Saito, T. Tanaka,and M. Nishio
  • Estimation of donor and acceptor levels in Al-doped ZnTe layers from photoluminescence measurement; 2011年
    発表情報; Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 7995, 79950I
    著者; K. Saito, T. Saeki, X. Han, T. Tanaka, Q. Guo, and M. Nishio
  • Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method; 2011年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 318, 1, 524-527
    著者; M. Nishio, K. Hiwatashi, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
  • Temperature dependence of photoluminescence from P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method; 2010年
    発表情報; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 7, 6, 1495-1497
    著者; K. Saito, S. Shimao, T. Tanaka, Q. Guo, and M. Nishio
  • Influence of composition ratio on properties of Cu2ZnSnS 4 thin films fabricated by co-evaporation; 2010年
    発表情報; Thin Solid Films, 518, 21 SUPPL., S29-S33
    著者; T. Tanaka, A. Yoshida, D. Saiki, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, and T. Yamaguchi
  • Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers; 2009年01月
    発表情報; Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 20, Supplement 1, 264-267
    著者; K. Saito, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Fabrication of a ZnTe light emitting diode by Al thermal diffusion into a p -ZnTe epitaxial layer on a p -ZnMgTe substrate; 2009年
    発表情報; Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 20, Supplement 1, 505-509
    著者; T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Enhanced Light Output from ZnTe Light Emitting Diodes by Utilizing Thin Film Structure; 2009年
    発表情報; Applied Physics Express, 2, 122101
    著者; T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Improvement of MOVPE grown ZnTe:P layers by annealing treatment; 2008年
    発表情報; Journal of Physics: Conference Series, 100, 042019
    著者; K. Saito, K. Fujimoto, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q.X. Guo, and H. Ogawa
  • Epitaxial growth of ZnMgTe with a wide composition range on ZnTe substrate by molecular beam epitaxy; 2008年
    発表情報; Journal of Physics: Conference Series, 100, 042018
    著者; T. Tanaka, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Growth of undoped ZnMgTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy; 2008年
    発表情報; Journal of Physics: Conference Series, 100, 042028
    著者; K. Saito, D. Kouno, T. Tanaka, M. Nishio, Q.X. Guo, and H Ogawa
  • Surface morphology of (100) ZnTe: P layer homoepitaxially grown by horizontal MOVPE technique; 2008年
    発表情報; Proceedings of SPIE, 6984, 69840M
    著者; K. Yamaguchi, Y. Kuramitsu, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Multilayer polarization elements and their applications to polarimetric studies in vacuum ultraviolet and soft X-ray regions; 2008年
    発表情報; Nuclear Science and Techniques, 19, 4, 193-203
    著者; M. Watanabe, T. Hatano, K. Saito, W. Hu, T. Ejima, T. Tsuru, M. Takahashi, H. Kimura, T. Hirono, Z. Wang, M. Cui, M. Yamamoto, and M. Yanagihara
  • Growth characteristics of ZnMgTe layer on ZnTe substrate by metalorganic vapor phase epitaxy; 2007年
    発表情報; Journal of Crystal Growth, 298, 449-452
    著者; K. Saito, T. Yamashita, D. Kouno, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Study of Al thermal diffusion in ZnTe using secondary ion mass spectroscopy; 2007年
    発表情報; physica status solidi (b), 244, 5, 1634-1638
    著者; T. Tanaka, N. Murata, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Post-annealing effect upon phosphorus-doped ZnTe homoepitaxial layers grown by MOVPE; 2007年
    発表情報; physica status solidi (b), 244, 5, 1634-1638
    著者; K. Saito, K. Fujimoto, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Effect of surface treatment on properties of ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion; 2006年
    発表情報; physica status solidi (b), 243, 4, 959-962
    著者; T. Tanaka, K. Hayashida, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Phosphorus-doped ZnMgTe bulk crystals grown by Vertical Bridgman Method; 2006年
    発表情報; physica status solidi (b), 3, 4, 812-816
    著者; K. Saito, K. Kinoshita, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Growth of boron-doped ZnTe homoepitaxial layer by metalorganic vapor phase epitaxy; 2006年
    発表情報; physica status solidi (c), 3, 4, 833-836
    著者; K. Saito, T. Yamashita, T. Tanaka, M. Nishio,Q. Guo, and H. Ogawa
  • Optical and Electrical Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Bridgman Method; 2006年
    発表情報; physica status solidi (c), 3, 8, 2673-2676
    著者; K. Saito, G. So, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Synchrotron radiation-excited etching of ZnTe using Ar gas; 2005年08月
    発表情報; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 238, 1-4, 115-118
    著者; T. Tanaka, Y. Kume, K. Hayashida, K. Saito, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa
  • Magnetic rotation spectra of Co/Pt and Co/Cu multilayers in 50-90 eV region; 2005年
    発表情報; Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 144-147, 757-760
    著者; K. Saito, M. Igeta, T. Ejima, T. Hatano, A. Arai, and M. Watanabe
  • Aging and thermal stability of Mg/SiC and Mg/Y2O3 reflection multilayers in the 25-35 nm region; 2005年
    発表情報; Applied Optics, 44, 26, 5446-5453
    著者; T. Ejima, A. Yamazaki, T. Banse, K. Saito, Y. Kondo, S. Ichimaru, and H. Takenaka
  • Polarization measurements of laboratory VUV light: a first comparison between multilayer polarizers and photoelectron angular distributions; 2003年
    発表情報; Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 130, 1-3, 79-84
    著者; M. Takahashi, T. Hatano, T. Ejima, Y. Kondo, K. Saito, M. Watanabe, T. Kinugawa, and J. H. D. Eland
  • Faraday and Magnetic Kerr Rotation Measurements on Co and Ni Films Around M2,3 Edges; 2002年
    発表情報; Surface Review and Letters, 9, 2, 943-947
    著者; K. Saito, M. Igeta, T. Ejima, T. Hatano, and M. Watanabe
  • Multilayer Polarizers for the Use of He-I and He-II Resonance Lines; 2002年
    発表情報; Surface Review and Letters, 9, 1, 587-591
    著者; T. Hatano, Y. Kondo, K. Saito, T. Ejima, M. Watanabe, and M. Takahashi
  • High-Reflection Multilayer for Wavelength Range of 200-30 nm; 2001年
    発表情報; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, 467-468, 333-337
    著者; Y. Kondo, T. Ejima, K. Saito, T. Hatano, and M. Watanabe
  • Faraday Rotation Measurement around Ni M2,3 Edges Using Al/YB6 Multilayer Polarizers; 1999年
    発表情報; Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101–103, 287-291
    著者; T. Hatano, W. Hu, K. Saito, and M. Watanabe

一般講演(学術講演を含む)

  • RFスパッタリング法によるGaAs(100)基板上へのGaN薄膜成長; 2017年09月
    発表情報; 平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会、琉球大学、05-1A-01
    著者; 伊藤 亘、境 伶王、齊藤勝彦、田中 徹、郭 其新
  • PLD法を用いたサファイア基板上へのSiドープGa2O3薄膜の作製と評価; 2017年09月
    発表情報; 平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会、琉球大学、05-1A-02
    著者; 岡﨑里紗、森 龍、田﨑純平、斉藤勝彦、田中 徹、郭 其新
  • PLD法によるTmドープGa2O3薄膜の成長と評価; 2017年09月
    発表情報; 平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会、琉球大学、05-1A-03
    著者; 森 龍、齊藤勝彦、田中 徹、郭 其新
  • PLD法によるサファイア基板上へのLiNbO3薄膜成長及び評価に関する研究; 2017年09月
    発表情報; 平成29年度(第70回)電気・情報関係学会九州支部連合大会、琉球大学、05-1A-04
    著者; 田﨑純平、森 龍、岡﨑里紗、斉藤勝彦、田中 徹、郭 其新
  • Synthesis of Cl-doped ZnTeO for Intermediate Band Solar Cells; 2016年12月
    発表情報; 第26回日本MRS年次大会, 産業貿易センタービル, 横浜市, 平成28年12月20日, A3-P20-002
    著者; S. Tsutsumi, Y. Okano, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  • RF スパッタリング法によるGaAs(100)基板上へのGaN 薄膜成長; 2016年12月
    発表情報; 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-6.
    著者; 伊藤 亘, 下川 顕太郎, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  • Cl ドープZnTeO 薄膜のMBE 成長と中間バンド型太陽電池への応用; 2016年12月
    発表情報; 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-5.
    著者; 堤 修治, 岡野 友紀, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • MBE により成長したZnCdO 薄膜の特性評価; 2016年12月
    発表情報; 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-4.
    著者; 潮 昇平, 岡野 友紀, 堤 修治, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • 金属積層プリカーサのセレン化によるCu2ZnSnSe4 薄膜の作製と評価; 2016年12月
    発表情報; 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-3.
    著者; 嘉藤 祐介, 辻 俊一, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • 減圧有機金属気相成長法によるZn1-xMgxSeyTe1-y のドーピング特性; 2016年12月
    発表情報; 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-2.
    著者; 松尾友誠, 友田晃宏, 齋藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • 有機金属気相法による4 元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の諸特性の成長室内圧力効果; 2016年12月
    発表情報; 平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-1.
    著者; 友田 晃宏, 松尾 友誠, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘
  • ZnCdO透明導電膜の作製と評価; 2016年11月
    発表情報; 第1回フロンティア太陽電池セミナー, 2016年11月17日, 京都大学
    著者; 田中徹, 潮昇平,岡野友紀, 堤修治, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  • 中間バンド型太陽電池用ZnCdTeO薄膜の成長と評価; 2016年11月
    発表情報; 第1回フロンティア太陽電池セミナー, 2016年11月17日, 京都大学
    著者; 田中徹, 岡野友紀, 堤修治, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  • MBEによるサファイア基板上ZnCdO薄膜の光学的・電気的特性評価; 2016年10月
    発表情報; 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年9月13日, 13p-D61-6,朱鷺メッセ, 新潟.
    著者; 潮 昇平, 岡野 友紀, 堤 修治, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • Crystal growth of gallium oxide based wide bandgap semiconductors; 2016年10月
    発表情報; International conference on applied crystallography, October 17-19, 2016, Houston, USA, Oct. 18 16:45-17:10
    著者; Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
  • Growth of Zn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5) highly mismatched alloys for intermediate band solar cells; 2016年10月
    発表情報; 26th edition of the International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26), 26 October 2016, Singapore.
    著者; T. Tanaka, T. Terasawa, Y. Okano, S. Tsutsumi, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  • MBE成長ZnCdTeO薄膜の光学特性の評価と太陽電池応用; 2016年09月
    発表情報; 
    著者; 岡野友紀, 堤 修治, 潮 昇平, 田中 徹, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾光弘
  • RFスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長に関する研究; 2016年09月
    発表情報; 平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-07
    著者; 下川顕太郎, 伊藤 亘, 齊藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
  • PLD法によるp型Si(111)基板上へのEuドープGa2O3薄膜の成長と評価; 2016年09月
    発表情報; 平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-06
    著者; 野田真司, 陳 政委, 斉藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
  • 有機金属化学気相法により作製された燐ド-プZn1-xMgxSeyTe1-y膜のアニ-ル処理効果; 2016年09月
    発表情報; 平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-05
    著者; 松尾友誠, 友田晃宏, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齊藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • 減圧有機金属化学気相法による燐ド-プZn1-xMgxSeyTe1-y膜の作製と評価; 2016年09月
    発表情報; 平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-04
    著者; 中鶴悠太, 庄野智瑛, 松尾友誠, 友田晃宏, 齊藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • 減圧有機金属気相法による4元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の組成制御と結晶評価; 2016年09月
    発表情報; 平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-03
    著者; 友田晃宏, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 松尾友誠, 齊藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • THzデバイス応用のためのMOVPE法による(0001)α-Al2O3基板上へのZnTe単結晶の成長; 2016年09月
    発表情報; 平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-02
    著者; 森 龍, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齊藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
  • 減圧有機金属気相成長法により作製されたAs-grownとアニ-ル処理後の燐ド-プZnTe膜の電気的光学的性質; 2016年09月
    発表情報; 平成28年度(第69回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-01.
    著者; 庄野智瑛, 中鶴悠太, 松尾友誠, 友田晃宏, 齊藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • MBEによるZn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5)薄膜の成長と評価; 2016年09月
    発表情報; 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年9月14日, 14p-P8-2,朱鷺メッセ, 新潟.
    著者; 寺沢俊貴, 岡野友紀, 堤修治, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  • Epitaxial growth of Ga2O3:Er films on silicon substrate; 2016年08月
    発表情報; The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, MoP-G04.
    著者; Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. Guo
  • Low temperature growth of ZnO/MgZnO single quantum well; 2016年08月
    発表情報; The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04.
    著者; X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q.-X. Guo
  • Growth of ZnMgSeTe nearly Lattice-matched to ZnTe and p-type Doping by Low-pressure MOVPE; 2016年08月
    発表情報; The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-10.
    著者; K. Saito, M. Nishio, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. Guo
  • Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE; 2016年08月
    発表情報; The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-11.
    著者; M. Nishio, K. Saito, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. Guo
  • Green Electroluminescence from Er Doped Gallium Oxide/Silicon Heterostructured Light Emitting Device; 2016年06月
    発表情報; 58th Electronic Materials Conference, June 22-24, 2016, University of Delaware, Newark, DE, June 22, PS7.
    著者; Qixin Guo, Zhenwei Chen, Shinji Noda, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  • MBE法によるClドープZnTeOの光学特性の評価; 2016年03月
    発表情報; 2016年第63回応用物理学会秋季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月19日-22日, 21a-H113-4
    著者; 堤修治,岡野 友紀,寺沢 俊貴, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • 分子線エピタキシ-法よるZnCdTeO薄膜の成長と評価; 2016年03月
    発表情報; 2016年第63回応用物理学会秋季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月19日-22日, 21a-H113-5
    著者; 潮昇平,寺沢 俊貴,岡野 友紀, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • PLD法によるp型Si(111)基板上へのErド-プGa2O3薄膜の成長と評価; 2016年03月
    発表情報; 2016年第63回応用物理学会秋季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月19日-22日, 20p-S223-17
    著者; 野田真司、陳政委、斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  • Cl-doping in Highly Mismatched ZnTe1-xOx Alloys for Intermediate Band Solar Cells; 2016年02月
    発表情報; 43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-43), June 9, 2016, Portland. 772.
    著者; T. Tanaka, S. Tsutsumi, Y. Okano, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  • MBE法によるClドープZnTeOのフォトルミネッセンス特性の評価; 2015年12月
    発表情報; 2015年(平成27年度)応用物理学会九州支部学術講演会,2015年12月5日-6日 琉球大学 5Ba-7
    著者; 堤 修治、岡野 友紀, 寺沢 俊貴, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • PDL法によるErドープGa2O3薄膜成長とフォトルミネッセンス; 2015年12月
    発表情報; 2015年(平成27年度)応用物理学会九州支部学術講演会,2015年12月5日-6日 琉球大学 5Ba-8
    著者; 野田 真司,陳 政委,斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  • RFスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長; 2015年12月
    発表情報; 2015年(平成27年度)応用物理学会九州支部学術講演会,2015年12月5日-6日 琉球大学 5Ba-9
    著者; 下川顕太郎,斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  • 有機金属気相成長法により作製されたPド-プZnTeエピ膜の電気的性質の温度依存性; 2015年12月
    発表情報; 2015年(平成27年度)応用物理学会九州支部学術講演会,2015年12月5日-6日 琉球大学 5Ba-10
    著者; 中鶴悠太,庄野智瑛,斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘
  • Zn1-xCdXTe薄膜のMBE成長と太陽電池への応用; 2015年12月
    発表情報; 平成27年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会シティホールプラザ アオーレ長岡 市民交流ホールA 2015年12月11日(金)~12日(土)P-30
    著者; 岡野友紀,寺沢俊貴,田中徹,齊藤勝彦,郭其新,西尾光弘
  • 有機金属化学気相法による4元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の成長と評価; 2015年12月
    発表情報; 平成27年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会シティホールプラザ アオーレ長岡 市民交流ホールA 2015年12月11日(金)~12日(土)P-31
    著者; 庄野智瑛,中靏悠太,阿比留昌克,荒木康博,田中大地,森英一郎,齊藤勝彦,田中徹,郭其新,西尾光弘
  • Si-Doped Ga2O3 Films Grown by Pulsed Laser Deposition; 2015年11月
    発表情報; International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E29, November 3-6, 2015, Kyoto
    著者; F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo
  • The Effect of Growth Temperature on Structural and Optical Properties of Europium Doped Ga2O3 Films; 2015年11月
    発表情報; International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E30, November 3-6, 2015, Kyoto
    著者; Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo
  • Effect of Substrate Temperature on Structures and Optical Properties of (AlGa)2O3 Films; 2015年11月
    発表情報; International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E33, November 3-6, 2015, Kyoto
    著者; X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo
  • Influence of Source Transport Rate upon Compositions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y Layers grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy; 2015年09月
    発表情報; The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials 13-18 Sept. 2015 Paris MOP-21
    著者; K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio
  • Low Pressure MOVPE Growth and Characterization of ZnTe Homoepitaxial Layers; 2015年09月
    発表情報; The 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials 13-18 Sept. 2015 Paris MOP-23
    著者; M. Nishio, K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, Q.X. Guo
  • MBEによるCl添加ZnTeO薄膜の成長と評価; 2015年09月
    発表情報; 2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 平成27年9月13日-16日, 13p-PB1-2
    著者; 田中 徹, 堤修治,岡野 友紀,寺沢 俊貴, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • 分子線エピタキシー法によるZnCdO薄膜の作製と評価; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-04
    著者; 潮 昇平, 田中 徹, 齊藤勝彦, 西尾光弘, 郭 其新
  • 多源蒸着法によるCu 2 SnSe 3 薄膜の作製および評価; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-05
    著者; 坂本 駿, 嘉藤祐介, 齊藤勝彦, 郭 其新, 西尾光弘, 田中 徹
  • PLD法によるアンドープZnTe薄膜成長及び評価; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-08
    著者; 中島洋平, 野田真司, 齊藤勝彦, 西尾光弘, 田中 徹, 郭 其新
  • PLD成長Sn成長ドープGa2O3薄膜の特性に及ぼす酸素圧力の影響; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-09
    著者; 姜 英希, 張 法碧, 齊藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
  • スパッタリング法によるMgO(100)基板上へのGaN薄膜成長; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-10
    著者; 藤坂 遼, 下川顕太郎, 齊藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
  • 減圧有機金属気相成長法によるZnSexTe1-xの作製と評価; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-12
    著者; 森 英一郎, 阿比留昌克, 荒木康博, 田中大地, 中靏悠太, 庄野智瑛, 齋藤勝彦, 田中 徹,郭 其新, 西尾光弘
  • 減圧MOVPE法により作製されたZn1-xMgxTe膜の特性に及ぼす原料供給量の効果; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会 平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-13
    著者; 阿比留昌克, 森 英一郎, 荒木康博, 田中大地, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齋藤勝彦, 田中 徹,郭 其新, 西尾光弘
  • MOVPE法による燐ドープZnTe膜の特性に及ぼす成長室圧力の影響; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-13
    著者; 荒木康博, 阿比留昌克, 田中大地, 森 英一郎, 齋藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • 減圧MOVPE法によるp-ZnTe膜の特性のTDMAP供給量の効果; 2015年09月
    発表情報; 平成27年度(第68回) 電気・情報関係学会九州支部連合大会平成27年9月26日(土)~9月27日(日)福岡大学05-2P-15
    著者; 田中大地, 阿比留昌克, 荒木康博, 森 英一郎, 斎藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘
  • Growth and Characterization of Zn-MgSeTe Epilayers on ZnTe Substrates by Molecular Beam Epitaxy; 2013年09月
    発表情報; The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. Tu-P13.
    著者; Kosuke Mizoguchi, Yasuhiro Nagao, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio
  • Correlation Between Photoluminescence and Carrier Concentration in Phosphorus-doped ZnTe; 2013年09月
    発表情報; The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. We-P27.
    著者; Katsuhiko Saito, Ryosuke Ito, Kento Tanaka, Kensuke Urata, Yasuaki Nakamura, Tooru Tanaka, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio
  • Molecular Beam Epitaxy of n-ZnS Epilayers for ZnTe Solar Cell Application; 2013年09月
    発表情報; The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. We-P15.
    著者; Shin Haraguchi, Masaki Miyabara, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  • Growth and Characterization of Zn1-xMgxSeyTe1-y on ZnTe Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy; 2013年09月
    発表情報; The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. We-P13.
    著者; Mitsuhiro Nishio, Katsuhiko Saito, Ryosuke Ito, Kento Tanaka, Kensuke Urata, Yasuaki Nakamura, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  • Fabrication of ZnO/ZnTe Heterojunction by Using a Room Temperature Direct Bonding Technology; 2013年09月
    発表情報; The 16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan, September 9 - 13, 2013. We-P10.
    著者; Hajime Akiyama, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  • Growth of GaInN films on silicon substrates by reactive sputtering; 2013年07月
    発表情報; The 12th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, Kyoto Research Park, July 10-12, 2013, TF P1-1.
    著者; Q. Guo, T. Nakao, T. Ushijima, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio
  • シンクロトロン放射光電子分光法によるZnTe/GaAsへテロ界面のバンドアライメント評価; 2013年07月
    発表情報; 産業技術総合研究所・九州シンクロトロン光研究センター 合同シンポジウム
    著者; 齊藤勝彦、高橋和敏、秋山肇、田中徹、西尾光弘、郭其新
  • Characterization of ZnTe layers on (0001) ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy; 2013年05月
    発表情報; The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 19-23, 2013, Kober Convention Center, Kobe, Japan, MoPC-01-09.
    著者; Hajime Akiyama, Tooru Idekoba, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  • Growth of Gallium Oxide Films by Pulsed Laser Deposition; 2013年05月
    発表情報; The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 19-23, 2013, Kober Convention Center, Kobe, Japan, MoPC-07-08.
    著者; Qixin Guo, Fabi Zhang, Kouji Wakamatsu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  • Al電極の透明化により作製されたZnTe緑色LEDの特性; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-6.
    著者; 山下純司, 丸山祐一, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  • ZnTe緑色LEDの為のAl電極のエッチング; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-7.
    著者; 丸山祐一, 山下純司, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  • 分子線エピタキシー法によりZnTe基板上に成長させたn型ZnS薄膜の作製と評価; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-8.
    著者; 宮原雅宜, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  • MOVPE法による(111)GaAs基板上へのZnTe薄膜成長及び特性評価; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-9.
    著者; 出木場透, 平野博之, 田中徹, 斉藤勝彦, 西尾光弘, 郭其新
  • ZnCdTeOを用いた中間バンド型太陽電池の作製と評価; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-1.
    著者; 長尾康弘, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  • MOVPE法により成長されたPドープZn1-xMgxTeエピ膜の電気的性質及びフォトルミネッセンス特性に及ぼすアニール処理効果; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-3.
    著者; 藤木良太, 伊藤綾祐, 田中健人, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  • 有機金属気相エピタキシャル法で成長されたZnTe膜の燐ドーピングに及ぼす原料供給量の影響; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-4.
    著者; 田中健人, 藤木良太, 齋藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  • MOVPE法で作製されたZnTe薄膜の表面形態とフォトルミネッセンス特性; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-5.
    著者; 伊藤綾祐, 藤木良太, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  • 多源蒸着法によるCu2ZnSnSe4薄膜太陽電池におけるKCNエッチング効果; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 1Ba-5.
    著者; 末石竜也, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  • PLD法によりα-Al2O3基板上に作成したGa2O3薄膜の評価; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fp-5.
    著者; 若松 剛次, 木稲 貴治, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  • RFスパッタリング法によるSi基板上のInGaN薄膜成長に関する研究; 2012年12月
    発表情報; 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fp-1.
    著者; 中尾友也, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  • ZnTeO中間バンド型太陽電池における二段階光吸収による電流生成; 2012年10月
    発表情報; 第4回薄膜太陽電池セミナ-2012, 龍谷大学アバンティ響都ホ-ル, 2012年10月18-19日, P2-11.
    著者; 田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • 酸素イオン注入によるマルチバンドギャップ半導体ZnTe1-xOxの作製と光学特性の評価; 2012年10月
    発表情報; 第7回高崎量子応用研究シンポジウム, 高崎シティギャラリー, 2012年10月11-12日, 1P-11.
    著者; 田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • α-Al2O3基板上へのPLD法によるGa2O3薄膜作製と評価; 2012年09月
    発表情報; 平成24年度第65回電気関係学会九州支部連合大会, 長崎大学,2012年9月24日,05-1A-07.
    著者; 木稲貴治,若松剛次,西尾光弘,郭其新,田中徹,斉藤勝彦
  • MOVPE法によるZnO基板上ZnTe薄膜の作製と評価; 2012年09月
    発表情報; 平成24年度第65回電気関係学会九州支部連合大会, 長崎大学,2012年9月24日,05-1A-06.
    著者; 平野博之,秋山肇,西尾光弘,郭其新,田中徹,斉藤勝彦
  • Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells; 2012年09月
    発表情報; The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 23-28, 2012, Nara, TuP-22.
    著者; Y. Nagao, T. Mochinaga, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K.M. Yu, and W. Walukiewicz
  • ZnTeO中間バンド型太陽電池の作製と特性評価; 2012年09月
    発表情報; 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, 2012年9月12日, 12p-H8-3.
    著者; 田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • Development of ZnTe-based solar cells; 2012年08月
    発表情報; 8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 2P-PS28.
    著者; M. Miyabara, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • Growth of ZnTe Layers on (0001) ZnO Substrates by metalorganic vapor phase epitaxy; 2012年08月
    発表情報; 8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 3A-OS01-06.
    著者; H. Akiyama, H. Hirano, T. Konomi, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo
  • Synchrotron-Radiation-Excited UV-VIS Luminescence Experimental Station at Saga University beamline BL13: Design and Installation Progress; 2012年08月
    発表情報; 8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 2P-PS20.
    著者; K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo
  • Synthesis and Optical Properties of ZnTe1-xOx Highly Mismatched Alloys for Intermediate Band Solar Cells; 2012年06月
    発表情報; 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, June 3-8, 2012, Austin, Texas.
    著者; T. Tanaka, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. Walukiewic
  • Influence of (MeCp)2Mg Transport Rate upon Growth of Phosphorus-doped ZnMgTe Layers by MOVPE; 2012年05月
    発表情報; 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-62.
    著者; K. Saito, K. Sekioka, T. Tanaka, Q. Guo, and M. Nishio
  • Surface Morphologies and Photoluminescence Properties of Undoped and P-doped ZnTe Layers Grown by Metaloroganic Vapor Phase Epitaxy; 2012年05月
    発表情報; 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-63.
    著者; M. Nishio, Y. Hayashida, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
  • Effects of Annealing Treatment upon Electrical and Photoluminescence Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Epilayers Grown by Metaloroganic Vapor Phase Epitaxy; 2012年05月
    発表情報; 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, ThB1-4.
    著者; M. Nishio, K. Kai, R. Fujiki, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
  • Characterization of ZnTe Epilayers on GaAs (111) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy; 2012年05月
    発表情報; 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-59.
    著者; Q. Guo, H. Akiyama, H. Hirano, K. Saito, T. Tanaka, and M. Nishio
  • ZnCdTeOのMBE成長と物性評価; 2012年03月
    発表情報; 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 平成24年3月18日, 18a-F11-4.
    著者; 長尾 康弘, 持永 智洋, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  • MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF ZnTe1-XOX LAYERS FOR INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL APPLICATIONS; 2011年12月
    発表情報; 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), 3D-5P-35, November 28-December 2, 2011, Fukuoka.
    著者; T. Tanaka, S. Kusaba, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  • COMPOSITION DEPENDENCE OF ELECTRICAL PROPERTIES OF CU2ZNSNSE4 THIN FILMS FABRICATED BY CO-EVAPORATION; 2011年12月
    発表情報; 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), 4D-3P-14, November 28-December 2, 2011, Fukuoka.
    著者; T. Sueishi, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • GaAs(111)基板上へPLD法によるZnO薄膜作製; 2011年11月
    発表情報; 平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-1.
    著者; 木稲 貴治, 中村 和樹, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  • 酸素イオン注入により作製したZnTeO薄膜の評価; 2011年11月
    発表情報; 平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-4.
    著者; 草場修平, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • MBE法によるZnCdTe成長と物性評価; 2011年11月
    発表情報; 平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-3.
    著者; 持永智洋, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  • MOVPE法による(111)GaAs基板上のZnTe薄膜の作製と評価; 2011年11月
    発表情報; 平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-2.
    著者; 平野 博之, 御厨 雄大, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  • 分子線エピタキシー法により形成したZnTeO薄膜の光学特性; 2011年09月
    発表情報; 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会, 山形大学, 平成23年9月1日, 1p-ZA-12.
    著者; 田中徹, 草場修平, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • ZnTeO薄膜の分子線エピタキシャル成長と評価; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-03.
    著者; 長尾康弘, 草場修平, 持永智洋, 田中 徹, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • 有機金属気相成長法によるZnTeヘテロエピタキシャル薄膜のGaAs(111)基板上への作製及び特性評価; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-04.
    著者; 御厨雄大, 齊藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
  • PLD法によるAl2O3(001)基板上へのFe3O4薄膜作製; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-05.
    著者; 中村和樹, 木稲貴治, 斉藤勝彦, 有田 誠, 生駒嘉史, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
  • ZnTe緑色LEDのAl電極透明化の為のAlエッチング特性; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-06.
    著者; 山下純司, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • Cu2ZnSnSe4薄膜におけるCu2Se相の選択エッチングに関する研究; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-07.
    著者; 末石竜也, 田中 徹, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • PドープZnMgTeエピ膜のフォトルミネッセンスに及ぼすアニール時の温度、時間、雰囲気ガスの効果; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-08.
    著者; 藤木良太, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • RFスパッタリング法により作製されたInGaN薄膜の特性評価; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-09.
    著者; 千田広崇, 齊藤勝彦, 田中 徹, 西尾光弘, 郭 其新
  • PドープZn1-xMgxTeバルク結晶の電気的特性の測定温度依存性、ラマンスペクトルのMg組成依存性; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-10.
    著者; 樋渡恭佑, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • MOVPE法によって成長されたPドープZnMgTeエピ膜の電気的性質に及ぼすアニール時の温度、時間、雰囲気ガスの効果; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-11.
    著者; 甲斐敬太, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • 透明導電膜を用いたZnTe太陽電池の作製と評価; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-12.
    著者; 宮原雅宜, 持永智洋, 草場修平, 田中 徹, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾光弘
  • PドープZnMgTeエピ膜の成長特性に及ぼすDETe供給量依存性; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-01.
    著者; 林田裕次, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  • PドープZnMgTeエピ膜の電気的性質に及ぼすTDMAP供給量効果; 2011年09月
    発表情報; 平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-02.
    著者; 関岡敬太, 斉藤勝彦, 西尾光弘, 田中 徹, 郭 其新
  • Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE; 2011年08月
    発表情報; 15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Tu-P04.
    著者; K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio
  • Influence of source transport rate upon phosphorus doping in ZnTe layer grown by MOVPE; 2011年08月
    発表情報; 15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Thu-P03.
    著者; M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, Q.X. Guo
  • Fundamental properties of sputtered InGaN films; 2011年07月
    発表情報; The Eleventh International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, July 6-8, 2011, Kyoto, Japan, TF P1-20.
    著者; Q. X. Guo, H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. Fan, and D. Zhang
  • 酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性と中間バンド太陽電池応用; 2011年06月
    発表情報; 第8回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 岐阜市じゅうろくプラザ, 平成23年6月30日-7月1日, J-12.
    著者; 田中徹, 草場修平, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  • 酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性; 2011年03月
    発表情報; 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 平成23年3月27日, 27p-BQ-4
    著者; 田中徹,草場修平,斉藤勝彦,郭其新,西尾光弘,K. M. Yu,W. Walukiewicz
  • Growth of ZnTe nanowires by molecular beam exitaxy; 2011年03月
    発表情報; International colloquium on “Recent progress in nanofabrications of MEMS and NEMS: Science and innovation technologies”, Hakata, Fukuoka, March 24, 2010.
    著者; T. Mochinaga, H. Ohshita, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, and M. Nishio
  • Al熱拡散を用いたZnTeホモ接合太陽電池の作製と評価; 2011年03月
    発表情報; 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 平成23年3月27日, 27a-BQ-8
    著者; 草場修平,田中徹,斉藤勝彦,郭其新,西尾光弘,K. M. Yu,W. Walukiewicz

知的財産権の出願等(著作権は除く)

  • 半導体装置及びその製造方法; 2007年09月
    発表情報; 特願2007-256110
    著者; 田中徹,小川博司,西尾光弘,齊藤勝彦
  • 半導体の製造方法; 2006年08月
    発表情報; 特願2006-222455
    著者; 田中徹,小川博司,西尾光弘,齋藤勝彦

招待講演・特別講演(学会シンポジウム等での講演を含む)

  • Heteroepitaxial growth of ZnTe layers by MOVPE (Invited Talk); 2012年12月
    発表情報; The Collaborative Conference on Crystal Growth 2012, A23, December 12, 2012, 14:00-14:25, Doubletree by Hilton Orlando at SeaWorld, Orlando, FL, USA.
    著者; Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  • Low-temperature Epitaxial Growth of GaInN Films (invited); 2012年08月
    発表情報; 8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 3A-OS01-08.
    著者; Q. Guo, T. Nakao, M. Arita, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio
  • ZnTeO系高不整合材料の作製と中間バンド太陽電池への応用; 2012年05月
    発表情報; 第9回次世代の太陽光発電システムシンポジウム, 平成24年5月31日-6月1日, 京都.
    著者; 田中徹,長尾康弘,宮原雅宜,斉藤勝彦,郭其新,西尾光弘
  • STRUCTURAL PROPERTIES OF MAGNETITE FILMS GROWN BY PULSED LASER DEPOSITION (Invited Talk); 2011年07月
    発表情報; The Nineteenth Annual International Conference on COMPOSITES/NANO ENGINEERING, July 24-30, 2011, Session 2d OXIDE 1, Invited Talk, July 25, Shanghai, China.
    著者; Q. Guo, K. Nakamura, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Y. Ikoma, J. Ding, and D. Zhang


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