教員詳細情報

研究分野・キーワード

• 半導体工学，発光・受光デバイス

学歴

• 1995年03月, 豊橋技術科学大学, 工学部, 電気・電子工学課程, 卒業
• 1997年03月, 豊橋技術科学大学, 工学研究科, 電気・電子工学専攻, 修士課程・博士前期課程, 修了
• 2000年03月, 豊橋技術科学大学, 工学研究科, 電子・情報工学専攻, 博士課程・博士後期課程, 修了

職歴

• 1998年04月 - 2000年03月 豊橋技術科学大学 日本学術振興会特別研究員
• 2000年04月 - 2003年03月 佐賀大学理工学部 助手
• 2003年04月 - 2007年03月 佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター 助手
• 2007年04月 - 2009年01月 佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター 助教
• 2009年02月 - 2010年03月 佐賀大学理工学部 准教授
• 2009年10月 - 2010年09月 Lawrence Berkeley National Laboratory 客員研究員
• 2010年04月 - 2015年09月 佐賀大学大学院工学系研究科電気電子工学講座 准教授
• 2010年10月 - 2014年03月 科学技術振興機構 さきがけ研究員（兼任）
• 2015年10月 - 2018年03月 佐賀大学大学院工学系研究科 教授
• 2018年04月 - 継続中 佐賀大学理工学部 教授

専門分野

• 電子・電気材料工学, 電子デバイス・電子機器, 結晶工学, 薄膜・表面界面物性, エネルギー学

所属学会

• 応用物理学会, IEEE, 電気学会, 日本表面科学会, 日本放射光学会

受賞歴

• JAMS-CS AWARD （2009年09月）
• 応用物理学会2017年秋季学術講演会Poster Award （2017年09月）

現在実施している研究テーマ

• 高不整合材料による中間バンド太陽電池の創製
• 多元系半導体による薄膜太陽電池の開発
• 新材料による高効率緑色発光ダイオードの開発

これまでの研究テーマ

• シンクロトロン光を用いた半導体プロセス開発と物性評価

主要業績

• Improved phosphorus incorporation in MBE-grown ZnTe layer using a cracked Zn3P2 dopant source 2024年03月
• Improved phosphorus doping in ZnTe by molecular beam epitaxy under alternating source supply 2023年12月
• 異なるn型窓層を用いたZnTeO中間バンド型光電極の光電気化学特性 2023年12月
• Impact of substrate temperature and nitrogen partial pressure on structural and optoelectronic properties of RF magnetron sputtering grown Cu3N thin films 2023年12月
• Improvement of phosphorus incorporation in P-doped ZnTe layers grown by molecular beam epitaxy using Zn3P2 dopant source 2023年12月
• MBE法を用いてInP(100)基板上に成長したPドープZnTe薄膜の評価 2023年12月
• 異なる酸素濃度領域を持つZnTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性 2023年12月
• Growth and characterization of P-doped Zn1-xCdxTe grown on GaAs(100) substrates by molecular beam epitaxy 2023年12月
• 分子線エピタキシー法によるZnO薄膜の作製と評価 2023年12月
• 高周波マグネトロンスパッタリング法によるCu2O薄膜へのNa添加効果 2023年11月
• InP(100)基板上へのP ドープZnTe 薄膜のMBE成長 2023年11月
• 異なる n 型窓層を用いた ZnTeO 中間バンド型太陽電池の作製と光電極への応用 2023年11月
• 異なる酸素濃度領域を有する ZnTeO 中間バンド型太陽電池の作製と光電変換特性の評価 2023年11月
• Enhanced phosphorus incorporation in P-doped ZnTe layers grown by molecular beam epitaxy using Zn3P2 as dopant source material 2023年11月
• Growth and characterization of P-doped CdTe grown on GaAs(100) substrates by molecular beam epitaxy 2023年11月
• Influence of temperature, substrate position and nitrogen partial pressure on Cu3N thin films using RF magnetron sputtering 2023年11月
• ZnTeO中間バンド型光電極におけるn型窓層材料の検討 2023年09月
• 酸素濃度を部分的に変化させたClドープZnTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性 2023年09月
• ZnTeO系中間バンド型太陽電池の現状と課題（招待講演） 2023年09月
• ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の二段階光吸収電流の評価 2023年06月
• Growth of Phosphorus-doped ZnTe Thin Films by Molecular Beam Epitaxy Using InP as Dopant Source 2023年04月
• Effect of P-doping in ZnTe thin films grown by molecular beam epitaxy under alternating supply 2023年03月
• 分子線エピタキシー法によるZnTeO薄膜の成長と光電極への応用 2023年03月
• ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の温度依存性 2023年03月
• Effect of heterojunction structures on photoelectrochemical properties of ZnTe-based photocathodes for water reduction 2023年01月
• MBE alternating growth of phosphorus-doped ZnTe thin films using InP as dopant Source 2022年12月
• Effect of Cl-doping in ZnCdTeO on photovoltaic properties of ZnCdTeO intermediate band solar cells 2022年11月
• Effect of NaF addition to precursor for fabricating Cu2ZnSnSe4 thin films on alkali-free substrates by selenization. 2022年11月
• Photoelectrochemical properties of a highly-mismatched ZnTeO alloys grown by molecular beam epitaxy 2022年11月
• MBE growth and photochemical properties evaluation of n-ZnS/ZnTe thin films 2022年11月
• Effect of nitrogen partial pressure on properties of Cu3N thin films by RF magnetron sputtering 2022年11月
• The Effect of MBE alternating growth of phosphorus-doped ZnTe thin films 2022年11月
• ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の温度依存性 2022年11月
• 高周波マグネトロンスパッタリング法によりサファイア基板上に作製したCu3N薄膜の基板温度依存性 2022年11月
• 多重セレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価 2022年11月
• 分子線エピタキシー法による ZnNiO薄膜の成長と評価 2022年11月
• n-ZnS/ZnTeヘテロ接合光電極を用いた水の可視光分解用光触媒の開発 2022年11月
• ZnTeO光電極における光電気化学特性の酸素濃度依存性 2022年11月
• Alternating molecular beam epitaxial growth of phosphorus-doped ZnTe thin films 2022年11月
• 太陽光発電が拓く未来～その仕組みから最先端テクノロジーまで～ 2022年10月
• 太陽光発電が拓く未来 ～発電原理から最先端技術まで 2022年09月
• 分子線エピタキシー法によるZnTeO薄膜の成長と光電気化学特性の評価 2022年09月
• Clドープ ZnCdTeO 中間バンド型太陽電池の光電変換特性の評価 2022年09月
• 「これからのエネルギーとの付き合い方」 2022年08月
• MBE Growth and Characterization of Phosphorus-doped ZnTe Thin Films 2022年06月
• 分子線エピタキシー成長によるn-ZnS/ZnTe光電極を用いた水の還元反応の評価 2022年06月
• Facile synthesis of Cu2O nanorods in the presence of NaCl by successive ionic layer adsorption and reaction method and its characterizations 2022年04月
• Growth and characterization of phosphorus-doped ZnTe thin films by MBE 2022年03月
• 分子線エピタキシー成長による ZnTe 光電極を用いた 水の還元反応の評価 2022年03月
• RFマグネトロンスパッタ法によるCu3N薄膜の窒素分圧依存性 2022年03月
• Effects of Al doping on the structural, electrical, and optical properties of rock-salt ZnCdO thin films grown by molecular beam epitaxy 2022年01月
• n型窓層にAlドープ ZnCdOを用いたZnTe太陽電池の作製と評価 2021年12月
• 高周波マグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の膜特性に及ぼす基板温度及び基板位置の効果 2021年12月
• セレン化法による無アルカリ基板上へのCu2ZnSnSe4薄膜作製におけるプリカーサへのNaF添加効果 2021年12月
• 分子線エピタキシー法による光触媒応用を目指したZnTe薄膜の成長と光電気化学特性の評価 2021年12月
• Growth of phosphorus-doped ZnTe thin films using InP dopant sources by MBE 2021年12月
• Growth and characterization of Al-doped and undoped Zn1-xCdxO by molecular beam epitaxy under high oxygen flow rate 2021年12月
• Improved two-step photon absorption current by Cl-doping in ZnTeO-based intermediate band solar cells with n-ZnS layer 2021年10月
• Intermediate band solar cells based on highly-mismatched ZnTeO alloy semiconductors (invited) 2021年08月
• Effect of Nitrogen Doping on Structural, Electrical, and Optical properties of CuO Thin Films Synthesized by Radio Frequency Magnetron Sputtering for Photovoltaic Application 2021年06月
• Influence of oxygen flow rate during the growth of Al-doped ZnCdO thin films by MBE 2021年03月
• ZnTeO 中間バンド型太陽電池の ブロック層への Cl ドーピングによる効果 2021年03月
• Structural, optical, and electrical properties of WZ- and RS-ZnCdO thin films on MgO (100) substrate by molecular beam epitaxy 2021年02月
• MBE法を用いて成長したPドープZnTe薄膜のアニール効果 2020年11月
• ブロック層にClドープZnTeを用いたZnTeO中間バンド型太陽電池の作製と評価 2020年11月
• IMPACT OF O2 FLOW ON PROPERTIES OF CU4O3 THIN FILMS FABRICATED BY RF SPUTTERING 2020年11月
• HIGH TRNASMITTANCE TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES OF ROCKSALT-AL-DOPED ZNCDO FOR FULL SPECTRUM SOLAR CELLS 2020年11月
• 分子線エピタキシー法によるPドープZnTe薄膜のアニール効果 2020年10月
• 新材料開発で太陽電池の効率向上をめざす 2020年10月
• ZnSeを含む積層プリカーサを用いたセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製 2020年09月
• 分子線エピタキシー法を用いた光触媒応用に向けたZnTe1-xOx薄膜の作製と評価 2020年09月
• プラズマアシストPLD法によるサファイア基板上のコランダム構造Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長 2020年09月
• PLD法によるSi基板上へのTmドープGa2O3薄膜の作製と評価 2020年09月
• PLD法による(AlGaIn)2O3のエピタキシャル成長 2020年09月
• PLD 法を用いて作製されたEuドープ(AlGa)2O3薄膜の発光特性 2020年09月
• Erドープ(AlGa)2O3薄膜による緑色発光增強 2020年09月
• RFスパッタリング法によるGaNを用いたInGaN薄膜の作製と評価 2020年09月
• Growth of low resistive Al-doped ZnCdO thin films with rocksalt structure for Transparent Conductive Oxide 2020年06月
• Realization of rocksalt Zn1-xCdxO thin films with optical band gap above 3.0 eV by molecular beam epitaxy 2020年03月
• 分子線エピタキシー法による光触媒応用を目指したZnO1-xTex薄膜の成長 2020年03月
• Improved properties of low-resistive Al-doped ZnCdO thin films by MBE. 2020年03月
• Effect of oxygen flow rate on properties of Cu4O3 thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering 2020年02月
• Intermediate band solar cells based on highly mismatched II-VI oxide semiconductors (Invited) 2020年02月
• Growth and characterization RS-ZnCdO thin films on MgO(100) substrates by molecular beam epitaxy 2019年12月
• Influence of nitrogen doping on properties of Cu4O3 thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering for low-cost solar cells. 2019年11月
• Influence of oxygen flow rate on properties of Al-doped ZnCdO thin films grown by radicalsource molecular beam epitaxy 2019年11月
• 分子線エピタキシー法によるZnOTe薄膜の作製と評価 2019年11月
• GaAs(110)面上へのZnSe 薄膜のMBE成長 2019年11月
• ZnSeを含む積層プリカーサのセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価 2019年11月
• ZnCdTeO中間バンド型太陽電池におけるClドーピング効果 2019年11月
• InPをドーパント源に用いたPドープZnTe薄膜のアニール効果 2019年11月
• MBE growth and characterization of Cl-doped ZnCdTeO layers for intermediate band solar cells 2019年10月
• Nitrogen Doping Effect in Cu4O3 Thin Films Fabricated by Radio Frequency Magnetron Sputtering 2019年09月
• 未来を切り拓く太陽光発電技術（依頼講座） 2019年09月
• ClドープZnTeO中間バンド型太陽電池における光電変換特性の温度依存性 2019年09月
• 分子線エピタキシー法を用いたGaAs(110)基板上へのZnSe薄膜成長 2019年09月
• Effects of the host conduction band energy on the electronic band structure of ZnCdTeO dilute oxide alloys 2019年08月
• Growth and characterization of ZnCdO thin films on MgO(100) substrates by MBE. 2019年07月
• MBE法によるClドープZnCdTeO薄膜の成長と評価 2019年07月
• Cl-doping effect in ZnTe1-xOx highly mismatched alloys for intermediate band solar cells 2019年06月
• Oxygen Concentration Dependence of Photovoltaic Properties of Intermediate Band Solar Cells based on Cl-doped ZnTeO 2019年06月
• Demonstration of Low-Resistive P-Type Cu4O3 Thin Films by Radio Frequency Sputtering for Low-Cost Thin Film Solar Cells 2019年05月
• Growth of Al-doped ZnCdO thin films on MgO substrates by molecular beam epitaxy 2019年03月
• MBE によるCl ドープZnCdTeO 層の膜特性の組成依存性 2019年03月
• InPをドーパント源に用いたPドープZnTe薄膜のMBE成長 2019年03月
• Influence of oxygen flow rate and substrate positions on properties of Cu oxide thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering using pure Cu target 2019年01月
• Intermediate band solar cells based on highly-mismached ZnTeO alloys (Invited) 2019年01月
• 高不整合材料による中間バンド型太陽電池 (招待講演) 2018年12月
• 分子線エピタキシー法を用いたGaAs(100)基板上へのZnSe 薄膜成長 2018年12月
• 分子線エピタキシー法によるP ドープZnTe 薄膜の成長と評価 2018年12月
• Cl ドープZnTeO 中間バンド型太陽電池における光電変換特性の酸素濃度及び温度依存性 2018年12月
• Characterization of Al-doped ZnCdO thin films on MgO substrates by molecular beam epitaxy 2018年12月
• Effect of oxygen flow rate and temperature on Cu4O3 Thin Films by Radio Frequency Sputtering 2018年12月
• Growth and characterization of CdZnO thin films on sapphire substrates by MBE 2018年09月
• Growth of P-doped ZnTe epilayers on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy 2018年09月
• ClドープZnTeO中間バンド型太陽電池における光電変換特性の酸素濃度依存性 2018年09月
• SnSeを用いたセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価 2018年09月
• MBE 法により成長したCl ドープZnCdTeO 薄膜の特性評価 2018年09月
• Improved photovoltaic properties of ZnTeO-based intermediate band solar cells 2018年06月
• マルチバンドギャップ半導体を用いた中間バンド型太陽電池の開発 2018年06月
• MBE成長によるZnTe薄膜へのPドーピング 2018年03月
• Improved photovoltaic properties of ZnTeO-based intermediate band solar cells [invited talk] 2018年02月
• Photoluminescence of ZnTe/ZnMgTe multiple quantum well structures grown on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy 2018年01月
• MBE growth and characterization of ZnCdO thin films on MgO substrates 2017年12月
• Photoluminescence and Photovoltaic properties of Cl-doped ZnTeO intermediate band solar cells 2017年12月
• セレン化法を用いたCuSbSe2薄膜の作製と評価 2017年12月
• Sn-P化合物をドーパント源に用いたZnTe薄膜のMBE成長 2017年12月
• Influence of oxygen contents on properties of Cl-doped ZnTeO layers grown by MBE 2017年12月
• GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ZnCdO THIN FILMS BY MOLECULAR BEAM EPITAXY FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES 2017年11月
• FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF CUSBSE2 THIN FILMS BY SELENIZATION OF METAL PRECURSORS 2017年11月
• ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF Cl-DOPED ZnTeO-BASED INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS 2017年11月
• 単一金属積層プリカーサのセレン化によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製 2017年11月
• 金属積層プリカーサのセレン化によるCuSbSe2薄膜の作製と評価 2017年09月
• ClドープZnTeO中間バンド型太陽電池の電気的特性 2017年09月
• Growth and characterization of ZnCdO thin films by molecular beam epitaxy on MgO substrates for transparent conductive oxides 2017年09月
• Intermediate band solar cells based on highly-mismached ZnTeO alloys (invited) 2017年08月
• Intermediate band solar cells based on II-VI dilute oxide semiconductors (invited) 2017年07月
• Improved Open Circuit Voltage and Photovoltaic Properties of ZnTeO-Based Intermediate Band Solar Cells with n-type ZnS Layers 2017年06月
• Effect of Cl-doping in ZnTeO on Photoluminescence and Photovoltaic Properties of ZnTeO-based Intermediate Band Solar Cells 2017年06月
• Growth and characterization of Zn1-xCdxTe1-yOy highly mismatched alloys for intermediate band solar cells 2017年05月
• MBE法によるClドープZnTeO成長と中間バンド型太陽電池への応用 2017年03月
• 金属積層プリカーサを用いたセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製 2017年03月
• 金属積層プリカーサのセレン化によるCu2ZnSnSe4 薄膜の作製と評価 2016年12月
• MBE により成長したZnCdO 薄膜の特性評価 2016年12月
• Cl ドープZnTeO 薄膜のMBE 成長と中間バンド型太陽電池への応用 2016年12月
• Synthesis of Cl-doped ZnTeO for Intermediate Band Solar Cells 2016年12月
• 中間バンド型太陽電池用ZnCdTeO薄膜の成長と評価 2016年11月
• ZnCdO透明導電膜の作製と評価 2016年11月
• Growth of Zn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5) highly mismatched alloys for intermediate band solar cells 2016年10月
• MBEによるサファイア基板上ZnCdO薄膜の光学的・電気的特性評価 2016年09月
• MBEによるZn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5)薄膜の成長と評価 2016年09月
• MBE成長ZnCdTeO薄膜の光学特性の評価と太陽電池応用 2016年09月
• ZnTeO-based multiple band gap semiconductors for intermediate band solar cells (invited) 2016年06月
• Cl-doping in Highly Mismatched ZnTe1-xOx Alloys for Intermediate Band Solar Cells 2016年06月
• MBE法によるClドープZnTeOの光学特性の評価 2016年03月
• 分子線エピタキシー法によるZnCdO薄膜の成長と評価 2016年03月
• Compositional dependence of optical transition energies in highly mismatched Zn1-xCdxTe1-yOy alloys 2016年01月
• Influence of Processing Conditions on the Performance of Cu2ZnSnS4 Nanocrystal Solar Cells 2016年01月
• 5. 高不整合材料による中間バンド型太陽電池の創製 2016年01月
• MBE法によるClドープZnTeOのフォトルミネッセンス特性の評価 2015年12月
• Zn1-xCdxTe薄膜のMBE成長と太陽電池への応用 2015年12月
• Multicolor Electroluminescence from Intermediate Band Solar Cell Structures 2015年11月
• ZnTeO-related multiple bandgap semiconductors for intermediate band solar cells application (Invited lecture) 2015年10月
• マルチバンドギャップ半導体ZnTeOを用いた中間バンド型太陽電池の開発 2015年09月
• MBEによるCl添加ZnTeO薄膜の成長と評価 2015年09月
• 分子線エピタキシー法によるZnCdO薄膜の作製と評価 2015年09月
• 多源蒸着法によるCu2SnSe3薄膜の作製および評価 2015年09月
• Multicolor Electroluminescence from Dilute Nitride Based Intermediate Band Solar Cell Structures 2015年09月
• Effects of a semiconductor matrix on the band anticrossing in dilute group II-VI oxides 2015年07月
• Mild solvothermal synthesis of Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 nanocrystals with tunable phase structure and composition 2015年07月
• Synthesis of Copper−Antimony-Sulfide Nanocrystals for Solution-Processed Solar Cells 2015年07月
• Growth and Characterization of Highly Mismatched Zn1-xCdxTe1-yOy Alloys for Intermediate Band Solar Cells 2015年06月
• Characterization of Cu2SnSe3 Thin Films Fabricated by Coevaporation 2015年06月
• Two-photon absorption in GaAs1-x-yPyNx intermediate-band solar cells 2015年05月
• ZnTe基板上へのClドープCdTe薄膜のMBE成長 2015年03月
• MBEによる高不整合材料ZnCdTeO薄膜の成長 2015年03月
• 多源蒸着法によるCu2SnSe3の作製と評価 2014年12月
• Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池応用を目指したZnO:Alおよびi-ZnO薄膜の作製と評価 2014年12月
• 分子線エピタキシ一法によるZnTe基阪上へのClドープCdTe層の成長 2014年12月
• マルチバンドギャップ半導体ZnTeOと中間バンド型太陽電池応用 2014年12月
• Optical properties of ZnTe/ZnMgTe multiple quantum wells for optoelectronic device applications 2014年11月
• ZnTeO-based intermediate band solar cells using MBE-grown n-type ZnS layers 2014年11月
• Recent progress of ZnTe-based optoelectronic devices (Invited lecture) 2014年10月
• Intermediate band solar cells based on ZnTeO epilayer with n-ZnS blocking layer 2014年09月
• n-ZnS窓層を用いたZnTeO中間バンド型太陽電池の特性評価 2014年09月
• ZnTe基板上へのZnCdTeO薄膜のMBE成長と評価 2014年09月
• MOVPE法によるm-planeサファイア基板上へのZnTeヘテロエピタキシャル成長の基板温度依存性 2014年09月
• n型ZnS窓層を用いたZnTe太陽電池の作製とアニール効果 2014年09月
• Carrier dynamics in dilute II-VI oxide highly-mismatched alloys 2014年09月
• INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS BASED ON HIGHLY MISMATCHED ZNTEO ALLOYS 2014年07月
• ZnTeO-based intermediate band solar cells (Invited) 2014年05月
• Cu2ZnSnS4 alloys synthesized from Cu2SnS3@ZnS nanoparticles via a facile hydrothermal approach 2014年04月
• ZnTe基板上へのAlドープZnSe薄膜のMBE成長と太陽電池への応用 2014年03月
• Carrier dynamics in dilute II-VI oxide highly-mismatched alloys (Invited Paper) 2014年02月
• Photogenerated current by two-step photon excitation in ZnTeO Intermediate Band Solar Cells with n-ZnO window layer 2014年01月
• Recombination dynamics and carrier lifetimes in highly mismatched ZnTeO alloys 2013年12月
• Solution-Processed Cu2ZnSnS4 Nanocrystal Solar Cells: Efficient Stripping of Surface Insulating Layers using Alkylating Agents 2013年12月
• Molecular Beam Epitaxial Growth of N-Type ZnS Layers for ZnTeO-Based Intermediate Band Solar Cells 2013年12月
• 高不整合材料による中間バンド太陽電池の創製 2013年12月
• Intermediate band solar cells based on ZnTeO (Invited Talk) 2013年11月
• Development of ZnTeO-based Intermediate band solar cells (invited) 2013年11月
• 分子線エピタキシー法によるZnTe基板上へのZnMgSeTe四元混晶の成長 2013年11月
• ZnTe基板上へのAlドープZnSe薄膜のMBE成長と評価 2013年11月
• n型ZnS窓層を用いたZnTe太陽電池の作製と評価 2013年11月
• Synthesis of the Cu2ZnSn(S,Se)4 alloys with tunable phase structure and composition via a novel non-toxic solution method 2013年10月
• Synthesis of the Cu2ZnSn(S,Se)4 Powder with Tunable Phase Structure and Composition via a Novel Non-Toxic Solution Method 2013年10月
• Effect of KCN-Etching on Photovoltaic Properties of Cu2ZnSnSe4 Thin Film Solar Cell 2013年10月
• Growth of n-type ZnS blocking epilayers for ZnTeO-based intermediate band solar cells 2013年10月
• Photovoltaic research activity at Saga University (Invited lecture) 2013年09月
• Molecular beam epitaxy of n-ZnS epilayers for ZnTe solar cell application 2013年09月
• Growth and characterization of ZnMgSeTe epilayers on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy 2013年09月
• Two-step photon absorption in intermediate band solar cells based on ZnTeO 2013年09月
• n-ZnS/p-ZnTe太陽電池におけるi-ZnS層挿入効果 2013年09月
• Photogenerated current by two-step photon excitation in ZnTeO Intermediate Band Solar Cells 2013年06月
• ZnTeO系高不整合材料による中間バンド型太陽電池の作製 2013年05月
• ZnTeO系高不整合材料による中間バンド型太陽電池の作製 2013年05月
• Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells 2013年03月
• n型ZnSを用いたZnTe太陽電池の作製 2013年03月
• ZnTe基板上へのZnMgSeTe四元混晶のMBE成長 2013年03月
• Development of ZnTe-based solar cells 2013年02月
• Photocurrent induced by two-photon excitation in ZnTeO intermediate band solar cells 2013年02月
• 第2編 第7章 第6節 ZnTe基板とLEDへの応用 2013年
• ZnTe系材料の物性と光デバイス応用（招待講演） 2012年12月
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnSe4薄膜太陽電池におけるKCNエッチング効果 2012年12月
• ZnCdTeOを用いた中間バンド型太陽電池の作製と評価 2012年12月
• 分子線エピタキシー法によりZnTe基板上に成長させたn型ZnS薄膜の作製と評価 2012年12月
• 高不整合材料による中間バンド太陽電池の創製 2012年12月
• Fabrication of CZTS based Solar Cells Using Nanocrystals 2012年10月
• 酸素イオン注入によるマルチバンドギャップ半導体ZnTe1-xOxの作製と光学特性の評価 2012年10月
• ZnTeO中間バンド型太陽電池における二段階光吸収による電流生成 2012年10月
• 太陽電池の基礎と応用（招待講演） 2012年09月
• Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells 2012年09月
• ZnTeO中間バンド型太陽電池の作製と特性評価 2012年09月
• ナノ結晶を用いたCu2ZnSnS4薄膜の調製と太陽電池特性 2012年09月
• Development of ZnTe-based solar cells 2012年08月
• Synthesis of Cu2ZnSnS4 nanocrystals and fabrication of thin films for photovoltaic application 2012年08月
• 高不整合材料による中間バンド型太陽電池 2012年08月
• Synthesis and Optical Properties of ZnTe1-xOx Highly Mismatched Alloys for Intermediate Band Solar Cells 2012年06月
• Green LEDs and Solar Cells based on ZnTe-related Materials (Invited) 2012年05月
• Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE 2012年05月
• ZnTeO系高不整合材料の作製と中間バンド太陽電池への応用 2012年05月
• Existence and removal of Cu2Se second phase in coevaporated Cu2ZnSnSe4 thin films 2012年03月
• ZnCdTeOのMBE成長と物性評価 2012年03月
• Synthesis of multiple-bandgap semiconductor for intermediate-band solar cells 2012年03月
• Growth of ZnTe layers on (111) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 2012年02月
• Effects of substrate temperature upon the properties of ZnMgTe layer grown by MOVPE 2012年01月
• Molecular beam epitaxial growth and optical properties of highly mismatched ZnTe1-xOx alloys 2012年01月
• Enhanced Efficiency of ZnTe-Based Green Light-Emitting Diodes 2012年
• MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF ZnTe1-XOX LAYERS FOR INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL APPLICATIONS 2011年12月
• COMPOSITION DEPENDENCE OF ELECTRICAL PROPERTIES OF CU2ZNSNSE4 THIN FILMS FABRICATED BY CO-EVAPORATION 2011年12月
• INHOMOGENEITY IN THE PHOTOREFLECTANCE OF GANAS GROWN BY ATOMIC H-ASSISTED MBE 2011年12月
• Effect of VI/II ratio upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnTe films grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2011年11月
• MBE法によるZnCdTe成長と物性評価 2011年11月
• 酸素イオン注入により作製したZnTeO薄膜の評価 2011年11月
• Optical Characterization of ZnTeO Intermediate Band Solar Cells 2011年09月
• 分子線エピタキシー法により形成したZnTeO薄膜の光学特性 2011年09月
• ZnTeO薄膜の分子線エピタキシャル成長と評価 2011年09月
• Cu2ZnSnSe4薄膜におけるCu2Se相の選択エッチングに関する研究 2011年09月
• 透明導電膜を用いたZnTe太陽電池の作製と評価 2011年09月
• Demonstration of ZnTe1-xOx Intermediate Band Solar Cell 2011年07月
• Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy 2011年06月
• Crystal growth and doping of ZnTe-based materials for optoelectronic applications 2011年06月
• DEVELOPMENT OF INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL BASED ON ZNTE1-xOx SYNTHESIZED BY OXYGEN ION IMPLANTATION 2011年06月
• 酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性と中間バンド太陽電池応用 2011年06月
• Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method 2011年04月
• Photo-modulated Reflectance of GaNAs Grown by Atomic Hydrogen-assisted MBE 2011年04月
• Al熱拡散を用いたZnTeホモ接合太陽電池の作製と評価 2011年03月
• 酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性 2011年03月
• Growth of ZnTe nanowires by molecular beam exitaxy 2011年03月
• マルチバンドギャップ半導体ZnTeOによる中間バンド太陽電池の開発 2011年03月
• MBE-VLS成長によるZnTeナノワイヤの特性評価 2010年11月
• ZnTeホモ接合太陽電池の作製と評価 2010年11月
• MBE法により作製したZnTe/ZnMgTe量子井戸構造の光学特性 2010年11月
• 多源蒸着法により作製したCu2ZnSnSe4薄膜の膜特性の組成依存性 2010年11月
• Preparation of Cu(In,Ga)Se2 thin films with Ga content of around 0.8 and their solar cell application 2010年09月
• ZnTe基板上へのZnTeナノワイヤのMBE-VLS成長 2010年09月
• ZnTe/ZnMgTe量子井戸構造のMBE成長と評価 2010年09月
• Demonstration of homojunction ZnTe solar cells 2010年08月
• Development of ZnTe1-xOx intermediate band solar cells 2010年06月
• Influence of composition ratio on properties of Cu2ZnSnS4 thin films fabricated by co-evaporation 2010年04月
• 酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性 2010年03月
• マルチバンドギャップ半導体ZnTeOによる中間バンド太陽電池の開発 2010年03月
• Growth of ZnTe nanowires by molecular beam exitaxy 2010年03月
• Development of ZnTe Green LED at Saga University 2010年01月
• Recent Progress in ZnTe-based green LED 2009年12月
• Enhanced light output from ZnTe light emitting diodes by utilizing thin film structure 2009年12月
• 分子線エピタキシー法によるGaAs基板上へのZnTeナノワイヤー成長の評価 2009年11月
• 有機金属気相成長法により作製されたAlドープZnTeエピ膜のフォトルミネッセンススペクトルの解析 2009年11月
• 分子線エピタキシー法により作製したZnTe/ZnMgTe量子井戸の評価 2009年11月
• MOVPE 法によるAl3O2 基板上ZnTeエピタキシャル成長膜のバッファー層効果 2009年11月
• MOVPE法によるZn1-xMgxTeエピ膜の光学的電気的特性に及ぼすTDMAP供給量の効果 2009年11月
• ブリッジマン法によるＰドープZnMgTe結晶のフォトルミネッセンススペクトルの解析 2009年11月
• 高周波マグネトロンスパッタリング法によるInGaN薄膜成長に関する研究 2009年11月
• 陽極酸化ポーラスアルミナを用いたナノ構造作製に適したAl膜作製の成長条件 2009年11月
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnSe4の作製と評価 2009年11月
• ZnTeを用いた光デバイスの開発 2009年09月
• RFスパッタリング法によるInGaN薄膜成長に関する研究 2009年09月
• MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル成長膜の構造特性 2009年09月
• Improvement in the Quality of ZnTe Epilayers Grown on GaAs Substrates by Introducing a Low-temperature Buffer Layer 2009年08月
• Influence of low-temperature buffer layer on properties of ZnTe grown on GaAs substrates 2009年08月
• Temperature dependence of photoluminescence from P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method 2009年08月
• Growth of low-resistivity p-type ZnMgTe layers by MOVPE 2009年08月
• Buffer Layer Effects on Properties of ZnTe for Terahertz Device Application 2009年08月
• Heteroepitaxial growth of InN layers on (111) silicon substrates 2009年07月
• Growth of InGaN films by reactive sputtering 2009年07月
• Characterization of Cu2ZnSnS4 thin film fabricated by co-evaporation 2009年07月
• Cu(In,Ga)Se2 thin films with high Ga/III ratio prepared by sequential evaporation from ternary compounds and their solar cell applications 2009年07月
• Effects of growth parameters on surface roughness of rf magnetron sputtered Al films 2009年07月
• Growth and characterization of ZnTe for pure-green light emitting diodes and terahertz devices (Invited Lecture) 2009年06月
• 三元化合物からの真空蒸着法によるCu(In,Ga)Se2薄膜の作製(VI) 2009年04月
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価 2009年04月
• Al熱拡散法によるZnTe緑色LEDの作製と評価 2009年03月
• ZnTe based light emitting diodes fabricated by solid-state diffusion of Al through an Al oxide layer 2009年02月
• Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers 2009年01月
• Fabrication of a ZnTe light emitting diode by Al thermal diffusion into a p-ZnTe epitaxial layer on a p-ZnMgTe substrate 2009年01月
• 第２編　第７章　第３節　ZnTe基板・応用デバイス 2009年01月
• 新材料による高効率純緑色発光ダイオード 2009年01月
• Surface morphology and optical properties of ZnTe epilayers on GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 2009年
• Fabrication of ZnTe Light Emitting Diode by Al Thermal Diffusion through Surface Oxidation Layer 2008年11月
• Pドープ Zn1-xMgxTeエピタキシャル膜の電気的光学的性質に及ぼすアニーリング効果 2008年11月
• Influence of precursor transport rate upon the optical and electrical properties of P-ZnTe homoepilayer grown by MOVPE system 2008年10月
• Optical Properties of ZnTe Grown on Sapphire Substrates 2008年10月
• Optoelectronics research in Saga University VBL 2008年10月
• Epitaxial Growth and Characterization of AlInN Layers for Multi-Junction Tandem Solar Cells (Invited) 2008年09月
• ナノ薄膜利用による新しい低コスト緑色LEDの開発 2008年09月
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製と太陽電池の試作 2008年09月
• Al酸化膜を用いたAl熱拡散法によるZnTe-LEDの作製 2008年09月
• 有機金属気相成長法によるZn1-xMgxTeへのドーピング 2008年09月
• 低コスト製造法による高効率純緑色発光ダイオードの開発 2008年09月
• 低コスト緑色LED　テルル化亜鉛原料　佐賀大が製造法 2008年08月
• 低コスト製造法で緑色LED開発　テルル化亜鉛ベース 2008年08月
• Heteroepitaxial growth of InN thin films on (111) silicon substrates 2008年07月
• 材料コスト大幅低減　佐賀大学　テルル化亜鉛系を開発 2008年07月
• 緑色LED安価に　ガリウム使わず　材料・製造低コスト 2008年06月
• 佐賀大学が新材料で緑色LEDを試作　「低コスト化と高効率化に向く」 2008年06月
• Optical Properties of ZnTe epilayers on GaAs substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 2008年05月
• 低コスト製造法による高効率純緑色発光ダイオードの開発 2008年05月
• MBE法によるZn1-xMgxTe混晶成長と量子井戸構造の作製 2008年03月
• 常圧MOVPE法により作製された燐ド－プZnTe膜の品質と基板温度の関係 2008年03月
• Al酸化膜を介したAl熱拡散により作製したZnTe LEDの評価 2008年03月
• Structural and Optical Properties of AlInN Films Grown on Sapphire Substrates, 2008年
• Epitaxial growth of ZnMgTe with a wide composition range on ZnTe substrate by molecular beam epitaxy 2008年
• Improvement of MOVPE grown ZnTe:P layers by annealing treatment 2008年
• Growth of undoped ZnMgTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy 2008年
• Microfabrication of ZnO on PTFE Template Patterned by Synchrotron Radiation 2008年
• EFFECT OF COMPOSITIONAL RATIO ON PROPERTIES OF CU2ZNSNS4 THIN FILM FABRICATED BY CO-EVAPORATION, 2007年12月
• FUNDAMENTAL PROPERTIES OF EPITAXIAL ALINN SEMICONDUCTORS, 2007年12月
• シンクロトロン光によるPTFE 薄膜の成長に関する研究 2007年12月
• ZnTe ナノ構造の作製に関する研究 2007年12月
• Si(111)基板上のInN 薄膜成長に関する研究 2007年12月
• MOVPE 法によるGaAs 基板上ZnTe エピタキシャル膜の作製と評価 2007年12月
• MOVPE 法によるサファイア基板上のZnTe エピタキシャル成長膜の構造特性 2007年12月
• 有機金属気相成長法により作製された燐ドープZnTe エピ層の表面モフォロジの改善 2007年12月
• P ドープZnTe エピ膜のフォトルミネッセンス及び電気的特性に及ぼすアニール効果 2007年12月
• 分子線エピタキシー法によるZnTe 基板上へのZn1-xMgxTe エピタキシャル成長 2007年12月
• MOVPE 法によるアンドープZnMgTe エピ膜のPL 特性 2007年12月
• 垂直ブリッジマン法による大型ZnMgTe バルク成長の試み 2007年12月
• Microfabrication of ZnO on PTFE template patterned by synchrotron radiation, 2007年09月
• Surface morphology of ZnTe:P(100) homoepitaxially grown by horizontal MOVPE technique, 2007年09月
• Heteroepitaxial growth of ZnTe thin films on sapphire substrates for terahertz devices applications, 2007年09月
• 半導体装置及びその製造方法 2007年09月
• Fabrication of ZnTe light emitting diode on p-ZnMgTe substrate by Al thermal diffusion, 2007年08月
• Epitaxial growth of ZnMgTe with a wide composition range on ZnTe substrate by molecular beam epitaxy, 2007年07月
• Improvement of MOVPE grown ZnTe:P layers by annealing treatment, 2007年07月
• Growth of undoped ZnMgTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy, 2007年07月
• Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers, 2007年07月
• Epitaxial growth of InN on (111) silicon substrates, 2007年07月
• Epitaxial Growth of Ternary AlInN on Sapphire Substrates 2007年06月
• Nanofabrication of PTFE films by synchrotron radiation, 2007年06月
• SAGA Light Sourceの現状及びシンクロトロン光を用いたプロセス技術 2007年04月
• 同時蒸着法によるCu2ZnSnS4薄膜の膜特性の組成依存性 2007年03月
• PドープZnTeホモエピタキシャル膜の熱処理効果 2007年03月
• ZnTeにおけるAl熱拡散特性の評価 2007年03月
• シンクロトロン光励起プロセスの半導体応用と展望 2007年02月
• FABRICATION OF MICRO-ARRAY OF ZINC OXIDE SEMICONDUCTORS 2007年01月
• Observation of ultra-broadband terahertz emission from ZnTe films grown by metaloganic vapor epitaxy 2007年
• Design of Beamline BL9 at Saga Light Source 2007年
• Effects of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethlaminophosphorus 2007年
• Growth characteristics of ZnMgTe layer on ZnTe substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 2007年
• Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy growth of ZnTe 2007年
• Growth and characterization of ZnTe epilayers on (100) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 2007年
• Effects of Sapphire Substrate Preparation on ZnO Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition 2007年
• Structural and Optical Properties of ZnMgO Films Grown by Metal Organic Decomposition 2007年
• Characterization of Al-doped ZnTe layer fabricated by Al thermal diffusion 2007年
• Reactive sputter deposition of AlInN thin films 2007年
• Study of Al thermal diffusion in ZnTe by secondary ion mass spectroscopy 2007年
• Post-annealing effect upon phosphorus-doped ZnTe homoepitaxial layers grown by MOVPE 2007年
• 化合物半導体の最新技術大全集 2007年
• Growth Properties of Polytetrafluoroethylene Films by Synchrotron Radiation Ablation 2007年
• Structural properties of ZnTe epilayers grown on (0001) α-Al2O3 substrates by metalorganic vapor phase epitaxy 2007年
• Reactive Ion Etching of Zinc Oxide Using Methane and Hydrogen Gases [published November 8, 2006] 2006年11月
• Fabrication of Zinc Oxide Microstructures Using Synchrotron Light 2006年11月
• Influence of surface treatment on properties of ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion 2006年11月
• Si(111)基板上のInNエピタキシャル成長に関する研究 2006年11月
• MOVPE法により成長したPドープZnTeエピ膜における表面形態と基板温度の関係 2006年11月
• α-Al2O3(0001)基板上のZnTe薄膜のエピタキシャル成長 2006年11月
• PドープZnMgTeバルク結晶の格子定数とバンドギャップのMg組成依存性 2006年11月
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製と評価 2006年11月
• 二次イオン質量分析法を用いたZnTeにおけるAl熱拡散層の評価 2006年11月
• SIMS study of Al thermal diffusion in ZnTe 2006年09月
• Post-annealing effect upon phosphorus-doped ZnTe homoepitaxial layers grown by MOVPE 2006年09月
• 低コスト製造法による高効率純緑色発光ダイオードの開発 2006年09月
• Fabrication of ZnTe Epilayers for Terahertz Devices Applications 2006年09月
• MOVPE法によるZnMgTe薄膜の成長特性 2006年09月
• PドープZnTeエピ膜のPL特性に及ぼすアニール効果 2006年09月
• MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル膜の成長と結晶性の評価 2006年09月
• ZnO薄膜のRIEによる微細加工に関する研究 2006年09月
• 半導体の製造方法 2006年08月
• Present Status and Future Prospect of Saga Synchrotron Light Project 2006年08月
• Characterization of Al-doped ZnTe layer fabricated by Al thermal diffusion 2006年07月
• Research on semiconductor materials for optoelectronic applications 2006年06月
• Growth and Characterization of AlInN Films 2006年06月
• Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy growth of ZnTe 2006年05月
• Growth Characteristics of ZnMgTe Layer on ZnTe Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2006年05月
• Effects of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethlaminophosphorus 2006年05月
• Design of Beamline BL9 at Saga Light Source 2006年05月
• Growth and Characterization of ZnTe epilayers on GaAs substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 2006年05月
• Fabrication of stannite Cu2ZnSnS4 thin films by physical vapor deposition 2006年03月
• Optical and Electrical Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Bridgman Method 2006年03月
• Effect of surface treatment on properties of ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion 2006年
• Effects of substrate temperature upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethlaminophosphorus 2006年
• Phosphorus-doped ZnMgTe bulk crystals grown by Vertical Bridgman Method 2006年
• Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2006年
• Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films by co-evaporation 2006年
• Optical and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe bulk crystals grown by Bridgman method 2006年
• Cathodoluminescence study of anodic nanochannel alumina 2006年
• Growth properties of AlN films on sapphire substrates by reactive sputtering 2006年
• MOD 法によるZnO の作製及び評価 2005年11月
• 厚膜フォトレジストを用いた３次元構造の作製 2005年11月
• 有機金属気相成長法により作製したAl ドープZnTe エピタキシャル層中のAl 濃度とフォトルミネッセンス特性に及ぼすVI/II原料供給量比の効果 2005年11月
• Al 熱拡散法で作製したZnTe LED における表面処理の効果 2005年11月
• トリスジメチルアミノ燐を用いた常圧MOVPE 成長におけるZnTe のフォトルミネッセンスと電気的特性に及ぼす基板温度効果 2005年11月
• 垂直ブリッジマン法により成長したP ドープZnMgTe バルク結晶の評価 2005年11月
• Growth of AlInN films for multi-junction tandem solar cells 2005年10月
• Effect of surface treatment on properties of ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion 2005年09月
• Effects of substrate temperature upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethlaminophosphorus 2005年09月
• Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2005年09月
• 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター・県有ビームラインBL9の設計とシンクロトロン光励起プロセスへの応用 2005年09月
• 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター・県有ビームラインBL9の設計とシンクロトロン光励起プロセスへの応用, 2005年09月
• 拡散制御層を用いたAl熱拡散によるZnTe純緑色LEDの作製 2005年09月
• Phosphorus-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Vertical Bridgman Method 2005年09月
• Optical Properties of Anodic Nanochannel Alumina 2005年08月
• Epitaxial growth properties of AlN films on sapphire substrates by reactive sputtering 2005年06月
• Microscopic investigations of aluminum nitride thin films grown by low-temperature reactive sputtering 2005年
• Synchrotron radiation-excited etching of ZnTe using Ar gas 2005年
• X-ray absorption near-edge fine structure study of AlInN semiconductors 2005年
• Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by hybrid sputtering 2005年
• 半導体素子の製造方法 2005年
• Observation of visible luminescence from indium nitride at room temperature 2005年
• Recovery from Dry Etching Damage in ZnTe by Thermal Annealing 2005年
• Strong Room-Temperature UV Luminescence from ZnO Grown by Metal Organic Decomposition Method (Brief Communication) 2005年
• Development of Synchrotron Light-Excited Process 2004年12月
• Synchrotron Light-Excited Growth and Etching of Semiconductors 2004年12月
• 陽極酸化ポーラスアルミナの作製と評価に関する研究 2004年11月
• 県有ビームラインＢＬ１の設計概要と利用分野（招待講演） 2004年10月
• Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by hybrid sputtering 2004年09月
• ダブルショットキー法によるZnTeの電気的特性評価 2004年09月
• 連続積層法による太陽電池用Cu2ZnSnS4薄膜の作製と評価 2004年09月
• 有機金属気相成長法によるホウ素ドープZnTe薄膜の成長と評価 2004年09月
• 垂直ブリッジマン法によるBNるつぼを使用したZnMgTeバルク単結晶の作製と評価 2004年09月
• Saga Synchrotron Light and its Application for Advanced Science/Technology and Regional Development 2004年09月
• Synchrotron radiation-excited etching of ZnTe using Ar gas 2004年08月
• シンクロトロン光励起プロセスによる半導体材料加工（招待講演） 2004年07月
• 県有ビームラインBL１の整備状況（招待講演） 2004年07月
• Synchrotron Radiation-Excited Etching of ZnTe 2004年
• Electroluminescence and photoluminescence characteristics in ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion 2004年
• Growth of phosphorus-doped ZnTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy using tris-dimethylaminophosphorus 2004年
• 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター事業の現状と利用計画 2004年
• Selective Dry Etching of Zinc Telluride Using Aluminum Mask 2004年
• Growth condition dependence of structure and surface morphology of GaN films on (111)GaAs substrates prepared by reactive sputtering 2004年
• 電磁調理器用土鍋，森義久 2004年
• Depth dependence of photoluminescence spectra of Al thermal diffusion layer in ZnTe LED 2003年09月
• Influence of Al thermal diffusion time on electroluminescence properties of ZnTe LED 2003年09月
• Synchrotron Radiation-Excited Etching of ZnTe 2003年08月
• Growth properties of reactive sputtered AlInN films 2003年05月
• Characteristics of reactive ion etching for zinc telluride 2003年
• Effect of Cl ion implantation on electrical properties of CuInSe2 thin films 2003年
• Effect of 8MeV electron irradiation on electrical properties of CuInSe2 thin films 2003年
• Growth and optical properties of high-quality ZnTe homoepitaxial layers by metalorganic vapor phase epitaxy 2003年
• Photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layers grown by synchrotron-radiation-excited growth using nitrogen carrier gas 2003年
• Fabrication of ZnTe Light-Emitting Diodes Using Bridgman-Grown Substrates 2003年
• Photoluminescence of iodine-doped ZnTe homoepitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2003年
• Photoluminescence of Cl-doped ZnTe epitaxial layer grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy 2003年
• 化合物半導体の加工方法、及び化合物半導体の加工装置 2003年
• MOVPE Growth and characterization of high quality ZnTe homoepitaxial layers 2002年06月
• Photoluminescence properties of chlorine-doped ZnTe grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2002年06月
• Photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial films deposited by photo-excited growth using synchrotron-radiation light 2002年01月
• Effect of iodine doping on photoluminescence properties of ZnTe grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2002年
• Photoluminescence spectra of arsenic-doped ZnTe films grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) using triethylarsine 2002年
• II-VI族化合物半導体結晶を基板とする光電変換機能素子の製造方法 2002年
• 有機金属気相成長によるｐ型のテルル化亜鉛の製造方法 2002年
• II-VI族化合物半導体のドライエッチング方法 2002年
• Effect of Substrate Position in i-ZnO Thin Film Formation to Cu(In,Ga)Se2 Solar Cell 2001年11月
• Photoluminescence properties of iodine-doped ZnTe grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2001年10月
• Arsenic and Phosphor P-type Doping of Bulk ZnTe for LED Applications 2001年10月
• Investigation into the influence of GaN buffer layer on crystallinity of InN 2001年07月
• Growth of Arsenic-Doped ZnTe by MOVPE using Triethylarsine 2001年07月
• Effect of Gas Flow Rate on Properties of ZnTe Epitaxial Layers Grown by Horizontal Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2001年07月
• Heteroepitaxial Growth of GaN on (111)GaAs Substrates 2001年07月
• Effect of 8MeV-electron irradiation on electrical properties of CuInSe2 thin films 2001年06月
• Implantation of Chlorine ion into CuInSe2 thin films 2001年06月
• Growth rate characteristics and photoluminescence properties of ZnTe grown by MOVPE and photo-assisted MOVPE 2001年
• CuInSe2 and its related thin films prepared by rf sputtering and laser ablation methods 2001年
• Irradiation effect of 8MeV-electron on electrical properties of CuInSe2 thin films 2000年07月
• Effect of electron irradiation on properties of CuInSe2 thin films 2000年03月
• Effect of electron irradiation on properties of CuInSe2 thin films 2000年
• Effect of Mg ion implantation on electrical properties of CuInSe2 thin films 2000年
• Mg ion implantation in CuInSe2 thin films 1999年09月
• Effect of substrate temperature on properties of thin films prepared by RF sputtering from CuInSe2 target with Na2Se 1999年
• Preparation and characterization of (Cd,Zn)S thin films by chemical bath deposition for photovoltaic devices 1998年08月
• Effect of substrate temperature on properties of thin films prepared by RF sputtering from CuInSe2 target with Na2Se 1998年08月
• CHARACTERIZATION OF CuInSe2 THIN FILMS FABRICATED BY RF SPUTTERING WITH ALKALI METALS 1998年07月
• Characterization of Cu(In,Ga)2Se3.5 thin films prepared by rf sputtering from Cu(In,Ga)Se2 with Na2Se 1998年
• Influence of incorporation of Na on CuInSe2 thin films 1998年
• Influence of incorporation of Na on CuInSe2 thin films 1997年09月
• Preparation of Cu(In,Ga)2Se3.5 Thin Films by RF Sputtering from stoichiometric Cu(In,Ga)Se2 target with Na2Se 1997年
• Characterization of CuInS2 thin films prepared by sputtering from binary compounds 1996年11月
• Preparation of CuInSe2 thin films with large grain by excimer laser ablation 1996年11月
• Influence of annealing temperature on the properties of Cu(In,Ga)Se2 thin films by thermal crystallization in Se vapor 1996年11月
• Characterization of Cu(In,Ga)2Se3.5 thin films prepared by rf sputtering from Cu(In,Ga)Se2 with Na2Se 1996年11月
• Preparation of ordered vacancy chalcopyrite thin films by RF sputtering from CuInSe2 target with Na2Se 1996年
• (Cd,Zn)S THIN FILMS PREPARED BY CHEMICAL BATH DEPOSITION FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES 1995年09月
• FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF CuIn(SxSe1-x)2 THIN FILMS BY RF SPUTTERING 1995年09月
• Characterization of CuInSe2 thin films prepared by Excimer Laser Ablaton 1995年09月
• Influence of precursor structure on the properties of Cu(In,Ga)Se2 thin fims by thermal crystallization 1995年09月

著書

• 5. 高不整合材料による中間バンド型太陽電池の創製;　2016年01月
  発表情報;　太陽光と光電変換機能―異分野融合から生まれる次世代太陽電池―, pp. 33-38 (2016)
  著者;　田中徹
  
• 第2編 第7章 第6節 ZnTe基板とLEDへの応用;　2013年
  発表情報;　2013化合物半導体技術大全, 株式会社電子ジャーナル (2013).
  著者;　田中徹，斉藤勝彦, 西尾光弘，郭其新
  
• Enhanced Efficiency of ZnTe-Based Green Light-Emitting Diodes;　2012年
  発表情報;　Light-Emitting Diodes and Optoelectronics: New Research, Nova Science Publishers, Inc. New York (2012, in press). ISBN: 978-1-62100-448-6.
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio
  
• Recent Progress in ZnTe-based green LED;　2009年12月
  発表情報;　Handbook of Light Emitting and Schottky Diode Research (Nova Science Publishers, Inc. New York (2009). ISBN: 978-1-60692-462-4)
  著者;　Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Hiroshi Ogawa
  
• 第２編　第７章　第３節　ZnTe基板・応用デバイス;　2009年01月
  発表情報;　2009化合物半導体技術大全, 株式会社電子ジャーナル, 92-95
  著者;　田中徹，西尾光弘，郭其新，小川博司
  
• 化合物半導体の最新技術大全集;　2007年
  発表情報;　技術情報協会, 第4章第2節, pp.311-325, (2007)., 4-2, 311-325
  著者;　小川博司, 西尾光弘, 田中徹
  
• Characteristics of reactive ion etching for zinc telluride;　2003年
  発表情報;　Recent Research Developments in Physics. 4 , Transworld Research Network, 123-132
  著者;　Q.X. Guo, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa,
  
• Growth rate characteristics and photoluminescence properties of ZnTe grown by MOVPE and photo-assisted MOVPE;　2001年
  発表情報;　Recent Advances in Applied Physics (Global Research Network) , 2, 69-91
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Tooru Tanaka, Qixin Guo and Hiroshi Ogawa,
  
• CuInSe2 and its related thin films prepared by rf sputtering and laser ablation methods;　2001年
  発表情報;　Ternary and Multinary Compounds in the 21st Century (Edited by T. Matsumoto, The Institute of Pure and Applied Physics(IPAP), 2001), 145-150
  著者;　T.Yamaguchi, T.Tanaka, Y.Yamamoto and A.Yoshida,
  

原著論文

• Low-temperature photoluminescence properties of Tm-doped Ga2O3 films,;　2024年03月
  発表情報;　Optical Materials, in press (2024).
  著者;　Zewei Chen, Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Characteristics of Light-Emitting Diodes Based on Terbium-Doped Ga2O3 Films,;　2024年02月
  発表情報;　Phys. Status Solidi RRL 18, 2300481, 2024.
  著者;　Qixin Guo, Yushi Koga, Zewei Chen, Katsuhiko Saito, and Tooru Tanaka
  
• Temperature-dependent photoluminescence of r-GeO2 film deposited on r-plane sapphire by synchrotron radiation excitation;　2024年01月
  発表情報;　Journal of Luminescence 267 (2024) 120353.
  著者;　Gaofeng Deng, Yafei Huang, Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Makoto Arita, Qixin Guo
  
• Improved phosphorus doping in ZnTe by molecular beam epitaxy under alternating source supply;　2023年12月
  発表情報;　Journal of Applied Physics,134, 193101 (2023).
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, and Tooru Tanaka
  
• Low temperature growth of MgGa2O4 films for deep ultraviolet photodetectors ;　2023年09月
  発表情報;　Optical Materials, 143, 114267 (2023).
  著者;　Qixin Guo, Junya Tetsuka, Zewei Chen, Makoto Arita, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka
  
• Color-Tunable Light Emitting Diodes Based on Rare Earth Doped Gallium Oxide Films (Review Paper);　2023年08月
  発表情報;　ACS Applied Electronic Materials, 5, 4002-4013 (2023).
  著者;　Qixin Qixin, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka,
  
• Growth and characteristics of terbium doped Ga2O3 luminescent films;　2023年08月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 620, 127361 (2023).
  著者;　Qixin Guo, Yushi Koga, Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka
  
• Enhancement of photoluminescence from Tm-doped (AlxGa1−x)2O3 thin films by pulsed laser deposition ;　2023年07月
  発表情報;　Ceramics International, 49, 28702-28710 (2023).
  著者;　Zewei Chen, Makoto Arita, Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Temperature dependence of luminescence characteristics from Eu doped Ga2O3 thin films excited by synchrotron radiation source;　2023年06月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 62(6), 061004 (2023).
  著者;　Yafei Huang, Gaofeng Deng, Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Growth of Phosphorus-doped ZnTe Thin Films by Molecular Beam Epitaxy Using InP as Dopant Source;　2023年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics (in press).
  著者;　Muhamad Mustofa, Seiya Mishima, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Room-Temperature Synthesized Amorphous P-Type Transparent Ga2O3-Cu2S Alloy Thin Films with Tunable Optoelectronic Properties;　2023年01月
  発表情報;　Applied Surface Science, 615, 156341 (2023).
  著者;　Xiao Hu Lv, Zhan Hua Li, Yuan Shen Qi, Tooru Tanaka, Qi Xin Guo, Kin Man Yu, and Chao Ping Liu
  
• Effect of heterojunction structures on photoelectrochemical properties of ZnTe-based photocathodes for water reduction;　2023年01月
  発表情報;　RSC Advances, 13, 575, (2023).
  著者;　Tooru Tanaka, Ryusuke Tsutsumi, Tomohiro Yoshinaga, Takaki Sonoyama, Katsuhiko Saito, Qixin Guo and Shigeru Ikeda
  
• Optoelectronic properties and ultrafast carrier dynamics of copper iodide thin films;　2022年12月
  発表情報;　Nature Communications, 13, 6346, 2022.
  著者;　Zhan Hua Li, Jia-Xing He, Xiao Hu Lv, Ling Fei Chi, Kingsley O. Egbo, Ming-De Li, Tooru Tanaka, Qixin Guo, Kin Man Yu, and Chao Ping Liu
  
• Heteroepitaxy of (100)-oriented rutile GeO2 film on c-plane sapphire by pulsed laser deposition;　2022年11月
  発表情報;　Materials Letters, 326, 132945 (2022).
  著者;　Gaofeng Deng, Yafei Huang, Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Makoto Arita, and Qixin Guo
  
• Near infrared-II light-emitting devices based on Er-doped Ga2O3 films;　2022年10月
  発表情報;　Optical Materials, 132, 112786, (2022).
  著者;　Zewei Chen, Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Current-controlled electroluminescence from light-emitting diodes based on Tm, Er, and Eu codoped Ga2O3 thin films;　2022年08月
  発表情報;　Applied Physics Express,15, 081005, (2022).
  著者;　Yafei Huang, Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Low-temperature growth of In2O3 films on a-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition;　2022年08月
  発表情報;　Thin Solid Films, 756, 139383 (2022).
  著者;　Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Strong enhancement of red photoluminescence from Eu doped Ga2O3 films by thermal annealing;　2022年05月
  発表情報;　Journal of Luminescence 246 (2022) 118858., 246, 118858
  著者;　Yafei Huang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Near-infrared light-emitting diodes based on Tm-doped Ga2O3;　2022年05月
  発表情報;　Journal of Luminescence 245 (2022) 118773., 245, 118773
  著者;　Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Facile synthesis of Cu2O nanorods in the presence of NaCl by successive ionic layer adsorption and reaction method and its characterizations;　2022年04月
  発表情報;　Royal Society Open Science, 9 (2022) 211899., 9, 211899
  著者;　Md Alauddin Hossain, Syed Farid Uddin Farhad, Nazmul Islam Tanvir, Jang Hyo Chang, Mohammad Atiqur Rahman, Tooru Tanaka, Qixin Guo, Jamal Uddin and Md Abdul Majed Patwary
  
• Defect healing via a gradient cooling strategy for efficient all-inorganic perovskite solar cells;　2022年02月
  発表情報;　Journal of Materials Chemistry C, 10 (2022) 4276-4285.
  著者;　Jiani Lv, Wenning Zhao, Wenhui Li, Jiatao Yu, Mingzhe Zhang, Xiuxun Han, and Tooru Tanaka
  
• Effects of Al doping on the structural, electrical, and optical properties of rock-salt ZnCdO thin films grown by molecular beam epitaxy;　2022年01月
  発表情報;　Journal of Physics and Chemistry of Solids, 163, 110571(6pages)
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, and Tooru Tanaka
  
• Pulsed laser deposition growth of ultra-wide bandgap GeO2 film and its optical properties;　2021年10月
  発表情報;　Applied Physics Letters 119, 182101 (2021).
  著者;　Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Makoto Arita, and Qixin Guo
  
• Improved two-step photon absorption current by Cl-doping in ZnTeO-based intermediate band solar cells with n-ZnS layer;　2021年10月
  発表情報;　Solar Energy Materials & Solar Cells 235 (2022) 111456.
  著者;　Tooru Tanaka, Shuji Tsutsumi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu
  
• Strategy toward white LEDs based on vertically integrated rare earth doped Ga2O3 films;　2021年08月
  発表情報;　Applied Physics Letters, 119, 062107 (2021).
  著者;　Yafei Huang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Low threshold voltage blue light emitting diodes based on thulium doped gallium oxides;　2021年07月
  発表情報;　Applied Physics Express 14 (2021) 081002.
  著者;　Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Effect of Nitrogen Doping on Structural, Electrical, and Optical properties of CuO Thin Films Synthesized by Radio Frequency Magnetron Sputtering for Photovoltaic Application;　2021年06月
  発表情報;　ECS Journal of Solid State Science and Technology, 10, 065019 (2021).
  著者;　Md Abdul Majed Patwary, Miho Ohishi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu and Tooru Tanaka
  
• Low temperature growth of In2O3 films via pulsed laser deposition with oxygen plasma;　2021年04月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 60, 055505 (2021).
  著者;　Chengyu Pan, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka and Qixin Guo
  
• Low driven voltage green electroluminescent device based on Er:Ga2O3/GaAs heterojunction;　2021年04月
  発表情報;　Optical Materials, 116, 111078, (2021).
  著者;　Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Yellow emission from vertically integrated Ga2O3 doped with Er and Eu electroluminescent film;　2021年03月
  発表情報;　Journal of Luminescence, 235, 118051 (2021).
  著者;　Gaofeng Deng, Yafei Huang, Zewei Chen, Chengyu Pan, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Structural, optical, and electrical properties of WZ- and RS-ZnCdO thin films on MgO (100) substrate by molecular beam epitaxy;　2021年02月
  発表情報;　Journal of Alloys and Compounds 867 (2021) 159033 (6 pages).
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz, Tooru Tanaka
  
• Realization of red electroluminescence from Ga2O3:Eu/Si based light-emitting diodes;　2021年01月
  発表情報;　Superlattices and Microstructures, 150 (2021) 106814 (8pages).
  著者;　Yafei Huang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Influence of substrate, process conditions, and post-annealing temperature on the properties of ZnO thin films grown by SILAR method;　2021年01月
  発表情報;　ACS Omega, 6 (2021) 2665-2674.
  著者;　Bijoy Chandra Ghos, Syed Farid Uddin Farhad, Md Abdul Majed Patwary, Shanta Majumder, Md. Alauddin Hossain, Nazmul Islam Tanvir, Mohammad Atiqur Rahman, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Improvement of sensing sensitivity based on green emissions from Er-doped (AlGa)2O3 films;　2020年12月
  発表情報;　Journal of Luminescence, 232, 117879 (2021).
  著者;　Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Efficient temperature sensor based on green emissions from Er-doped β-Ga2O3 thin film;　2020年10月
  発表情報;　AIP Advances 10 (2020) 105227.
  著者;　Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Impacts of oxygen radical ambient on structural and optical properties of (AlGa)2O3 films deposited by pulsed laser deposition;　2020年06月
  発表情報;　AIP Advances 10, 065125 (2020)
  著者;　Fabi Zhang, Congyu Hu, Makoto Arita, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka , and Qixin Guo
  
• Enhanced green emission from Er-doped (AlGa)2O3 films grown by pulsed laser deposition;　2020年05月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 59, 051007 (2020)., 59, 51007
  著者;　Gaofeng Deng, Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Makoto Arita, and Qixin Guo
  
• Realization of rocksalt Zn1-xCdxO thin films with optical band gap above 3.0 eV by molecular beam epitaxy;　2020年03月
  発表情報;　CrystEngComm, 22, 2781 (2020)., 22, 2781-2787
  著者;　Hyochang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, K Yu, Wladek Walukiewicz and Tooru Tanaka
  
• Conductive transparent (InGa)2O3 film as host for rare earth Eu;　2020年02月
  発表情報;　AIP Advances, 10, 025024 (2020)., 10, 25024
  著者;　Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Xinqiang Wang, and Qixin Guo
  
• Effect of oxygen flow rate on properties of Cu4O3 thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering;　2020年02月
  発表情報;　Journal of Applied Physics, 127, 085302 (2020)., 127, 85302
  著者;　Md Abdul Majed Patwary, Chun Yuen Ho, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz, and Tooru Tanaka
  
• Low temperature growth of (AlGa)2O3 films by oxygen radical assisted pulsed laser deposition;　2020年01月
  発表情報;　CrystEngComm, 22, 142-146 (2020)., 22, 142-146
  著者;　Fabi Zhang, Congyu Hu, Makoto Arita, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Nitrogen Doping Effect in Cu4O3 Thin Films Fabricated by Radio Frequency Magnetron Sputtering;　2019年09月
  発表情報;　Physica Status Solidi B Vol. 257, 1900363 (2019), 257, 1900363
  著者;　Md Abdul Majed Patwary, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• Effects of the host conduction band energy on the electronic band structure of ZnCdTeO dilute oxide alloys;　2019年08月
  発表情報;　Journal of Applied Physics, 126 (2019) 083106., 126, 83106
  著者;　M. Welna, L. Janicki, W. M. Linhart, T. Tanaka, K. M. Yu, R. Kudrawiec, and W. Walukiewicz
  
• Low temperature growth of Ga2O3 films on sapphire substrates by plasma assisted pulsed laser deposition;　2019年08月
  発表情報;　AIP Advances 9, 085022 (2019)., 9, 85022
  著者;　Congyu Hu, Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Cl-doping effect in ZnTe1-xOx highly mismatched alloys for intermediate band solar cells;　2019年06月
  発表情報;　Journal of Applied Physics, Vol. 125 (2019) pp.243109-1-5., 125, 243109
  著者;　Tooru Tanaka, Kento Matsuo, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Takeshi Tayagaki, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Three-dimensional band structure and surface electron accumulation of rs-CdxZn1−xO studied by angle-resolved photoemission spectroscopy;　2019年05月
  発表情報;　Scientific Reports, Vol. 9 (2019) 8026., 9, 8026
  著者;　Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Jang Hyo Chang, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• Influence of oxygen flow rate and substrate positions on properties of Cu oxide thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering using pure Cu target;　2019年01月
  発表情報;　Thin Solid Films, Vol. 675 (2019) pp. 59-65., 675, 59-65
  著者;　Md Abdul Majed Patwary, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Growth properties of gallium oxide on sapphire substrate by plasma-assisted pulsed laser deposition;　2019年01月
  発表情報;　Journal of Semiconductors, 40, 122801 (2019)., 40, 122801
  著者;　Congyu Hu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Improved photovoltaic properties of ZnTeO-based intermediate band solar cells;　2018年06月
  発表情報;　Proc. of SPIE, Vol. 10527 (2018) pp. 105270P-1-5., 10527, 10527P-1-5
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• The impact of dopant contents on structures, morphologies and optical properties of Eu doped Ga2O3 films on GaAs substrate;　2018年01月
  発表情報;　Journal of Luminescence, Vol. 194 (2018) pp. 374-378., 194, 374-378
  著者;　Zhengwei Chen, Kazuo Nishihagi, Xu Wang, Congyu Hu, Makoto Arita, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Ultraviolet emission from MgZnO films and ZnO/MgZnO single quantum wells grown by pulsed laser deposition;　2018年01月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, Vol. 483 (2018) pp. 39-43., 483, 39-43
  著者;　Xu Wang, Zhengwei Chen, Congyu Hu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Photoluminescence of ZnTe/ZnMgTe multiple quantum well structures grown on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy;　2018年01月
  発表情報;　Superlattices and Microstructures, Vol. 114 (2018) pp. 192-199., 114, 192-199
  著者;　Tooru Tanaka, Hiroshi Ohshita, Katsuhiko Saito, Qixin Guo
  
• Characteristics of thulium doped gallium oxide films grown by pulsed laser deposition;　2017年10月
  発表情報;　Thin Solid Films, Vol. 639 (2017) pp. 123-126., 639, 123-126
  著者;　Qixin Guo, Kazuo Nishihagi, Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka
  
• Improved Open Circuit Voltage and Photovoltaic Properties of ZnTeO-Based Intermediate Band Solar Cells with n-type ZnS Layers;　2017年06月
  発表情報;　IEEE Journal of Photovoltaics, Vol. 7 (2017) pp.1024-1030., 7, 1024-1030
  著者;　Tooru Tanaka, Kin Man Yu, Yuuki Okano, Shuji Tsutsumi, Shin Haraguchi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, and Wladek Walukiewicz
  
• Efficient pure green emission from Er doped β-Ga2O3 films (Invited Review Article);　2017年06月
  発表情報;　CrystEngComm, Vol. 19 (2017) pp. 4448-4458., 19, 4448-4458
  著者;　Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka and Qixin Guo
  
• Growth and characterization of Zn1-xCdxTe1-yOy highly mismatched alloys for intermediate band solar cells;　2017年05月
  発表情報;　Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol. 169 (2017) pp. 1-7, 169, 1-7
  著者;　Tooru Tanaka, Toshiki Terasawa, Yuuki Okano, Shuji Tsutsumi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Photoluminescence and electrical properties of P-doped ZnTe layers grown by low pressure MOVPE;　2017年04月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, Vol. 468 (2017) pp. 666-670., 468, 666-670
  著者;　M. Nishio, K. Saito, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y. Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, Q.X. Guo
  
• Growth of ZnMgSeTe nearly lattice-matched to ZnTe and p-type doping by low-pressure MOVPE;　2017年04月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, Vol. 468 (2017) pp. 671-675., 468, 671-675
  著者;　K. Saito, M. Nishio, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y. Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, Q.X. Guo K. Saito, M. Nishio, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y. Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, Q.X. Guo
  
• Structural properties of Eu doped gallium oxide films;　2017年04月
  発表情報;　Materials Research Bulletin, Vol. 94 (2017) pp. 170-173., 94, 170-173
  著者;　Kazuo Nishihagi, Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Temperature-dependent Raman scattering in cubic (InGa)2O3 thin film;　2017年01月
  発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, Vol. 690 (2017) pp. 287-292.
  著者;　Xu Wang, Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Temperature dependence of luminescence spectra in europium doped Ga2O3 film;　2016年09月
  発表情報;　Journal of Luminescence, Vol. 177 (2016) pp. 48-53.
  著者;　Zhengwei Chen, Xu Wang, Fabi Zhang, Shinji Noda, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Highly transparent conductive Ga doped ZnO films in the near-infrared wavelength range;　2016年09月
  発表情報;　Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 27 (2016) pp. 9291-9296.
  著者;　Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Observation of low voltage driven green emission from erbium doped Ga2O3 light-emitting devices;　2016年09月
  発表情報;　Applied Physics Letters, Vol. 109 (2016) pp. 022107(4pages).
  著者;　Zhengwei Chen, Xu Wang, Fabi Zhang, Shinji Noda, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Makoto Arita and Qixin Guo
  
• Toward controlling the carrier density of Si doped Ga2O3 films by pulsed laser deposition;　2016年09月
  発表情報;　Applied Physics Letters, Vol. 109 (2016) pp. 102105(5pages).
  著者;　Fabi Zhang, Makoto Arita, Xu Wang, Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Teruaki Motooka and Qixin Guo
  
• Band alignment of Ga2O3/Si heterojunction interface measured by X-ray photoelectron spectroscopy;　2016年09月
  発表情報;　Applied Physics Letters, Vol. 109 (2016) 102106(4pages).
  著者;　Zhengwei Chen, Kazuo Nishihagi, Xu Wang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Makoto Arita and Qixin Guo
  
• 直接接合技術を用いたp-ZnTe/n-ZnOヘテロ接合界面の作製と電気特性評価;　2016年09月
  発表情報;　電気学会論文誌C 136 (12), 1762-1767 (2016).
  著者;　秋山　肇, 内海　淳, 田中　徹, 齋藤勝彦, 西尾光弘, 郭　其新
  
• Influence of substrate temperature on the properties of (AlGa)2O3 thin films prepared by pulsed laser deposition;　2016年08月
  発表情報;　Ceramics International, Vol. 42 (2016) pp. 12783-12788.
  著者;　Xu Wang, Zhengwei Chen, Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Low Pressure MOVPE Growth and Characterization of ZnTe Homoepitaxial Layers;　2016年07月
  発表情報;　physica status solidi (c) Vol. 13 (2016) pp. 439-442.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Katsuhiko Saito, Masakatsu Abiru, Eiichiro Mori, Yasuhiro Araki, Daichi Tanaka, Tooru Tanaka and Qixin Guo
  
• Influence of source transport rate upon fractions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1–y layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2016年07月
  発表情報;　physica status solidi (c) Vol. 13 (2016) pp. 443-447.
  著者;　Katsuhiko Saito, Masakatsu Abiru, Eiichiro Mori, Yasuhiro Araki, Daichi Tanaka, Tooru Tanaka, Qixin Guo and Mitsuhiro Nishio
  
• Effects of dopant contents on structural, morphological and optical properties of Er doped Ga2O3 films;　2016年01月
  発表情報;　Superlattices and Microstructures Vol. 90 (2016) pp.207-214.
  著者;　Zhengwei Chen, Xu Wang, Shinji Noda, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Makoto Arita, Qixin Guo
  
• The impacts of growth temperatures on structural and optical properties of catalyst-free β-Ga2O3 nanostructures;　2016年01月
  発表情報;　Materials Research Express Vol. 3 (2016) pp. 025003.
  著者;　Zhengwei Chen, Xianghu Wang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Compositional dependence of optical transition energies in highly mismatched Zn1-xCdxTe1-yOy alloys;　2016年01月
  発表情報;　Applied Physics Express Vol. 9 (2016) pp. 021202(4pages).
  著者;　Tooru Tanaka, Kosuke Mizoguchi, Toshiki Terasawa, Yuuki Okano, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Temperature dependence of Raman scattering in β-(AlGa)2O3 thin films;　2016年01月
  発表情報;　AIP Advances Vol. 6 (2016) pp. 015111(11pages).
  著者;　Xu Wang, Zhengwei Chen, Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  
• Influence of Processing Conditions on the Performance of Cu2ZnSnS4 Nanocrystal Solar Cells;　2016年01月
  発表情報;　Chemistry Select, Vol. 1 (2016) pp. 86-92.
  著者;　Tetsuya Kida, Keisuke Horita, Satoshi Suehiro, Masayosh Yuasa, Armando T. Quitain, Tooru Tanaka, Katsuhiko Fujita, Yoichi Ishiwata and Kengo Shimanoe
  
• Multicolor Electroluminescence from Intermediate Band Solar Cell Structures;　2015年11月
  発表情報;　Advanced Energy Materials, (2015) 1501820(5pages).
  著者;　Nair Lopez, Kin Man Yu, Tooru Tanaka, Wladyslaw Walukiewicz
  
• Low temperature growth of europium doped Ga2O3 luminescent films;　2015年08月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, Vol. 430 (2015) pp. 28-33.
  著者;　Zhengwei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Effects of a semiconductor matrix on the band anticrossing in dilute group II-VI oxides;　2015年07月
  発表情報;　Semiconductor Science and Technology, Vol. 30 (2015) pp.085018(6pages).
  著者;　M Wełna, R Kudrawiec, Y Nabetani, T Tanaka, M Jaquez, O D Dubon, K M Yu and W Walukiewicz
  
• Mild solvothermal synthesis of Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 nanocrystals with tunable phase structure and composition;　2015年07月
  発表情報;　Journal of Power Sources, Vol. 294 (2015) pp. 603-608.
  著者;　Wen Li, Xiuxun Han, Yun Zhao, Yonge Gu, Shengrong Yang, and Tooru Tanaka
  
• Energy band bowing parameter in MgZnO alloys;　2015年07月
  発表情報;　Applied Physics Letters, Vol. 107 (2015) pp.022111(5pages).
  著者;　Xu Wang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Takashi Nagaoka, Makoto Arita, and Qixin Guo
  
• Synthesis of Copper−Antimony-Sulfide Nanocrystals for Solution-Processed Solar Cells;　2015年07月
  発表情報;　Inorganic Chemistry, Vol. 54 (2015) pp. 7840-7845.
  著者;　Satoshi Suehiro, Keisuke Horita, Masayoshi Yuasa, Tooru Tanaka, Katsuhiko Fujita, Yoichi Ishiwata, Kengo Shimanoe, and Tetsuya Kida
  
• Two-photon absorption in GaAs1-x-yPyNx intermediate-band solar cells;　2015年05月
  発表情報;　Physical Review Applied, Vol. 3 (2015) pp. 054007(9pages).
  著者;　H. Jussila, J. Lemettinen, M. Sopanen, T. Tanaka, and P. Kivisaari,
  
• Lower temperature growth of single phase MgZnO films in all Mg content range;　2015年02月
  発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, Vol. 627 (2015) pp. 383-387.
  著者;　Xu Wang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Toward the understanding of annealing effects on (GaIn)2O3 films;　2015年02月
  発表情報;　Thin Solid Films, Vol. 578 (2015) pp.1-6.
  著者;　Fabi Zhang, Hideki Jan, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Takashi Nagaoka, Makoto Arita, Qixin Guo
  
• Compositions of Mg and Se, surface morphology, roughness and Raman property of Zn1-xMgxSeyTe1-y layers grown at various substrate temperatures or dopant transport rates by MOVPE;　2015年02月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, Vol. 414 (2015) pp. 114-118.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Katsuhiko Saito, Kensuke Urata,Yasuhiro Okamoto, Daichi Tanaka, Yasuhiro Araki, Masakatsu Abiru, Eiichiro Mori, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Electrical properties and emission mechanisms of Zn-doped β-Ga2O3 films,;　2014年11月
  発表情報;　Journal of Physics and Chemistry of Solids, 75, 11, 1201-1204
  著者;　X.H. Wang, F.B. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q.X. Guo,
  
• Thermal annealing impact on crystal quality of (GaIn)2O3 alloys;　2014年11月
  発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 614, 11, 173-176
  著者;　Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo
  
• Wide bandgap engineering of (AlGa)2O3 films;　2014年10月
  発表情報;　Applied Physics Letters, 105, 16, 162107
  著者;　Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Makoto Arita and Qixin Guo
  
• Carrier dynamics in dilute II-VI oxide highly-mismatched alloys;　2014年09月
  発表情報;　Proc. of SPIE, Vol. 8987 (2014) p. 89870D-1~9.
  著者;　Yan-Cheng Lin, Wu-Ching Chou, Jen-Inn Chyi, Tooru Tanaka
  
• Cu2ZnSnS4 alloys synthesized from Cu2SnS3@ZnS nanoparticles via a facile hydrothermal approach;　2014年04月
  発表情報;　Materials Letters, 125, 167-170
  著者;　Wen Li, Xiuxun Han, Yun Zhao, Liang Liu, Jinqing Wang, Shengrong Yang, Tooru Tanaka
  
• The effects of substrate temperature upon the compositions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y layer grown by MOVPE;　2014年03月
  発表情報;　physica status solidi (c), Vol.11, pp.1202-1205 (2014).
  著者;　M. Nishio, K. Saito, R. Ito, K. Tanaka, K. Urata, Y. Nakamura, T. Tanaka, Q.X. Guo
  
• Fabrication of ZnO/ZnTe heterojunction by using a Room Temperature Direct Bonding technology;　2014年03月
  発表情報;　physica status solidi (c), Vol.11 (2014) 1218-1220.
  著者;　Hajime Akiyama, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  
• Wide bandgap engineering of (GaIn)2O3 films;　2014年02月
  発表情報;　Solid State Communications, Vol.186 (2014) pp.28-31.
  著者;　Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  
• Photogenerated current by two-step photon excitation in ZnTeO Intermediate Band Solar Cells with n-ZnO window layer;　2014年01月
  発表情報;　IEEE Journal of Photovoltaics, 4 (2014) 196-201.
  著者;　Tooru Tanaka, Masaki Miyabara, Yasuhiro Nagao, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Growth of InGaN layers on (111) silicon substrates by reactive sputtering;　2014年01月
  発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 587 (2014) 217-221.
  著者;　Qixin Guo, Tomoya Nakao, Takaya Ushijima, Wangzhou Shi, Feng Liu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• Structural and optical properties of Ga2O3 films on sapphire substrates by pulsed laser deposition;　2014年01月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 387 (2014) 96-100.
  著者;　F.B. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q.X. Guo
  
• Recombination dynamics and carrier lifetimes in highly mismatched ZnTeO alloys;　2013年12月
  発表情報;　Applied Physics Letters, 103 (2013) 261905.
  著者;　Yan-Cheng Lin, Ming-Jui Tasi, Wu-Ching Chou, and Wen-Hao Chang, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  
• Solution-Processed Cu2ZnSnS4 Nanocrystal Solar Cells: Efficient Stripping of Surface Insulating Layers using Alkylating Agents;　2013年12月
  発表情報;　The Journal of Physical Chemistry C, 118 (2013) 804-810.
  著者;　Satoshi Suehiro, Keisuke Horita, Kota Kumamoto, Masayoshi Yuasa, Tooru Tanaka, Katsuhiko Fujita, Kengo Shimanoe, and Tetsuya Kida
  
• Synthesis of the Cu2ZnSn(S,Se)4 alloys with tunable phase structure and composition via a novel non-toxic solution method;　2013年10月
  発表情報;　RSC Advances 3 (2013) 26160.
  著者;　Yun Zhao, Xiuxun Han, Wen Li, Liang Liu and Tooru Tanaka
  
• Surface morphologies and photoluminescence properties of undoped and P-doped ZnTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2013年03月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 370 (2013) 348-352.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Yuji Hayashida, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Effects of annealing treatment upon electrical and photoluminescence properties of phosphorus-doped ZnMgTe epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2013年03月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 370 (2013) 342-347.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Keita Kai, Ryota Fujiki, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells;　2013年03月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth 378 (2013) 259-262., 378, 259-262
  著者;　Tooru Tanaka, Yasuhiro Nagao, Tomohiro Mochinaga, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Band alignment of ZnTe/GaAs heterointerface investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy;　2013年03月
  発表情報;　Applied Physics Letters, 102 (2013) 092107.
  著者;　Qixin Guo, Kazutoshi Takahashi, Katsuhiko Saito, Hajime Akiyama, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• Epitaxial Growth of ZnTe Layers on ZnO Bulk Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2013年03月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 52 (2013) 040206 (3 pages).
  著者;　Hajime Akiyama, Hiroyuki Hirano, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  
• Development of ZnTe-based solar cells;　2013年02月
  発表情報;　Materials Science Forum, Vol. 750 (2013) pp 80-83.
  著者;　Tooru Tanaka, Masaki Miyabara, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Photocurrent induced by two-photon excitation in ZnTeO intermediate band solar cells;　2013年02月
  発表情報;　Applied Physics Letters, 102 (2013) 052111.
  著者;　Tooru Tanaka, Masaki Miyabara, Yasuhiro Nagao, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Effects of oxygen gas pressure on properties of iron oxide films grown by pulsed laser deposition;　2013年01月
  発表情報;　Journal of Alloys and Compounds, 552 (2013) 1–5.
  著者;　Qixin Guo, Wangzhou Shi, Feng Liu, Makoto Arita, Yoshifumi Ikoma, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
  
• Impact of Radio Frequency Powers on GaInN Film Growth by Magnetron Reactive Sputtering;　2012年10月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 118004 (2 pages).
  著者;　Qixin Guo, Wangzhou Shi, Feng Liu, Tomoya Nakao, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• Influence of source transport rate upon phosphorus doping of ZnTe layers grown by MOVPE method;　2012年05月
  発表情報;　physica status solidi (c) 9 (2012) 1732-1735.
  著者;　M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, Q. X. Guo
  
• Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE;　2012年05月
  発表情報;　physica status solidi (c) 9 (2012) 1736-1739.
  著者;　K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q. X. Guo, M. Nishio
  
• Existence and removal of Cu2Se second phase in coevaporated Cu2ZnSnSe4 thin films;　2012年03月
  発表情報;　Journal of Applied Physics, 111, 053522
  著者;　Tooru Tanaka, Tatsuya Sueishi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, Wladek Walukiewicz
  
• Growth of ZnTe layers on (111) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2012年02月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 341, 1, 7-11
  著者;　Qixin Guo, Hajime Akiyama, Yuta Mikuriya, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• Effects of substrate temperature upon the properties of ZnMgTe layer grown by MOVPE;　2012年01月
  発表情報;　Applied Surface Science, 258 (2012)2137-2140.
  著者;　K. Saito, Y. Inoue, Y. Hayashida, T. Tanaka, Q.X. Guo, M. Nishio
  
• Molecular beam epitaxial growth and optical properties of highly mismatched ZnTe1-xOx alloys;　2012年01月
  発表情報;　Applied Physics Letters 100 (2012)011905 (3pages).
  著者;　Tooru Tanaka, Shuhei Kusaba, Tomohiro Mochinaga, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Effect of VI/II ratio upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnTe films grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2011年11月
  発表情報;　Thin Solid Films, 520 (2011) 743-746.
  著者;　M. Nishio, K. Kai, K. Saito, T. Tanaka, Q.Guo
  
• Demonstration of ZnTe1-xOx Intermediate Band Solar Cell;　2011年07月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 50 (2011) 082304 (3 pages).
  著者;　Tooru Tanaka, Kin M. Yu, Alejandro X. Levander, Oscar D. Dubon, Lothar A. Reichertz, Nair Lopez, Mitsuhiro Nishio, and Wladek Walukiewicz
  
• Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy;　2011年06月
  発表情報;　Applied Physics Letters 98 (2011) 181901 (3pages).
  著者;　Q. X. Guo, H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. X. Fan, D. Zhang, X. Q. Wang, S. T. Liu, B. Shen, and R. Ohtani
  
• Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method;　2011年04月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 318 (2011)524-527.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Kyosuke Hiwatashi, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Effect of gas flow rate on surface morphology and crystal quality of ZnTe epilayers grown on GaAs substrates;　2011年03月
  発表情報;　Materials Research Bulletin, 46, 551–554, 2011.
  著者;　Qixin Guo, Masaki Nada, Yaliu Ding, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• Properties of InGaN Films Grown by Reactive Sputtering;　2010年08月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 49, 081203
  著者;　Qixin GUO, Yuta KUSUNOKI, Yaliu DING, Tooru TANAKA, and Mitsuhiro NISHIO
  
• Demonstration of homojunction ZnTe solar cells;　2010年08月
  発表情報;　Journal of Applied Physics 108 (2010) 024502.
  著者;　Tooru Tanaka, Kin M. Yu, Peter R. Stone, Jeffrey W. Beeman, Oscar D. Dubon, Lothar A. Reichertz, Vincent M. Kao, Mitsuhiro Nishio, and Wladek Walukiewicz
  
• Low-temperature buffer layer effects on the quality of ZnTe epilayers grown on sapphire substrates;　2010年06月
  発表情報;　Journal of Applied Physics, 107 (2010) 123525.
  著者;　Qixin Guo, Masaki Nada, Yaliu Ding, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• Influence of composition ratio on properties of Cu2ZnSnS4 thin films fabricated by co-evaporation;　2010年04月
  発表情報;　Thin Solid Films, 518, S29-S33
  著者;　Tooru Tanaka, Akihiro Yoshida, Daisuke Saiki, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, and Toshiyuki Yamaguchi
  
• Temperature dependence of photoluminescence from P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method;　2010年04月
  発表情報;　Physica Status Solidi (c), 7, 1495-1497 (2010).
  著者;　Katsuhiko Saito, Satoshi Shimao, Tooru Tanaka, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio
  
• Enhanced light output from ZnTe light emitting diodes by utilizing thin film structure;　2009年12月
  発表情報;　Applied Physics Express 2 (2009) 122101 (3pages).
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Improvement in the Quality of ZnTe Epilayers Grown on GaAs Substrates by Introducing a Low-temperature Buffer Layer;　2009年08月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 48 (2009) 080208 (3pages).
  著者;　Qixin Guo, Yusuke Sueyasu, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and J.C. Cao
  
• Heteroepitaxial growth of InN layers on (111) silicon substrates;　2009年07月
  発表情報;　Journal of Crystal Growth,, 311, 2783-2786
  著者;　Qixin Guo, Masahiko Ogata, Yaliu Ding, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
  
• ZnTe based light emitting diodes fabricated by solid-state diffusion of Al through an Al oxide layer;　2009年02月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 48, 2, 022203-1-022203-5
  著者;　Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Scattering times in the two-dimensional electron gas of AlxGa1−xN/AlN/GaN heterostructures;　2009年02月
  発表情報;　Journal of Physics D: Applied Physics,, 42, 045112-1-045112-5
  著者;　Xiuxun Han, Yoshio Honda, Tetsuo Narita, Masahito Yamaguchi, Nobuhiko Sawaki, Tooru Tanaka, Qixin Guo and Mitsushiro Nishio
  
• Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers;　2009年01月
  発表情報;　Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 20, S264-S267
  著者;　Katsuhiko Saito, Kouji Yamaguchi, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
  
• Fabrication of a ZnTe light emitting diode by Al thermal diffusion into a p-ZnTe epitaxial layer on a p-ZnMgTe substrate;　2009年01月
  発表情報;　Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 20, S505-S509
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Surface morphology and optical properties of ZnTe epilayers on GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2009年
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 311, 970-973
  著者;　Qixin Guo, Yusuke Sueyasu, Yaliu Ding, Tooru Tanaka and Mitsuhiro Nishio,
  
• Fabrication of ZnTe Light Emitting Diode by Al Thermal Diffusion through Surface Oxidation Layer;　2008年11月
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 47, 11, 8408-8410
  著者;　Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Structural and Optical Properties of AlInN Films Grown on Sapphire Substrates,;　2008年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 47, 612-615
  著者;　Qixin GUO, Tooru TANAKA, Mitsuhiro NISHIO, and Hiroshi OGAWA
  
• Epitaxial growth of ZnMgTe with a wide composition range on ZnTe substrate by molecular beam epitaxy;　2008年
  発表情報;　Journal of Physics: Conference Series, 100, 042018-1-042018-4
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa,
  
• Improvement of MOVPE grown ZnTe:P layers by annealing treatment;　2008年
  発表情報;　Journal of Physics: Conference Series, 100, 042019-1-042019-4
  著者;　K. Saito, K. Fujimoto, K. Yamaguchi, T. Tanaka, M. Nishio, Q. X. Guo, and H. Ogawa
  
• Growth of undoped ZnMgTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy;　2008年
  発表情報;　Journal of Physics: Conference Series, 100, 042028-1-042028-4
  著者;　K. Saito, D. Kouno, T. Tanaka, M. Nishio, Q. X. Guo, and H. Ogawa
  
• Microfabrication of ZnO on PTFE Template Patterned by Synchrotron Radiation;　2008年
  発表情報;　Journal of Korean Physical Society, 53, 2796-2799
  著者;　Q.X. GUO, Y. MITSUISHI, T. TANAKA, M. NISHIO, H. OGAWA, and Y.Z. HUANG
  
• Observation of ultra-broadband terahertz emission from ZnTe films grown by metaloganic vapor epitaxy;　2007年
  発表情報;　SOLID STATE COMMUNICATIONS, 141, 4, 188-191
  著者;　Guo, Q / Kume, Y / Fukuhara, Y / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H / Hiratsuka, M / Tani, M / Hangyo, M
  
• Design of Beamline BL9 at Saga Light Source;　2007年
  発表情報;　AIP series of conference proceedings, 879, 559-562
  著者;　Tooru Tanaka, Hiroshi Ogawa, Masao Kamada, Mitsuhiro Nishio, Masataka Masuda, Qixin Guo, Kazuki Hayashida, Yuzi Kondo, Teruaki Motooka, Daisuke Yoshimura, Hiroyuki Setoyama, and Toshihiro Okajima
  
• Effects of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethlaminophosphorus;　2007年
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 298, 437-440
  著者;　Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Kazuki Hayashida, Kenji Fujimoto, Qixin Guo and Hiroshi Ogawa
  
• Growth characteristics of ZnMgTe layer on ZnTe substrate by metalorganic vapor phase epitaxy;　2007年
  発表情報;　JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 298, 449-452
  著者;　Saito, K / Yamashita, T / Kouno, D / Tanaka, T / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy growth of ZnTe;　2007年
  発表情報;　JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 298, 441-444
  著者;　Kume, Y / Guo, Q / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H / Shen, W
  
• Growth and characterization of ZnTe epilayers on (100) GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2007年
  発表情報;　JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 298, 445-448
  著者;　Kume, Y / Guo, Q / Fukuhara, Y / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Effects of Sapphire Substrate Preparation on ZnO Epitaxial Growth by Atmospheric-Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition;　2007年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 46 (2007) 342., 46, 342-342
  著者;　Shutetsu Akiyama, Kazunori Minegishi, Tooru Tanaka, Hiroshi Ogawa, and Masanobu Kasuga
  
• Structural and Optical Properties of ZnMgO Films Grown by Metal Organic Decomposition;　2007年
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 REGULAR PAPERS SHORT NOTES AND REVIEW PAPERS, 46, 2, 560-562
  著者;　Guo, Q / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Characterization of Al-doped ZnTe layer fabricated by Al thermal diffusion;　2007年
  発表情報;　Journal of Physics: Conference Series, 61, 1162-1166
  著者;　Tooru Tanaka, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, and Hiroshi Ogawa
  
• Reactive sputter deposition of AlInN thin films;　2007年
  発表情報;　Journal of Crystal Growth, 300, 151-154
  著者;　Q.X. Guo, Y. Okazaki, Y. Kume, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
  
• Study of Al thermal diffusion in ZnTe by secondary ion mass spectroscopy;　2007年
  発表情報;　physica status solidi (b), 244, 1685-1690
  著者;　Tooru Tanaka, Norihiro Murata, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, and Hiroshi Ogawa
  
• Post-annealing effect upon phosphorus-doped ZnTe homoepitaxial layers grown by MOVPE;　2007年
  発表情報;　physica status solidi (b), 244, 1634-1638
  著者;　Katsuhiko Saito, Kenji Fujimoto, Kouji Yamaguchi, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
  
• Growth Properties of Polytetrafluoroethylene Films by Synchrotron Radiation Ablation;　2007年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 46, 6782-6785
  著者;　Qixin GUO, Takashi KUGINO, Yusuke KUME, Yoshiaki MITSUISHI, Tooru TANAKA, Mitsuhiro NISHIO, and Hiroshi OGAWA
  
• Structural properties of ZnTe epilayers grown on (0001) α-Al2O3 substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2007年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 46, 7221-7224
  著者;　Qixin GUO, Yusuke KUME, Jiajun GU, Di ZHANG, Tooru TANAKA, Mitsuhiro NISHIO, and Hiroshi OGAWA
  
• Reactive Ion Etching of Zinc Oxide Using Methane and Hydrogen Gases [published November 8, 2006];　2006年11月
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 REGULAR PAPERS SHORT NOTES AND REVIEW PAPERS, 45, 11, 8597-8599
  著者;　Guo, Q / Uesugi, N / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Effect of surface treatment on properties of ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion;　2006年
  発表情報;　PHYSICA STATUS SOLIDI B BASIC RESEARCH, 243, 4, 959-962
  著者;　Tanaka, T / Hayashida, K / Saito, K / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Effects of substrate temperature upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethlaminophosphorus;　2006年
  発表情報;　physica status solidi (c), 3, 1172-1175
  著者;　Kazuki Hayashida, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, T. Tanigawa, and Hiroshi Ogawa
  
• Phosphorus-doped ZnMgTe bulk crystals grown by Vertical Bridgman Method;　2006年
  発表情報;　PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, 3, 4, 812-816
  著者;　Saito, K / Kinoshita, K / Tanaka, T / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2006年
  発表情報;　physica status solidi (c), 3, 833-836
  著者;　Katsuhiko Saito, Tetsuo Yamashita, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films by co-evaporation;　2006年
  発表情報;　PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, 3, 8, 2844-2847
  著者;　Tanaka, T / Kawasaki, D / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Optical and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe bulk crystals grown by Bridgman method;　2006年
  発表情報;　PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, 3, 8, 2673-2676
  著者;　Saito, K / So, G. / Tanaka, T / Nishio, M / Guo, Q. X / Ogawa, H
  
• Cathodoluminescence study of anodic nanochannel alumina;　2006年
  発表情報;　Journal of Luminescence, 119-120, 253-257
  著者;　Q.X. Guo, Y. Hachiya, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
  
• Growth properties of AlN films on sapphire substrates by reactive sputtering;　2006年
  発表情報;　VACUUM, 80, 7, 716-718
  著者;　Guo, Q. X / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Microscopic investigations of aluminum nitride thin films grown by low-temperature reactive sputtering;　2005年
  発表情報;　THIN SOLID FILMS, 483, 1/2, 16-20
  著者;　Guo, Q. X / Yoshitugu, M / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Synchrotron radiation-excited etching of ZnTe using Ar gas;　2005年
  発表情報;　NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, 238, 1/4, 115-118
  著者;　Tanaka, T / Kume, Y / Hayashida, K / Saito, K / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H
  
• X-ray absorption near-edge fine structure study of AlInN semiconductors;　2005年
  発表情報;　APPLIED PHYSICS LETTERS, 86, 11, 111911
  著者;　Qixin Guo, Jian Ding, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Hiroshi Ogawa
  
• Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by hybrid sputtering;　2005年
  発表情報;　JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 66, 11, 1978-1981
  著者;　Tanaka, T / Nagatomo, T / Kawasaki, D / Nishio, M / Guo, Q / Wakahara, A / Yoshida, A / Ogawa, H
  
• Observation of visible luminescence from indium nitride at room temperature;　2005年
  発表情報;　Applied Physics Letters, Vol.86 (2005) pp.231913-231915., 86, 231913-231915
  著者;　Q. X. Guo, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, X. D. Pu and W. Z. Shen
  
• Recovery from Dry Etching Damage in ZnTe by Thermal Annealing;　2005年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, Vol.44 (2005) pp.L863-L865., 44, L863-L865
  著者;　Qixin GUO, Yusukei KUME, Tooru TANAKA, Mitsuhiro NISHIO and Hiroshi OGAWA
  
• Strong Room-Temperature UV Luminescence from ZnO Grown by Metal Organic Decomposition Method (Brief Communication);　2005年
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 REGULAR PAPERS SHORT NOTES AND REVIEW PAPERS, 44, 12, 8451-8452
  著者;　Guo, Q / Kume, Y / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H / Yoshida, A
  
• Synchrotron Radiation-Excited Etching of ZnTe;　2004年
  発表情報;　AIP series of conference proceedings, 705, 1154-1157
  著者;　Tooru Tanaka, Yusuke Kume, Sinji Tokunaga, Kazuki Hayashida, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Electroluminescence and photoluminescence characteristics in ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion;　2004年
  発表情報;　PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, 1, 4, 1026-1029
  著者;　Tanaka, T / Matsuno, Y / Kume, Y / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Growth of phosphorus-doped ZnTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy using tris-dimethylaminophosphorus;　2004年
  発表情報;　physica status solidi (c), 1, 718-721
  著者;　Kazuki Hayashida, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター事業の現状と利用計画;　2004年
  発表情報;　電気学会論文誌C (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems), 124-C, 7, 1345
  著者;　小川博司，鎌田雅夫，西尾光弘，増田正孝，郭　其新，田中　徹，近藤祐治，林田和樹，本岡輝昭
  
• Selective Dry Etching of Zinc Telluride Using Aluminum Mask;　2004年
  発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 43, 4157-4158
  著者;　Q.X. Guo, Y. Matsumoto, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
  
• Growth condition dependence of structure and surface morphology of GaN films on (111)GaAs substrates prepared by reactive sputtering;　2004年
  発表情報;　Journal of Vacuum Science and Technology (A), 22, 1290-1292
  著者;　Q.X. Guo, W.J. Lu, D. Zhang, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa
  
• Characterization of damage in reactive ion etched ZnTe;　2003年
  発表情報;　JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A VACUUMS SURFACES AND FILMS, 21, 1, 59-61
  著者;　Guo, Q / Matsumoto, Y / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Effect of Cl ion implantation on electrical properties of CuInSe2 thin films;　2003年
  発表情報;　Solar Energy Materials and Solar Cells, 75, 109-113
  著者;　Tooru Tanaka, Toshiyuki Yamaguchi, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Akihiro Wakahara, and Akira Yoshida
  
• Effect of 8MeV electron irradiation on electrical properties of CuInSe2 thin films;　2003年
  発表情報;　SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 75, 1/2, 115-120
  著者;　Tanaka, T / Yamaguchi, T / Wakahara, A / Yoshida, A / Taniguchi, R / Matsuda, Y / Fujishiro, M
  
• Growth and optical properties of high-quality ZnTe homoepitaxial layers by metalorganic vapor phase epitaxy;　2003年
  発表情報;　JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 248, 43-49
  著者;　Tanaka, T / Hayashida, K / Wang, S / Guo, Q / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layers grown by synchrotron-radiation-excited growth using nitrogen carrier gas;　2003年
  発表情報;　NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, 199, 356-360
  著者;　Tanaka, T / Hayashida, K / Wang, S / Guo, Q / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Optical Bandgap Energy of Wurtzite In-Rich AlInN Alloys;　2003年
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2 LETTERS, 42, 2B, L141-L143
  著者;　Guo, Q / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Low-temperature growth of aluminum nitride on sapphire substrates;　2003年
  発表情報;　JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 257, 1/2, 123-128
  著者;　Guo, Q. X / Yahata, K / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Fabrication of ZnTe Light-Emitting Diodes Using Bridgman-Grown Substrates;　2003年
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2 LETTERS, 42, 4A, L362-L364
  著者;　Tanaka, T / Kume, Y / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H / Yoshida, A
  
• Photoluminescence of iodine-doped ZnTe homoepitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2003年
  発表情報;　JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 93, 9, 5302-5306
  著者;　Tanaka, T / Hayashida, K / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Photoluminescence of Cl-doped ZnTe epitaxial layer grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy;　2003年
  発表情報;　JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 94, 3, 1527-1530
  著者;　Tanaka, T / Hayashida, K / Nishio, M / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Fabrication of Indium Nitride Nanodots Using Anodic Alumina Templates;　2003年
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2 LETTERS, 42, 5B, L508-L510
  著者;　Guo, Q / Mei, X / Ruda, H / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Growth and characterization of reactive sputtered AlInN films;　2003年
  発表情報;　physica status solidi (c) , 0, 2533-2536
  著者;　Q.X. Guo, K. Yahata, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
  
• Fabrication of ZnTe Nanohole Arrays by Reactive Ion Etching Using Anodic Alumina Templates;　2002年
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2 LETTERS, 41, 2A, L118-120
  著者;　Guo, Q / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H / Mei, X / Ruda, H
  
• Effect of iodine doping on photoluminescence properties of ZnTe grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2002年
  発表情報;　Inst. Phys. Conf. Ser., 170, 419-424
  著者;　Tanaka, T / Hayashida, K / Nishio, M / Wang, S / Chang, Y / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Phosphorus and Arsenic P-Type Doping of Bulk ZnTe for LED Application;　2002年
  発表情報;　Inst. Phys. Conf. Ser., 170, 665
  著者;　S L Wang, Y Chang, T Tanaka, M Nishio, Q X Guo, K Hayashida, and H Ogawa
  
• Effects of Dry Processing on Optical Properties of Zinc Telluride;　2002年
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 REGULAR PAPERS SHORT NOTES AND REVIEW PAPERS, 41, 8, 5069-5072
  著者;　Guo, Q / Matsumoto, Y / Wang, S / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Heteroepitaxial growth of gallium nitride on (1 1 1)GaAs substrates by radio frequency magnetron sputtering;　2002年
  発表情報;　JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 237-239, 2, 1079-1083
  著者;　Guo, Q / Okada, A / Kidera, H / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Effect of GaN buffer layer on crystallinity of InN grown on (111)GaAs;　2002年
  発表情報;　JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 237/239, 2, 1032-1036
  著者;　Guo, Q / Okada, A / Kidera, H / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
  
• Photoluminescence spectra of arsenic-doped ZnTe films grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) using triethylarsine;　2002年
  発表情報;　JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 237/239, 2, 1580-1584
  著者;　Hayashida, K / Tanaka, T / Nishio, M / Chang, Y / Wang, J / Wang, S / Guo, Q / Ogawa, H
  
• Effect of Substrate Position in i-ZnO Thin Film Formation to Cu(In,Ga)Se2 Solar Cell;　2002年
  発表情報;　Journal of Vacuum Science and Technology (A), 20, 1755-1758
  著者;　T. Yamaguchi, T. Tanaka, A. Yoshida
  
• Characteristics of reactive ion etching for zinc telluride using CH4 and H2 gases;　2001年
  発表情報;　Journal of Vacuum Science and Technology (A) , 19, 2232-2234
  著者;　Q. X. Guo, M. Matsuse, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, Y. Chang, J. Wang, and S. L. Wang
  
• A study on novel non-thermal epitaxial technique of compound semiconductor using synchrotron radiation;　2001年
  発表情報;　Journal of the Indian institute of science, 81, 549-555
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Kazuki Hayashida, Tooru Tanaka, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Effect of electron irradiation on properties of CuInSe2 thin films;　2000年
  発表情報;　Jpn.J.Appl.Phys., 39-1, 192-193
  著者;　Tooru Tanaka, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Sohei Okada, Akihiro Wakahara, and Akira Yoshida
  
• Effect of Mg ion implantation on electrical properties of CuInSe2 thin films;　2000年
  発表情報;　J.Appl.Phys. Vol.87 (2000) pp.3283-3286.
  著者;　Tooru Tanaka, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Sohei Okada, Akihiro Wakahara, and Akira Yoshida
  
• Effect of substrate temperature on properties of thin films prepared by RF sputtering from CuInSe2 target with Na2Se;　1999年
  発表情報;　Thin Solid Films , 343-344, 320-323
  著者;　T.Tanaka, T.Yamaguchi, A.Wakahara, and A.Yoshida
  
• Preparation and characterization of (Cd,Zn)S thin films by chemical bath deposition for photovoltaic devices;　1999年
  発表情報;　THIN SOLID FILMS, 343/344, 2, 516-519
  著者;　Yamaguchi, T / Yamamoto, Y / Tanaka, T / Yoshida, A
  
• Influence of annealing temperature on the properties of Cu(In,Ga)Se2 thin films by thermal crystallization in Se vapor;　1998年
  発表情報;　Solar Energy Materials and Solar Cells, 50, 1-6
  著者;　T. Yamaguchi, Y.Yamamoto, T.Tanaka, N.Tanahashi and A.Yoshida
  
• Preparation of CuInSe2 thin films with large grain by excimer laser ablation;　1998年
  発表情報;　Solar Energy Materials and Solar Cells, 50, 7-12
  著者;　A.Yoshida, N.Tanahashi, T.Tanaka, Y.Demizu, Y.Yamamoto and T.Yamaguchi
  
• Characterization of Cu(In,Ga)2Se3.5 thin films prepared by rf sputtering from Cu(In,Ga)Se2 with Na2Se;　1998年
  発表情報;　Solar Energy Materials and Solar Cells, 50, 13-18
  著者;　T.Tanaka, N.Tanahashi, T.Yamaguchi and A.Yoshida
  
• Influence of incorporation of Na on CuInSe2 thin films;　1998年
  発表情報;　Inst. Phys. Conf. Ser., 152, 329-332
  著者;　T.Tanaka, T.Yamaguchi, and A.Yoshida
  
• Preparation of Cu(In,Ga)2Se3.5 Thin Films by RF Sputtering from stoichiometric Cu(In,Ga)Se2 target with Na2Se;　1997年
  発表情報;　J.Appl.Phys., 81, 7619-7622
  著者;　T.Tanaka, Y.Demizu, T.Yamaguchi and A.Yoshida
  
• Characterization of CuInS2 thin films prepared by sputtering from binary compounds;　1997年
  発表情報;　Solar Energy Materials and Solar Cells, 49, 399-405
  著者;　Y.Yamamoto, T.Yamaguchi, T.Tanaka, N.Tanahashi and A.Yoshida
  
• Influence of precursor structure on the properties of Cu(In,Ga)Se2 thin films by thermal crystallization;　1996年
  発表情報;　J. Crystal Research and Tech., 31, 2, 481-484
  著者;　T.Yamaguchi, M.Suzuki, Y.Yamamoto, Y.Demizu, T.Tanaka and A.Yoshida
  
• Characterization of CuInSe2 thin films prepared by Excimer Laser Ablation;　1996年
  発表情報;　J. Crystal Research and Tech., 31, 2, 473-476
  著者;　Y.Yamamoto, T.Yamaguchi, Y.Demizu, T.Tanaka, A.Ganjoo and A.Yoshida
  
• Fabrication and characterization of CuIn(SxSe1-x)2 thin films by rf sputtering;　1996年
  発表情報;　Thin Solid Films , 281/282, 372-374
  著者;　Y.Yamamoto, T.Yamaguchi, T.Tanaka, Y.Demizu, A.Ganjoo and A.Yoshida
  
• (Cd,Zn) S thin films prepared by chemical bath deposition for photovoltaic devic;　1996年
  発表情報;　THIN SOLID FILMS, 281/282, 1/2, 375-378
  著者;　Yamaguchi, T / Yamamoto, Y / Tanaka, T / Demizu, Y / Yoshida, A
  
• Preparation of ordered vacancy chalcopyrite thin films by RF sputtering from CuInSe2 target with Na2Se;　1996年
  発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 35, 2779-2781
  著者;　T.Tanaka, Y.Demizu, T.Yamaguchi and A.Yoshida
  
• Large Grain Growth in Cu(In, Ga)Se~2 Thin Films with Band Gap of around 1.4 eV by Thermal Crystallization in Saturated Se Vapors;　1996年
  発表情報;　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2 LETTERS, 35, 4A, L1618-L1621
  著者;　Yamaguchi, T / Yamamoto, Y / Tanaka, T / Demizu, Y / Yoshida, A
  

資料・解説・論説・研究報告・総合雑誌の論文

• マルチバンドギャップ半導体ZnTeOと中間バンド型太陽電池応用;　2014年12月
  発表情報;　応用物理, Vol. 83 (2014) pp. 1007-1011.
  著者;　田中徹
  
• Crystal growth and doping of ZnTe-based materials for optoelectronic applications;　2011年06月
  発表情報;　Journal of Crystalization Physics and Chemistry, Vol 2, No. 1, 2011 pp.17-37.
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo and Mitsuhiro Nishio
  
• 新材料による高効率純緑色発光ダイオード;　2009年01月
  発表情報;　機能材料, シーエムシー出版, 29, 2, 43-51
  著者;　田中徹，郭其新，西尾光弘，小川博司
  
• SAGA Light Sourceの現状及びシンクロトロン光を用いたプロセス技術;　2007年04月
  発表情報;　電気学会研究会資料　光・量子デバイス研究会, OQD-07-31, pp.7-10 (2007)., 7-10
  著者;　郭其新、田中徹、西尾光弘、小川博司,
  
• シンクロトロン光励起プロセスの半導体応用と展望;　2007年02月
  発表情報;　電気学会論文誌C, Vol. 127-C, (2007) p.126, 127-C, 126-126
  著者;　田中徹，郭其新，西尾光弘，小川博司，本岡輝昭
  
• 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター・県有ビームラインBL9の設計とシンクロトロン光励起プロセスへの応用,;　2005年09月
  発表情報;　電気学会 光・量子デバイス研究会, OQD-05-18, pp.37-42 (2005)., 37-42
  著者;　田中徹，郭其新，西尾光弘，小川博司，本岡輝昭,
  

一般講演（学術講演を含む）

• Improved phosphorus incorporation in MBE-grown ZnTe layer using a cracked Zn3P2 dopant source;　2024年03月
  発表情報;　2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年3月25日, 東京都市大学＋オンライン, 25a-22A-4.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• 異なるn型窓層を用いたZnTeO中間バンド型光電極の光電気化学特性;　2023年12月
  発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P1.
  著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• Impact of substrate temperature and nitrogen partial pressure on structural and optoelectronic properties of RF magnetron sputtering grown Cu3N thin films;　2023年12月
  発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P9.
  著者;　Shanta Majumder, Miho Ohishi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Md Abdul Majed Patwary
  
• Improvement of phosphorus incorporation in P-doped ZnTe layers grown by molecular beam epitaxy using Zn3P2 dopant source;　2023年12月
  発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P19.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• MBE法を用いてInP(100)基板上に成長したPドープZnTe薄膜の評価;　2023年12月
  発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P20.
  著者;　末廣 誠也, ムハマド ムストファ, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• 異なる酸素濃度領域を持つZnTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性;　2023年12月
  発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P25.
  著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• Growth and characterization of P-doped Zn1-xCdxTe grown on GaAs(100) substrates by molecular beam epitaxy;　2023年12月
  発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P33.
  著者;　Sule Enejo Victor, Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• 分子線エピタキシー法によるZnO薄膜の作製と評価;　2023年12月
  発表情報;　第5回フロンティア太陽電池セミナー, 2023年12月14日, 武雄市文化会館, P34.
  著者;　今田 樹生, 齊藤 勝彦，郭 其新，田中 徹
  
• 高周波マグネトロンスパッタリング法によるCu2O薄膜へのNa添加効果;　2023年11月
  発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Aa-1.
  著者;　佐々木和希, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• PLD 法を用いたTb ドープ酸化ガリウム薄膜の作製と評価;　2023年11月
  発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Aa-4
  著者;　古賀 雄士, 陳澤偉, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• 希土類元素ドープ酸化ガリウム薄膜の発光特性;　2023年11月
  発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Aa-5.
  著者;　西 大貴, 陳 澤偉, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• InP(100)基板上へのP ドープZnTe 薄膜のMBE成長;　2023年11月
  発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Ea-1.
  著者;　末廣 誠也, ムハマド ムストファ, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• MOVPE 法を用いたSiO2/Si上グラフェンへのZnTe 薄膜形成;　2023年11月
  発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Ea-2.
  著者;　都 颯, 斎藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• 異なる n 型窓層を用いた ZnTeO 中間バンド型太陽電池の作製と光電極への応用;　2023年11月
  発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月25日, 九州大学, 25Ea-3.
  著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• 異なる酸素濃度領域を有する ZnTeO 中間バンド型太陽電池の作製と光電変換特性の評価;　2023年11月
  発表情報;　2023年応用物理学会九州支部学術講演会, 2023年11月26日, 九州大学, 26Aa-4.
  著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• Enhanced phosphorus incorporation in P-doped ZnTe layers grown by molecular beam epitaxy using Zn3P2 as dopant source material;　2023年11月
  発表情報;　The 8th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), November 25, 2023, Kyushu University, 25Ep-1.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Growth and characterization of P-doped CdTe grown on GaAs(100) substrates by molecular beam epitaxy;　2023年11月
  発表情報;　The 8th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), November 25, 2023, Kyushu University, 25Ep-2.
  著者;　Sule Enejo Victor, Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Influence of temperature, substrate position and nitrogen partial pressure on Cu3N thin films using RF magnetron sputtering;　2023年11月
  発表情報;　The 8th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), November 26, 2023, Kyushu University, 26Ep-7.
  著者;　Shanta Majumder, Miho Ohishi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Md Abdul Majed Patwary
  
• 酸素プラズマを用いた PLD 法によるMgGa2O4薄膜の成長と評価;　2023年09月
  発表情報;　2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2023年9月7日, 崇城大学, 10-1A-01.
  著者;　手塚 潤也, 有田 誠, 陳 澤偉, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• 反応性スパッタ法によるInGaN薄膜の成長と評価;　2023年09月
  発表情報;　2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2023年9月7日, 崇城大学, 10-1A-02.
  著者;　野中 広太郎, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• MOVPE成長したAlドープZnTe薄膜におけるポストアニール処理の効果;　2023年09月
  発表情報;　2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2023年9月7日, 崇城大学, 10-1A-03.
  著者;　平田 翔大, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• ZnTeO中間バンド型光電極におけるn型窓層材料の検討;　2023年09月
  発表情報;　2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホールほか, 2023年9月19日, 19a-D903-11.
  著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• 酸素濃度を部分的に変化させたClドープZnTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性;　2023年09月
  発表情報;　2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本城ホールほか, 2023年9月19日, 19a-D903-12.
  著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• Low temperature growth of magnesium gallate crystalline films;　2023年08月
  発表情報;　The International Conference on Crystal Growth and Epitaxy-ICCGE-20, 30 July- 4 August, 2023, Naples, Italy, 12:00 - 12:15, 4 August.
  著者;　Qixin Guo, Junya Tetsuka, Zewei Chen, Makoto Arita, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka
  
• ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の二段階光吸収電流の評価;　2023年06月
  発表情報;　第20回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第3回日本太陽光発電学会学術講演会）, 京都テルサ, 2023年6月30日, 6-3.
  著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• Effect of P-doping in ZnTe thin films grown by molecular beam epitaxy under alternating supply;　2023年03月
  発表情報;　2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学＋オンライン, 2023年3月16日, 16a-D221-1.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka,
  
• 分子線エピタキシー法によるZnTeO薄膜の成長と光電極への応用;　2023年03月
  発表情報;　2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学＋オンライン, 2023年3月17日, 17p-PB03-5
  著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の温度依存性;　2023年03月
  発表情報;　2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学＋オンライン, 2023年3月17日, 17p-PB03-6
  著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• MBE alternating growth of phosphorus-doped ZnTe thin films using InP as dopant Source;　2022年12月
  発表情報;　9th Malaysia-Japan Photovoltaics Workshop (MJPVW2022), December 2, 2022, Online.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Effect of Cl-doping in ZnCdTeO on photovoltaic properties of ZnCdTeO intermediate band solar cells;　2022年11月
  発表情報;　33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), Nagoya, November 15, 2022, TuP-42-01.
  著者;　Daiki Tani, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Effect of NaF addition to precursor for fabricating Cu2ZnSnSe4 thin films on alkali-free substrates by selenization.;　2022年11月
  発表情報;　33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), Nagoya, November 15, 2022, TuP-32-37.
  著者;　Yuta Tamura, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Photoelectrochemical properties of a highly-mismatched ZnTeO alloys grown by molecular beam epitaxy;　2022年11月
  発表情報;　33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), Nagoya, November 16, 2022, WeP-21-03.
  著者;　Takaki Sonoyama, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Shigeru Ikeda, Tooru Tanaka
  
• MBE growth and photochemical properties evaluation of n-ZnS/ZnTe thin films;　2022年11月
  発表情報;　33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), Nagoya, November 16, 2022, WeP-21-05.
  著者;　Ryusuke Tsutsumi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Shigeru Ikeda, Tooru Tanaka
  
• Effect of nitrogen partial pressure on properties of Cu3N thin films by RF magnetron sputtering;　2022年11月
  発表情報;　33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), Nagoya, November 15, 2022, TuP-42-12.
  著者;　Miho Ohishi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• The Effect of MBE alternating growth of phosphorus-doped ZnTe thin films;　2022年11月
  発表情報;　33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), Nagoya, November 15, 2022, TuP-42-03.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• PLD法を用いたMgGa2O4薄膜の作製と評価;　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Ap-3
  著者;　手塚 潤也, 有田 誠, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• ClドープZnCdTeO中間バンド型太陽電池の光電変換特性の温度依存性;　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Bp-9
  著者;　谷 大樹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• 高周波マグネトロンスパッタリング法によりサファイア基板上に作製したCu3N薄膜の基板温度依存性;　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Bp-10
  著者;　大石 美帆, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• 多重セレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価;　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Bp-11
  著者;　田村 優汰, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• 分子線エピタキシー法による ZnNiO薄膜の成長と評価;　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Ca-1
  著者;　今田 樹生, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• n-ZnS/ZnTeヘテロ接合光電極を用いた水の可視光分解用光触媒の開発;　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Ca-2
  著者;　堤 龍介, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• ZnTeO光電極における光電気化学特性の酸素濃度依存性;　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Ca-3
  著者;　園山 天暉, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• MOVPE成長AlドープZnTe薄膜特性に及ぼすポストアニーリング処理温度の影響 (２);　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Ca-4
  著者;　平田 翔大, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• RFスパッタリング法によるInGaN薄膜の低温成長と評価;　2022年11月
  発表情報;　2022年応用物理学会九州支部学術講演会, 2022年11月26日, 大分大学, 26Cp-1
  著者;　野中 広太郎, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• Alternating molecular beam epitaxial growth of phosphorus-doped ZnTe thin films;　2022年11月
  発表情報;　The 7th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), November 26-27, 2022, Oita University, 26Ea-2.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Growth of Magnesium Gallate Films by Pulsed Laser Deposition;　2022年09月
  発表情報;　9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Nagoya, Japan, MP2-7, September 5, 2022.
  著者;　Qixin Guo, Junya Tetsuka, Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka
  
• Growth and Characterization of GaInN Films by Reactive Sputtering;　2022年09月
  発表情報;　22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, September 14, 2022, Wed-PO1B-9.
  著者;　Qixin Guo, Ryuuichi Udou, Kotaro Nonaka, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka
  
• RFスパッタリング法によるInGaN の薄膜成長と評価;　2022年09月
  発表情報;　2022年度電気・情報関係学会九州支部連合大会，オンライン，2022年9月16日, 08-1P-01.
  著者;　有働隆一, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• 分子線エピタキシー法によるZnTeO薄膜の成長と光電気化学特性の評価;　2022年09月
  発表情報;　2022年度電気・情報関係学会九州支部連合大会，オンライン，2022年9月16日，02-1A-06.
  著者;　園山天暉, 齊藤勝彦, 池田 茂, 郭 其新, 田中 徹
  
• Clドープ ZnCdTeO 中間バンド型太陽電池の光電変換特性の評価;　2022年09月
  発表情報;　2022年度電気・情報関係学会九州支部連合大会，オンライン，2022年9月16日，02-1A-07.
  著者;　谷 大樹, 斎藤勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• MBE Growth and Characterization of Phosphorus-doped ZnTe Thin Films;　2022年06月
  発表情報;　2022年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2022), 佐賀大学, 2022年6月11日, 14.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, and Tooru Tanaka
  
• 分子線エピタキシー成長によるn-ZnS/ZnTe光電極を用いた水の還元反応の評価;　2022年06月
  発表情報;　第19回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 金沢市文化ホール（ハイブリッド），2022年6月28日, PD-12.
  著者;　堤 龍介, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• Heteroepitaxial Growth of (AlGa)2O3 Thin Films on Sapphire Substrates by Plasma-Assisted Pulsed Laser Deposition ;　2022年05月
  発表情報;　5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD 2022), Maison Glad Jeju, Jeju, Korea, May 23-26, 2022, WeA1-3, Online.
  著者;　Zewei Chen, Makoto Arita, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Rutile GeO2 Film with (100) Orientation Grown on c-Plane Sapphire Substrate by Pulsed Laser Deposition;　2022年05月
  発表情報;　5th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD 2022), Maison Glad Jeju, Jeju, Korea, May 23-26, 2022, P-28, On-demand, Online.
  著者;　Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Growth and characterization of phosphorus-doped ZnTe thin films by MBE;　2022年03月
  発表情報;　2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学＋オンライン, 2022年3月25日, 25p-D113-2.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• 分子線エピタキシー成長による ZnTe 光電極を用いた 水の還元反応の評価;　2022年03月
  発表情報;　2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学＋オンライン, 2022年3月23日, 23p-E106-2.
  著者;　堤 龍介, 斎藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• RFマグネトロンスパッタ法によるCu3N薄膜の窒素分圧依存性;　2022年03月
  発表情報;　2022年第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学＋オンライン, 2022年3月23日, 23p-E106-5
  著者;　大石 美帆, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• MOVPE成長AlドープZnTe薄膜特性に及ぼすポストアニーリング処理温度の影響;　2021年12月
  発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン,2021年12月5日, 5Ca-4
  著者;　澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新
  
• Epitaxial growth of rutile GeO2 film on sapphire substrate by pulsed laser deposition;　2021年12月
  発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 5 December, 2021, Online, 5Ea-P2
  著者;　Gaofeng Deng, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• The effect of thermal annealing on the optical properties of europium doped Ga2O3 films;　2021年12月
  発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 5 December, 2021, Online, 5Ea-P12
  著者;　Yafei Huang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Near-infrared light-emitting devices based on Tm-doped gallium oxides;　2021年12月
  発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 5 December, 2021, Online, 5Ea-P13
  著者;　Zewei Chen, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• n型窓層にAlドープ ZnCdOを用いたZnTe太陽電池の作製と評価;　2021年12月
  発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Bp-10.
  著者;　七種朗，Hyo Chang Jang，齊藤勝彦，郭其新，田中徹
  
• 高周波マグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜の膜特性に及ぼす基板温度及び基板位置の効果;　2021年12月
  発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Bp-11.
  著者;　大石美帆，齊藤勝彦，郭其新，田中徹
  
• セレン化法による無アルカリ基板上へのCu2ZnSnSe4薄膜作製におけるプリカーサへのNaF添加効果;　2021年12月
  発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Bp-12
  著者;　田村優汰，齋藤勝彦，郭其新，田中徹
  
• 分子線エピタキシー法による光触媒応用を目指したZnTe薄膜の成長と光電気化学特性の評価;　2021年12月
  発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Bp-13
  著者;　堤龍介，吉永智大，齊藤勝彦，郭其新，池田茂，田中徹
  
• 酸素ラジカル源を用いたPLD法によるSi基板上へのTmドープGa2O3薄膜の作製と評価;　2021年12月
  発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Cp-1
  著者;　眞弓晃，齊藤勝彦，田中徹，郭其新
  
• RFスパッタリング法によるInGaNの薄膜成長と評価;　2021年12月
  発表情報;　2021年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2021年12月4日, 4Cp-2
  著者;　有働隆一，斉藤勝彦，田中徹，郭其新
  
• Growth of phosphorus-doped ZnTe thin films using InP dopant sources by MBE;　2021年12月
  発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 4 December, 2021, Online, 4Dp-2.
  著者;　Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Growth and characterization of Al-doped and undoped Zn1-xCdxO by molecular beam epitaxy under high oxygen flow rate;　2021年12月
  発表情報;　The 6th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 4 December, 2021, Online, 4Ep-6
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• GGG基板上ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価;　2021年09月
  発表情報;　2021年度（第74回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2021年9月25日, オンライン, 02-2P-05
  著者;　澤田航哉・斉藤勝彦・田中　徹・郭　其新
  
• Fabrication and characterization of the physical properties of ZnO thin films in presence of isopropyl alcohol by SILAR method for photovoltaic application;　2021年08月
  発表情報;　ACS Fall Meeting 2021, August 22 - 26, 2021.
  著者;　Bijoy Chandra Ghos, Md. Alauddin Hossain, Nazmul Islam Tanvir, Syed Farid Uddin Farhad, Mohammad Atiqur Rahman, Tooru Tanaka, Qixin Guo, Md Abdul Majed Patwary
  
• Influence of oxygen flow rate during the growth of Al-doped ZnCdO thin films by MBE;　2021年03月
  発表情報;　2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021年3月16日, 16a-Z24-1.
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• ZnTeO 中間バンド型太陽電池の ブロック層への Cl ドーピングによる効果;　2021年03月
  発表情報;　2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021年3月17日, 17a-Z35-6.
  著者;　七種 朗, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• PLD法によるSi(100)基板上へのTm ドープGa2O3薄膜の作製と評価;　2020年11月
  発表情報;　2020年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2020年11月28日, 28Ap-16
  著者;　眞弓 晃, 郭 其新, 齊藤 勝彦, 田中 徹
  
• MOVPE成長Al ドープZnTe薄膜特性に及ぼす基板温度とポストアニールの効果;　2020年11月
  発表情報;　2020年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2020年11月29日, 29Ba-1.
  著者;　澤田航哉, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新
  
• MBE法を用いて成長したPドープZnTe薄膜のアニール効果;　2020年11月
  発表情報;　2020年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2020年11月29日, 29Ba-2.
  著者;　三島 聖也, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• ブロック層にClドープZnTeを用いたZnTeO中間バンド型太陽電池の作製と評価;　2020年11月
  発表情報;　2020年度応用物理学会九州支部学術講演会, オンライン, 2020年11月29日, 29Ba-3.
  著者;　七種 朗, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• IMPACT OF O2 FLOW ON PROPERTIES OF CU4O3 THIN FILMS FABRICATED BY RF SPUTTERING;　2020年11月
  発表情報;　30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020), November 8-13, 2020, Jeju, Korea (Hybrid), T6-03-OP-5.
  著者;　Md Abdul Majed Patwary, Chun Yuen Ho, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz, Tooru Tanaka
  
• HIGH TRNASMITTANCE TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES OF ROCKSALT-AL-DOPED ZNCDO FOR FULL SPECTRUM SOLAR CELLS;　2020年11月
  発表情報;　30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020), November 8-13, 2020, Jeju, Korea (Hybrid), P2-T6-28.
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz, and Tooru Tanaka
  
• 分子線エピタキシー法によるPドープZnTe薄膜のアニール効果;　2020年10月
  発表情報;　第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 2020年10月15日, オンライン, PD-22.
  著者;　三島 聖也, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 山根 啓輔, 若原 昭浩, 田中 徹
  
• 透明酸化物半導体の３次元角度分解光電子分光;　2020年10月
  発表情報;　第14回九州シンクロトロン光研究センター研究成果報告会, 2020年10月21日（水）, ホテルマリターレ創世佐賀, P-1.
  著者;　高橋和敏、今村真幸、Hyo Chang Jang、田中徹、斎藤勝彦、郭其新、Kin MAn Yu、Wladek Walukiewicz
  
• ZnSeを含む積層プリカーサを用いたセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製;　2020年09月
  発表情報;　2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月9日, オンライン, 9a-Z01-2.
  著者;　宮原 諒也, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• 分子線エピタキシー法を用いた光触媒応用に向けたZnTe1-xOx薄膜の作製と評価;　2020年09月
  発表情報;　2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月9日, オンライン, 9a-Z01-3.
  著者;　吉永 智大, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• プラズマアシストPLD法によるサファイア基板上のコランダム構造Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長;　2020年09月
  発表情報;　2020年度（第73回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2020年9月27日, オンライン, 06-2A-02.
  著者;　Zewei Chen, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo
  
• PLD法によるSi基板上へのTmドープGa2O3薄膜の作製と評価;　2020年09月
  発表情報;　2020年度（第73回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2020年9月27日, オンライン, 06-2A-03.
  著者;　本村俊輔, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新
  
• PLD法による(AlGaIn)2O3のエピタキシャル成長;　2020年09月
  発表情報;　2020年度（第73回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2020年9月27日, オンライン, 06-2A-04.
  著者;　Chengyu Pan, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo
  
• PLD 法を用いて作製されたEuドープ(AlGa)2O3薄膜の発光特性;　2020年09月
  発表情報;　2020年度（第73回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2020年9月27日, オンライン, 06-2A-05.
  著者;　Yafei Huang, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo
  
• Erドープ(AlGa)2O3薄膜による緑色発光增強;　2020年09月
  発表情報;　2020年度（第73回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2020年9月27日, オンライン, 06-2A-06.
  著者;　Gaofeng Deng, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo
  
• RFスパッタリング法によるGaNを用いたInGaN薄膜の作製と評価;　2020年09月
  発表情報;　2020年度（第73回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2020年9月27日, オンライン, 06-2A-07.
  著者;　木下晃助, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新
  
• Growth of low resistive Al-doped ZnCdO thin films with rocksalt structure for Transparent Conductive Oxide;　2020年06月
  発表情報;　47th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Virtual Meeting, June 15-August 21, 2020.
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• 分子線エピタキシー法による光触媒応用を目指したZnO1-xTex薄膜の成長;　2020年03月
  発表情報;　2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学, 2020年3月13日, 13a-D215-3
  著者;　吉永 智大, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• Improved properties of low-resistive Al-doped ZnCdO thin films by MBE.;　2020年03月
  発表情報;　2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学, 2020年3月13日, 13a-D215-2
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Growth and characterization RS-ZnCdO thin films on MgO(100) substrates by molecular beam epitaxy;　2019年12月
  発表情報;　Materials Research Meeting 2019, December 10-14, 2019, Yokohama.
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• Growth and Characterization of Tm Doped Gallium Oxide Films;　2019年12月
  発表情報;　MATERIALS RESEARCH MEETING 2019, Dec.10-14, 2019, Yokohama, H3-12-P16.
  著者;　Qixin GUO, Shunsuke MOTOMURA, Katsuhiko SAITO, Tooru TANAKA
  
• Influence of nitrogen doping on properties of Cu4O3 thin films fabricated by radio frequency magnetron sputtering for low-cost solar cells.;　2019年11月
  発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 23 November, 2019, Kumamoto, 23Ep-1.
  著者;　Md Abdul Majed Patwary, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• Influence of oxygen flow rate on properties of Al-doped ZnCdO thin films grown by radicalsource molecular beam epitaxy;　2019年11月
  発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 23 November, 2019, Kumamoto, 23Ep-5.
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• Epitaxial growth of α-Ga2O3 thin films on sapphire substrates by pulsed laser deposition;　2019年11月
  発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 23 November, 2019, Kumamoto, 23Fa-2.
  著者;　Chen Zewei, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Photoluminescence of Eu doped (InGa)2O3 films deposited at various substrate temperatures;　2019年11月
  発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 23 November, 2019, Kumamoto, 23Fa-3.
  著者;　Chengyu Pan, Fabi Zhang, Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka
  
• Effect of assistant RF plasma on structure and properties of Ga2O3 related thin films prepared by pulsed laser deposition;　2019年11月
  発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 23 November, 2019, Kumamoto, 23Fa-4.
  著者;　Fabi Zhang, Congyu Hu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Effect of bandgap on the luminescence properties of Er-doped (AlxGa1-x)2O3 films;　2019年11月
  発表情報;　The 4th Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 23 November, 2019, Kumamoto, 23Fa-5.
  著者;　Gaofeng Deng, Fabi Zhang, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Makoto Arita, Qixin Guo
  
• 分子線エピタキシー法によるZnOTe薄膜の作製と評価;　2019年11月
  発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 2019年11月23日, 23Cp-10.
  著者;　吉永 智大, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 池田 茂, 田中 徹
  
• GaAs(110)面上へのZnSe 薄膜のMBE成長;　2019年11月
  発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 2019年11月23日, 23Cp-11.
  著者;　福山耕平, 齊藤勝彦, 郭其新, 田中徹
  
• ZnSeを含む積層プリカーサのセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価;　2019年11月
  発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 2019年11月24日, 24Dp-4.
  著者;　宮原 諒也, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新
  
• ZnCdTeO中間バンド型太陽電池におけるClドーピング効果;　2019年11月
  発表情報;　第4回フロンティア太陽電池セミナー, 広島市, 2019年11月25日, P13.
  著者;　渡辺 裕介，泉 健夫，齊藤 勝彦，郭 其新，田中 徹
  
• InPをドーパント源に用いたPドープZnTe薄膜のアニール効果;　2019年11月
  発表情報;　第4回フロンティア太陽電池セミナー, 広島市, 2019年11月25日, P4.
  著者;　三島 聖也，齊藤 勝彦, 郭 其新, 山根 啓輔, 若原 昭浩, 田中徹
  
• RFスパッタリング法を用いたサファイア基板上へのInGaN薄膜の成長と評価;　2019年11月
  発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 2019年11月23日, 23Cp-12.
  著者;　木下晃助, 斎藤勝彦, 田中徹, 郭其新
  
• Si基板上へのTmドープGa2O3薄膜の作製と評価;　2019年11月
  発表情報;　2019年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学, 2019年11月24日, 24Dp-5.
  著者;　本村俊輔, 齊藤勝彦, 田中徹, 郭其新
  
• MBE growth and characterization of Cl-doped ZnCdTeO layers for intermediate band solar cells;　2019年10月
  発表情報;　The 19th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, P-35, October 27-31, 2019, Zhengzhou, China.
  著者;　Y. Watanabe, T. Izumi, K. Saito, Q. Guo, T. Tanaka, K. M. Yu, and W.Walukiewicz
  
• P and Al co-doped ZnTe Epilayers Grown by MOVPE;　2019年10月
  発表情報;　The 19th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, P-10, October 27-31, 2019, Zhengzhou, China.
  著者;　K. Saito, T. Hamada, Y. Hara, T. Tanaka, Q. Guo
  
• Low temperature growth of Tm doped gallium oxide films by plasma-assisted pulsed laser deposition;　2019年09月
  発表情報;　The 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV), September 8-13, 2019, Saint Petersburg, Russia, We-3p.
  著者;　Qixin Guo, Shunsuke Motomura, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka
  
• ClドープZnTeO中間バンド型太陽電池における光電変換特性の温度依存性;　2019年09月
  発表情報;　2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-B12-5, 北海道大学, 2019年9月20日.
  著者;　泉 健夫，渡辺 裕介，田中 徹，齊藤 勝彦，郭 其新
  
• 分子線エピタキシー法を用いたGaAs(110)基板上へのZnSe薄膜成長;　2019年09月
  発表情報;　2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-E206-1, 北海道大学, 2019年9月18日.
  著者;　福山 耕平, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新
  
• Al，P共添加ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価;　2019年09月
  発表情報;　2019年度（第72回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2019年9月27日, 大分大学, 04-1P-05.
  著者;　浜田 樹, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• RFスパッタリング法によるInGaN薄膜成長及び評価;　2019年09月
  発表情報;　2019年度（第72回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 2019年9月27日, 大分大学, 04-1P-06.
  著者;　境 伶王, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新
  
• Growth and characterization of ZnCdO thin films on MgO(100) substrates by MBE.;　2019年07月
  発表情報;　第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 宮崎, 2019年7月4日, PE-24.
  著者;　HyoChang Jang, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• MBE法によるClドープZnCdTeO薄膜の成長と評価;　2019年07月
  発表情報;　第16回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 宮崎, 2019年7月4日, PE-25
  著者;　渡辺 裕介, 泉 健夫, 福山 耕平, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• Oxygen Concentration Dependence of Photovoltaic Properties of Intermediate Band Solar Cells based on Cl-doped ZnTeO;　2019年06月
  発表情報;　46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Chicago, June 19, 2019.
  著者;　T. Tanaka, T. Izumi, K. Matsuo, K. Saito, Q. Guo, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  
• Demonstration of Low-Resistive P-Type Cu4O3 Thin Films by Radio Frequency Sputtering for Low-Cost Thin Film Solar Cells;　2019年05月
  発表情報;　2019-edition of Compound Semiconductor Week, 46th International Symposium on Compound Semiconductors, Nara, May 23, 2019, ThC1-5.
  著者;　Md Abdul Majed Patwary, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz,
  
• Growth of Al-doped ZnCdO thin films on MgO substrates by molecular beam epitaxy;　2019年03月
  発表情報;　2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成31年3月10日, 10a-W922-5
  著者;　HyoChang Jang, Kento Matsuo, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
  
• MBE によるCl ドープZnCdTeO 層の膜特性の組成依存性;　2019年03月
  発表情報;　2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成31年3月10日, 10a-W922-6
  著者;　渡辺 裕介, 峯 拓郎, 松尾 健斗, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 田中 徹
  
• InPをドーパント源に用いたPドープZnTe薄膜のMBE成長;　2019年03月
  発表情報;　2019年第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成31年3月10日, 10a-W922-7
  著者;　三島 聖也, 松尾 健斗, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 山根啓輔, 若原 昭浩, 田中 徹
  
• 分子線エピタキシー法を用いたGaAs(100)基板上へのZnSe 薄膜成長;　2018年12月
  発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-1
  著者;　福山 耕平, 松尾 健斗, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新
  
• 分子線エピタキシー法によるP ドープZnTe 薄膜の成長と評価;　2018年12月
  発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-2
  著者;　松尾健斗, 渡辺裕介, 田中徹, 齊藤勝彦, 郭其新
  
• 減圧MOVPE 法による(100)GaAs 基板上へのZnMgSeTe 薄膜成長;　2018年12月
  発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-3
  著者;　浜田 樹，平木 美穂，原 悠馬，斉藤 勝彦，田中 徹，郭 其新
  
• Cl ドープZnTeO 中間バンド型太陽電池における光電変換特性の酸素濃度及び温度依存性;　2018年12月
  発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-4
  著者;　泉 健夫, 松尾 健斗, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新
  
• RF スパッタリング法によるGaN を用いたInGaN 薄膜成長に関する研究;　2018年12月
  発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ca-5
  著者;　境伶王，斉藤勝彦，田中徹，郭 其新
  
• 酸素ラジカル源を用いたPLD 法によるサファイア基板上へのSi ドープGa2O3 薄膜の作製と評価;　2018年12月
  発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ap-1
  著者;　岡崎里紗，斉藤勝彦，田中徹，郭其新
  
• 酸素ラジカル源を用いたPLD 法によるα-Al2O3 基板上へのTm ドープGa2O3 薄膜の成長と評 価;　2018年12月
  発表情報;　平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会, 福岡大学, 平成30年12月8日, 8Ap-2
  著者;　田崎 純平，斉藤勝彦，田中徹，郭其新
  
• Characterization of Al-doped ZnCdO thin films on MgO substrates by molecular beam epitaxy;　2018年12月
  発表情報;　The 3rd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 8 December, 2018, Fukuoka, 8Po-5.
  著者;　HyoChang Jang, Kento Matsuo, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito and Qixin Guo
  
• Effect of oxygen flow rate and temperature on Cu4O3 Thin Films by Radio Frequency Sputtering;　2018年12月
  発表情報;　The 3rd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 8 December, 2018, Fukuoka, 8Po-6.
  著者;　Md Abdul Majed Patwary, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Growth and characterization of CdZnO thin films on sapphire substrates by MBE;　2018年09月
  発表情報;　20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 4, 2018, Shanghai, China, Tu-C2-1.
  著者;　HyoChang Jang, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Yeonbae Lee, and Wladek Walukiewicz
  
• Growth of P-doped ZnTe epilayers on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy;　2018年09月
  発表情報;　20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 4, 2018, Shanghai, China, Tu-P-20.
  著者;　K. Matsuo, Y. Watanabe, T. Tanaka, K. Saito, Y. Nose, Q. Guo, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  
• ClドープZnTeO中間バンド型太陽電池における光電変換特性の酸素濃度依存性;　2018年09月
  発表情報;　2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB5-13, 名古屋国際会議場, 2018年9月19日.
  著者;　泉 健夫, 堤 修治, 松尾 健斗, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新
  
• SnSeを用いたセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価;　2018年09月
  発表情報;　2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-431B-1, 名古屋国際会議場, 2018年9月21日.
  著者;　辻 俊一, 宮原 諒也, 嘉藤 祐介, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新
  
• MBE 法により成長したCl ドープZnCdTeO 薄膜の特性評価;　2018年09月
  発表情報;　2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-431B-2, 名古屋国際会議場, 2018年9月21日.
  著者;　渡辺 裕介, 松尾 健斗, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新
  
• MBE成長によるZnTe薄膜へのPドーピング;　2018年03月
  発表情報;　2018年第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学, 平成30年3月20日, 20a-F210-2.
  著者;　松尾健斗, 渡辺裕介, 堤 修治, 田中徹, 齊藤勝彦, 郭其新, 野瀬嘉太郎
  
• MBE growth and characterization of ZnCdO thin films on MgO substrates;　2017年12月
  発表情報;　The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 1 December, 2017, Miyazaki, 1Cp-15.
  著者;　HyoChang Jang, Kento Matsuo, Shuji Tsutsumi, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo
  
• Photoluminescence and Photovoltaic properties of Cl-doped ZnTeO intermediate band solar cells;　2017年12月
  発表情報;　The 2nd Asian Applied Physics Conference (Asian-APC), 2 December, 2017, Miyazaki, 2PEPo-17.
  著者;　S. Tsutsumi, K. Matsuo, T. Tanaka, K. Saito, T. Tayagaki and Q. Guo
  
• セレン化法を用いたCuSbSe2薄膜の作製と評価;　2017年12月
  発表情報;　平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎観光ホテル, 平成29年12月3日, 3Ca-9.
  著者;　辻 俊一，嘉藤 祐介，田中 徹，齊藤 勝彦，郭 其新
  
• Sn-P化合物をドーパント源に用いたZnTe薄膜のMBE成長;　2017年12月
  発表情報;　平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎観光ホテル, 平成29年12月3日, 3Ca-10.
  著者;　松尾健斗, 渡辺裕介, 田中徹, 齊藤勝彦, 郭其新, 野瀬嘉太郎
  
• Influence of oxygen contents on properties of Cl-doped ZnTeO layers grown by MBE;　2017年12月
  発表情報;　平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎観光ホテル, 平成29年12月3日, 3Ca-12.
  著者;　Muhamad Mustofa, Kento Matsuo, Shuji Tsutsumi, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, A.N Afandi, Yuni Rahmawati, Qixin Guo
  
• GROWTH AND CHARACTERIZATION OF ZnCdO THIN FILMS BY MOLECULAR BEAM EPITAXY FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES;　2017年11月
  発表情報;　The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 15 November, 2017, Otsu, Japan, 6TuPo.194.
  著者;　HyoChang Jang, Syohei Ushio, Shuji Tsutsumi, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF CUSBSE2 THIN FILMS BY SELENIZATION OF METAL PRECURSORS;　2017年11月
  発表情報;　The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 15 November, 2017, Otsu, Japan, 6TuPo.198.
  著者;　Shunichi Tsuji, Yusuke Kato, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo
  
• ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF Cl-DOPED ZnTeO-BASED INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS;　2017年11月
  発表情報;　The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 15 November, 2017, Otsu, Japan, 6ThPo.196.
  著者;　Kento Matsuo, Shuji Tsutsumi, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Characteristics of gallium oxide films grown by oxygen plasma assisted pulsed laser deposition;　2017年11月
  発表情報;　International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD 2017) November 14-18, 2017, Fukuoka, Th-P1.
  著者;　C. Hu, K. Saito, T. Tanaka, and Q. Guo
  
• Investigation on structural properties of rare earth doped gallium oxide films;　2017年11月
  発表情報;　International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD 2017) November 14-18, 2017, Fukuoka, Th-P3.
  著者;　K. Nishihagi, K. Saito, T. Tanaka, and Q. X. Guo
  
• 単一金属積層プリカーサのセレン化によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製;　2017年11月
  発表情報;　第2回フロンティア太陽電池セミナー, 金沢大学サテライトプラザ, 平成29年11月30日
  著者;　嘉藤祐介, 辻俊一, 田中徹, 齊藤勝彦, 郭其新
  
• 金属積層プリカーサのセレン化によるCuSbSe2薄膜の作製と評価;　2017年09月
  発表情報;　2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-PA6-6, 2017年9月6日, 福岡国際会議場.
  著者;　辻 俊一、嘉藤 祐介、田中 徹、齊藤 勝彦、郭 其新
  
• ClドープZnTeO中間バンド型太陽電池の電気的特性;　2017年09月
  発表情報;　2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-PA5-18, 2017年9月6日, 福岡国際会議場.
  著者;　松尾 健斗、堤 修治、田中 徹、齊藤 勝彦、郭 其新、太野垣 健
  
• Growth and characterization of ZnCdO thin films by molecular beam epitaxy on MgO substrates for transparent conductive oxides;　2017年09月
  発表情報;　2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-PA6-5, 2017年9月6日, 福岡国際会議場
  著者;　HyoChang Jang, Syohei Ushio, Shuji Tsutsumi, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo
  
• RFスパッタリング法によるGaAs(100)基板上へのGaN薄膜成長;　2017年09月
  発表情報;　平成29年度（第70回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成29年9月27日, 琉球大学, 05-1A-01.
  著者;　伊藤　亘, 境　伶王, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新
  
• PLD法を用いたサファイア基板上へのSiドープGa2O3薄膜の作製と評価;　2017年09月
  発表情報;　平成29年度（第70回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成29年9月27日, 琉球大学, 05-1A-02.
  著者;　岡﨑里紗, 森　龍, 田﨑純平, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新
  
• PLD法によるTmドープGa2O3薄膜の成長と評価;　2017年09月
  発表情報;　平成29年度（第70回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成29年9月27日, 琉球大学, 05-1A-03.
  著者;　森　龍, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新
  
• PLD法によるサファイア基板上へのLiNbO3薄膜成長及び評価に関する研究;　2017年09月
  発表情報;　平成29年度（第70回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成29年9月27日, 琉球大学, 05-1A-04.
  著者;　田﨑純平, 森　龍, 岡﨑里紗, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新
  
• Effect of Cl-doping in ZnTeO on Photoluminescence and Photovoltaic Properties of ZnTeO-based Intermediate Band Solar Cells;　2017年06月
  発表情報;　44th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44), June 26, 2017, Washington D.C.
  著者;　T. Tanaka, S. Tsutsumi, Y. Okano, K. Matsuo, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, T. Tayagaki, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  
• MBE法によるClドープZnTeO成長と中間バンド型太陽電池への応用;　2017年03月
  発表情報;　2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 平成29年3月17日, 17a-513-1.
  著者;　堤 修治, 岡野 友紀, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘, 太野垣 健
  
• 金属積層プリカーサを用いたセレン化法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製;　2017年03月
  発表情報;　2017年第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 平成29年3月17日, 17a-513-7.
  著者;　嘉藤 祐介, 辻 俊一, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• 有機金属気相法による4 元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の諸特性の成長室内圧力効果;　2016年12月
  発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-1.
  著者;　友田 晃宏, 松尾 友誠, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• 減圧有機金属気相成長法によるZn1-xMgxSeyTe1-y のドーピング特性;　2016年12月
  発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-2.
  著者;　松尾友誠, 友田晃宏, 齋藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾光弘
  
• 金属積層プリカーサのセレン化によるCu2ZnSnSe4 薄膜の作製と評価;　2016年12月
  発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-3.
  著者;　嘉藤 祐介, 辻 俊一, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• MBE により成長したZnCdO 薄膜の特性評価;　2016年12月
  発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-4.
  著者;　潮 昇平, 岡野 友紀, 堤 修治, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• Cl ドープZnTeO 薄膜のMBE 成長と中間バンド型太陽電池への応用;　2016年12月
  発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-5.
  著者;　堤 修治, 岡野 友紀, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• RF スパッタリング法によるGaAs(100)基板上へのGaN 薄膜成長;　2016年12月
  発表情報;　平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会, 対馬市交流センター, 平成28年12月3日, 3Ba-6.
  著者;　伊藤 亘, 下川 顕太郎, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• Synthesis of Cl-doped ZnTeO for Intermediate Band Solar Cells;　2016年12月
  発表情報;　第26回日本MRS年次大会, 産業貿易センタービル, 横浜市, 平成28年12月20日, A3-P20-002
  著者;　S. Tsutsumi, Y. Okano, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  
• 中間バンド型太陽電池用ZnCdTeO薄膜の成長と評価;　2016年11月
  発表情報;　第1回フロンティア太陽電池セミナー, 2016年11月17日, 京都大学
  著者;　田中徹, 岡野友紀, 堤修治, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• ZnCdO透明導電膜の作製と評価;　2016年11月
  発表情報;　第1回フロンティア太陽電池セミナー, 2016年11月17日, 京都大学
  著者;　田中徹, 潮昇平，岡野友紀, 堤修治, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• Growth of Zn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5) highly mismatched alloys for intermediate band solar cells;　2016年10月
  発表情報;　26th edition of the International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26), 26 October 2016, Singapore.
  著者;　T. Tanaka, T. Terasawa, Y. Okano, S. Tsutsumi, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  
• Crystal growth of gallium oxide based wide bandgap semiconductors;　2016年10月
  発表情報;　International conference on applied crystallography, October 17-19, 2016, Houston, USA, Oct. 18 16:45-17:10
  著者;　Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
  
• MBEによるサファイア基板上ZnCdO薄膜の光学的・電気的特性評価;　2016年09月
  発表情報;　2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年9月13日, 13p-D61-6,朱鷺メッセ, 新潟.
  著者;　潮 昇平, 岡野 友紀, 堤 修治, 田中 徹, 齊藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• MBEによるZn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5)薄膜の成長と評価;　2016年09月
  発表情報;　2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年9月14日, 14p-P8-2,朱鷺メッセ, 新潟.
  著者;　寺沢俊貴, 岡野友紀, 堤修治, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• 減圧有機金属気相成長法により作製されたAs-grownとアニ－ル処理後の燐ド－プZnTe膜の電気的光学的性質;　2016年09月
  発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-01.
  著者;　庄野智瑛, 中鶴悠太, 松尾友誠, 友田晃宏, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• THzデバイス応用のためのMOVPE法による(0001)α-Al2O3基板上へのZnTe単結晶の成長;　2016年09月
  発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-02
  著者;　森　龍, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新
  
• 減圧有機金属気相法による4元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の組成制御と結晶評価;　2016年09月
  発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-03
  著者;　友田晃宏, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 松尾友誠, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• 減圧有機金属化学気相法による燐ド－プZn1-xMgxSeyTe1-y膜の作製と評価;　2016年09月
  発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-04
  著者;　中鶴悠太, 庄野智瑛, 松尾友誠, 友田晃宏, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• 有機金属化学気相法により作製された燐ド－プZn1-xMgxSeyTe1-y膜のアニ－ル処理効果;　2016年09月
  発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-05
  著者;　松尾友誠, 友田晃宏, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齊藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• PLD法によるp型Si(111)基板上へのEuドープGa2O3薄膜の成長と評価;　2016年09月
  発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-06
  著者;　野田真司, 陳　政委, 斉藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新
  
• RFスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長に関する研究;　2016年09月
  発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-07
  著者;　下川顕太郎, 伊藤　亘, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新
  
• MBE成長ZnCdTeO薄膜の光学特性の評価と太陽電池応用;　2016年09月
  発表情報;　平成28年度（第69回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 平成28年9月29日, 宮崎大学, 05-1A-10
  著者;　岡野友紀, 堤　修治, 潮　昇平, 田中　徹, 斉藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘
  
• Photoluminescence and Electrical Properties of P-doped ZnTe Layers Grown by Low Pressure MOVPE;　2016年08月
  発表情報;　The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-11.
  著者;　M. Nishio, K. Saito, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. Guo
  
• Growth of ZnMgSeTe nearly Lattice-matched to ZnTe and p-type Doping by Low-pressure MOVPE;　2016年08月
  発表情報;　The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04-10
  著者;　K. Saito, M. Nishio, Y. Nakatsuru, T. Shono, Y.Matsuo, A. Tomota, T. Tanaka, and Q. X. Guo
  
• Low temperature growth of ZnO/MgZnO single quantum well;　2016年08月
  発表情報;　The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, ThP-T04.
  著者;　X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q.-X. Guo
  
• Epitaxial growth of Ga2O3:Er films on silicon substrate;　2016年08月
  発表情報;　The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18), August 7-12, 2016, Nagoya, MoP-G04.
  著者;　Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. Guo
  
• Green Electroluminescence from Er Doped Gallium Oxide/Silicon Heterostructured Light Emitting Device;　2016年06月
  発表情報;　58th Electronic Materials Conference, June 22-24, 2016, University of Delaware, Newark, DE, June 22, PS7.
  著者;　Qixin Guo, Zhenwei Chen, Shinji Noda, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• Cl-doping in Highly Mismatched ZnTe1-xOx Alloys for Intermediate Band Solar Cells;　2016年06月
  発表情報;　43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-43), June 9, 2016, Portland. 772.
  著者;　T. Tanaka, S. Tsutsumi, Y. Okano, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  
• MBE法によるClドープZnTeOの光学特性の評価;　2016年03月
  発表情報;　2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月21日, 21a-H113-4.
  著者;　堤 修治, 岡野 友紀, 寺沢 俊貴, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• 分子線エピタキシー法によるZnCdO薄膜の成長と評価;　2016年03月
  発表情報;　2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月21日, 21a-H113-5.
  著者;　潮 昇平，寺沢 俊貴，岡野 友紀，田中 徹，齊藤 勝彦，郭 其新，西尾 光弘
  
• PLD法によるp型Si(111)基板上へのErドープGa2O3薄膜の成長と評価;　2016年03月
  発表情報;　2016年第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学, 平成28年3月20日, 20p-S223-17.
  著者;　野田 真司, 陳 政委, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• MBE法によるClドープZnTeOのフォトルミネッセンス特性の評価;　2015年12月
  発表情報;　平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会, 琉球大学, 平成27年12月5-6日, 5Ba-7.
  著者;　堤修治, 岡野友紀, 寺沢俊貴, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• PLD法によるErドープGa2O3薄膜成長とフォトルミネッセンス;　2015年12月
  発表情報;　平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会, 琉球大学, 平成27年12月5日, 5Ba-8.
  著者;　野田 真司, 陳 政委, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• RFスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長;　2015年12月
  発表情報;　平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会, 琉球大学, 平成27年12月5日, 5Ba-9.
  著者;　下川 顕太郎, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• 有機金属気相成長法により作製されたPドープZnTeエピ膜の電気的性質の温度依存性;　2015年12月
  発表情報;　平成27年度応用物理学会九州支部学術講演会, 琉球大学, 平成27年12月5日, 5Ba-10.
  著者;　中鶴 悠太, 庄野 智瑛, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• Zn1-xCdxTe薄膜のMBE成長と太陽電池への応用;　2015年12月
  発表情報;　平成27年度応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会, アオーレ長岡, 平成27年12月12日, P-30.
  著者;　岡野 友紀，寺沢 俊貴，田中 徹，斉藤 勝彦，郭 其新，西尾 光弘
  
• 有機金属化学気相法による4元混晶半導体Zn1-xMgxSeyTe1-y膜の成長と評価;　2015年12月
  発表情報;　平成27年度応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会, アオーレ長岡, 平成27年12月12日, P-31.
  著者;　庄野 智瑛，中靏 悠太，阿比留 昌克，荒木 康博，田中 大地，森 英一郎，齊藤 勝彦，田中 徹，郭 其新，西尾 光弘
  
• Si-Doped Ga2O3 Films Grown by Pulsed Laser Deposition;　2015年11月
  発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E29, November 3-6, 2015, Kyoto.
  著者;　F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo
  
• The Effect of Growth Temperature on Structural and Optical Properties of Europium Doped Ga2O3 Films;　2015年11月
  発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E30, November 3-6, 2015, Kyoto.
  著者;　Z. Chen, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo
  
• Effect of Substrate Temperature on Structures and Optical Properties of (AlGa)2O3 Films;　2015年11月
  発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, E33, November 3-6, 2015, Kyoto
  著者;　X. Wang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, and Q. Guo
  
• MBEによるCl添加ZnTeO薄膜の成長と評価;　2015年09月
  発表情報;　2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 平成27(2015)年9月13日, 13p-PB1-2.
  著者;　田中徹, 堤修治, 岡野友紀, 寺沢俊貴, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• 分子線エピタキシー法によるZnCdO薄膜の作製と評価;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-04
  著者;　潮　昇平, 田中　徹, 齊藤勝彦, 西尾光弘, 郭　其新
  
• 多源蒸着法によるCu2SnSe3薄膜の作製および評価;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-05
  著者;　坂本　駿, 嘉藤祐介, 齊藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘, 田中　徹
  
• PLD法によるアンドープZnTe薄膜成長及び評価;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-08
  著者;　中島洋平, 野田真司, 齊藤勝彦, 西尾光弘, 田中徹, 郭其新
  
• PLD成長Sn成長ドープGa2O3薄膜の特性に及ぼす酸素圧力の影響;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-09
  著者;　姜英希, 張法碧, 齊藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• スパッタリング法によるMgO(100)基板上へのGaN薄膜成長;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-10
  著者;　藤坂遼, 下川顕太郎, 齊藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 減圧有機金属気相成長法によるZnSexTe1-xの作製と評価;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-12
  著者;　森英一郎, 阿比留昌克, 荒木康博, 田中大地, 中靏悠太, 庄野智瑛, 齋藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• 減圧MOVPE法により作製されたZn1-xMgxTe膜の特性に及ぼす原料供給量の効果;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-13
  著者;　阿比留昌克, 森　栄一郎, 荒木康博, 田中大地, 中鶴悠太, 庄野智瑛, 齋藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• MOVPE法による燐ドープZnTe膜の特性に及ぼす成長室圧力の影響;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-14
  著者;　荒木康博, 阿比留昌克, 田中大地, 森　英一郎, 齋藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• 減圧MOVPE法によるp-ZnTe膜の特性のTDMAP供給量の効果;　2015年09月
  発表情報;　平成27年度（第68回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 福岡大学, 平成27(2015)年9月27日, 05-2P-15
  著者;　田中大地, 阿比留昌克, 荒木康博, 森　英一郎, 斎藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘
  
• Multicolor Electroluminescence from Dilute Nitride Based Intermediate Band Solar Cell Structures;　2015年09月
  発表情報;　11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11), September 3, 2015, Beijing. ThBO6.
  著者;　N. Lopez, B. J. Garcia, K. M. Yu, T. Tanaka, and W. Walukiewicz
  
• Influence of Source Transport Rate upon Compositions of Mg and Se in Zn1-xMgxSeyTe1-y Layers grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2015年09月
  発表情報;　17th international conference on II-VI compounds and related materials, 13-18 September, 2015, Paris, MoP-21.
  著者;　K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio
  
• Low Pressure MOVPE Growth and Characterization of ZnTe Homoepitaxial Layers;　2015年09月
  発表情報;　17th international conference on II-VI compounds and related materials, 13-18 September, 2015, Paris, MoP-23.
  著者;　M. Nishio, K. Saito, M. Abiru, E. Mori, Y. Araki, D. Tanaka, T. Tanaka, and Q.X. Guo
  
• Growth and Characterization of Highly Mismatched Zn1-xCdxTe1-yOy Alloys for Intermediate Band Solar Cells;　2015年06月
  発表情報;　42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-42), June 17, 2015, New Orleans. C2.
  著者;　T. Tanaka, K. Mizoguchi, T. Terasawa, Y. Okano, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  
• Characterization of Cu2SnSe3 Thin Films Fabricated by Coevaporation;　2015年06月
  発表情報;　42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-42), June 17, 2015, New Orleans. F26.
  著者;　T. Tanaka, S. Tokunaga, S. Sakamoto, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, and X. Han
  
• ZnTe基板上へのClドープCdTe薄膜のMBE成長;　2015年03月
  発表情報;　2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, 平成27年3月12日, 12p-A26-1.
  著者;　寺沢俊貴, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• MBEによる高不整合材料ZnCdTeO薄膜の成長;　2015年03月
  発表情報;　2015年第62回応用物理学会春季学術講演会, 東海大学, 平成27年3月12日, 12p-A26-2.
  著者;　岡野 友紀, 溝口 耕輔, 寺沢 俊貴, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• PLD法によるSnドープGa2O3薄膜の成長と評価;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ap-3
  著者;　姜英希, 張法碧, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 多源蒸着法によるCu2SnSe3の作製と評価;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ba-7
  著者;　徳永智史, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池応用を目指したZnO:Alおよびi-ZnO薄膜の作製と評価;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ea-1
  著者;　坂本駿，徳永智史, 田中徹, 斎藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• ZnTe(111)薄膜上へのアンドープZnO薄膜成長及び特性評価;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ea-2
  著者;　中島洋平, 中嶋和紀, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 減圧有機金属気相成長法により作製されたZnTeエピ膜の成長特性;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ea-3
  著者;　阿比留昌克, 森英一郎, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• 分子線エピタキシ一法によるZnTe基阪上へのClドープCdTe層の成長;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ea-4
  著者;　寺沢俊貴, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• 有機金属気相成長法で作製されたZnTeエピ膜の光学的結品学的特性に及ぼす圧力の影響;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ea-5
  著者;　森英一郎, 阿比留昌克, 浦田健佑, 荒木康博, 田中大地, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• 有機金属気相成長法によるAl2O3基板上へのZn1-xMgxSeyTe1-y膜の成長とバンドギャップの評価;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ea-6
  著者;　田中大地, 浦田健佑, 阿比留昌克, 荒木康博, 森英一朗, 斎藤勝彦, 西尾光弘, 田中徹, 郭其新
  
• スパッタリング法によるMgO(100)基板上へのInN薄膜成長;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ea-10
  著者;　藤坂遼, 牛島孝哉, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 有機金属気相成長法によるZnTe基板上へのZn1-xMgxSeyTe1-xの成長とPドーピング;　2014年12月
  発表情報;　平成26年度応用物理学会九州支部学術講演会, 大分大学, 平成26年12月6日, 6Ep-1
  著者;　荒木康博, 浦田健佑, 阿比留昌克, 田中大地, 森英一郎, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• Optical properties of ZnTe/ZnMgTe multiple quantum wells for optoelectronic device applications;　2014年11月
  発表情報;　27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, November 6, 2014, Fukuoka, Japan. 6B-5-4.
  著者;　T. Tanaka, H. Ohshita, K. Saito, Q. Guo, and M. Nishio
  
• ZnTeO-based intermediate band solar cells using MBE-grown n-type ZnS layers;　2014年11月
  発表情報;　6th World Conferenceon Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6), November 25, 2014, 1TuO.7.3.
  著者;　Tooru Tanaka, Shin Haraguchi, Kosuke Mizoguchi, Toshiki Terasawa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu and Wladek Walukiewicz
  
• Intermediate band solar cells based on ZnTeO epilayer with n-ZnS blocking layer;　2014年09月
  発表情報;　18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 11, 2014, Flagstaff, AZ. P110.
  著者;　Tooru Tanaka, Shin Haraguchi, Kosuke Mizoguchi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• n-ZnS窓層を用いたZnTeO中間バンド型太陽電池の特性評価;　2014年09月
  発表情報;　2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 平成26年9月17日, 17p-A12-8.
  著者;　田中徹，原口真, 溝口耕輔, 寺沢俊貴, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• ZnTe基板上へのZnCdTeO薄膜のMBE成長と評価;　2014年09月
  発表情報;　平成26年度（第67回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 鹿児島大学, 平成26年9月18日, 07-1A-02.
  著者;　溝口耕輔, 寺沢俊貴, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• MOVPE法によるm-planeサファイア基板上へのZnTeヘテロエピタキシャル成長の基板温度依存性;　2014年09月
  発表情報;　平成26年度（第67回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 鹿児島大学, 平成26年9月18日, 07-1A-03.
  著者;　中嶋和紀, 中島洋平, 齋藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• スパッタリング法によるYSZ基板上のInGaN薄膜成長;　2014年09月
  発表情報;　平成26年度（第67回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 鹿児島大学, 平成26年9月18日, 07-1A-04.
  著者;　牛島孝哉, 藤坂遼, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 有機金属気相成長法によるZn1-xMgxSeyTe1-y薄膜の成長とMg組成の制御;　2014年09月
  発表情報;　平成26年度（第67回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 鹿児島大学, 平成26年9月18日, 07-1A-05.
  著者;　浦田健佑, 田中大地, 荒木康博, 阿比留昌克, 森　英一郎, 齋藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• ITO透明電極を用いたZnTe緑色LEDの作製と評価;　2014年09月
  発表情報;　平成26年度（第67回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 鹿児島大学, 平成26年9月18日, 07-1A-06.
  著者;　岡本康弘, 西尾光弘, 田中徹, 齊藤勝彦, 浦田健祐, 阿比留昌克, 田中大地, 荒木康博, 森　英一郎
  
• n型ZnS窓層を用いたZnTe太陽電池の作製とアニール効果;　2014年09月
  発表情報;　平成26年度（第67回）電気・情報関係学会九州支部連合大会, 鹿児島大学, 平成26年9月18日, 07-1A-09.
  著者;　原口真, 寺沢俊貴, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS BASED ON HIGHLY MISMATCHED ZNTEO ALLOYS;　2014年07月
  発表情報;　Grand Renewable Energy 2014 (GRE2014) International Conference, July 31, 2014, Tokyo. O-Pv-12-2.
  著者;　Tooru Tanaka, Shin Haraguchi, Kosuke Mizoguchi, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Effects of substrate temperature and doping upon some properties of undoped and phosphorus-doped Zn1-xMgxSeyTe1-y layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2014年07月
  発表情報;　17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 14 July, 2014, Lausanne, Switzerland. Mon-Poster-0-85.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Katsuhiko Saito, Kensuke Urata, Yasuhiro Okamoto, Yasuaki Nakamura, Tooru Tanaka and Qixin Guo
  
• Effects of DETe transport rate upon some properties of phosphorus-doped Zn1-xMgxTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2014年07月
  発表情報;　17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 14 July, 2014, Lausanne, Switzerland. Thu-Poster-0-84.
  著者;　Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Kensuke Urata, Yasuhiro Okamoto, Yasuaki Nakamura, Tooru Tanaka and Qixin Guo
  
• ZnTe基板上へのAlドープZnSe薄膜のMBE成長と太陽電池への応用;　2014年03月
  発表情報;　第60回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学, 2014年3月18日, 18a-D2-4.
  著者;　溝口耕輔, 長尾康弘, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• Molecular Beam Epitaxial Growth of N-Type ZnS Layers for ZnTeO-Based Intermediate Band Solar Cells;　2013年12月
  発表情報;　2013 Materials Research Society Fall Meeting, December 1-6, 2013, Boston, MA, W5.14
  著者;　Tooru Tanaka, Shin Haraguchi, Masaki Miyabara, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, Wladek Walukiewicz
  
• 分子線エピタキシー法によるZnTe基板上へのZnMgSeTe四元混晶の成長;　2013年11月
  発表情報;　平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013年11月30日, 30Ba-10.
  著者;　長尾康弘, 溝口耕輔, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• 有機金属気相成長法により成長されたZnMgSeTe膜の光学特性について;　2013年11月
  発表情報;　平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013年11月30日, 30Ba-11.
  著者;　岡本 康弘, 伊藤 綾祐, 田中 健人, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• 有機金属気相成長法により成長されたZnMgSeTe膜の成長特性;　2013年11月
  発表情報;　平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013年11月30日, 30Ba-12.
  著者;　浦田 健佑, 伊藤綾祐, 田中健人, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• MOVPE法によるAl2O3基板上へのZnTeヘテロエピタキシャル成長の基板面方位依存性;　2013年11月
  発表情報;　平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013年11月30日, 30Bp-1.
  著者;　中嶋 和紀, 出木場 透, 齋藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• 異なるTDMAP供給量でドープされたZnTeエピ膜のフォトルミネッセンス特性;　2013年11月
  発表情報;　平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013年11月30日, 30Bp-2.
  著者;　中村保晃, 浦田健佑, 伊藤綾祐, 田中健人, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• ZnTe基板上へのAlドープZnSe薄膜のMBE成長と評価;　2013年11月
  発表情報;　平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013年11月30日, 30Bp-3.
  著者;　溝口 耕輔, 長尾 康弘, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭其新,　西尾 光弘
  
• スパッタリング法によるSi基板上へのGaN薄膜成長;　2013年11月
  発表情報;　平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013年11月30日, 30Bp-5.
  著者;　牛島 孝哉, 中尾 友也, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• n型ZnS窓層を用いたZnTe太陽電池の作製と評価;　2013年11月
  発表情報;　平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会, 長崎大学, 2013年11月30日, 30Ep-1.
  著者;　原口 真, 宮原 雅宜, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• Synthesis of the Cu2ZnSn(S,Se)4 Powder with Tunable Phase Structure and Composition via a Novel Non-Toxic Solution Method;　2013年10月
  発表情報;　23rd Photovoltaic Science and Engineering Conference, October 28-November 1, 2013, Taipei, Taiwan, 3-P-48.
  著者;　Yun ZHAO, Wen LI, Liang LIU, Xiuxun HAN, Tooru TANAKA
  
• Effect of KCN-Etching on Photovoltaic Properties of Cu2ZnSnSe4 Thin Film Solar Cell;　2013年10月
  発表情報;　23rd Photovoltaic Science and Engineering Conference, October 28-November 1, 2013, Taipei, Taiwan, 3-P-57.
  著者;　Satoshi TOKUNAGA, Tooru TANAKA, Katsuhiko SAITO, Qixin GUO, Mitsuhiro NISHIO, Xiuxun HAN
  
• Growth of n-type ZnS blocking epilayers for ZnTeO-based intermediate band solar cells;　2013年10月
  発表情報;　23rd Photovoltaic Science and Engineering Conference, October 28-November 1, 2013, Taipei, Taiwan, 4-P-4.
  著者;　Tooru Tanaka, Shin Haraguchi, Masaki Miyabara, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Molecular beam epitaxy of n-ZnS epilayers for ZnTe solar cell application;　2013年09月
  発表情報;　16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, 2013, Nagahama, Japan, We-P15.
  著者;　S. Haraguchi, M. Miyabara, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, and W. Walukiewicz
  
• Growth and characterization of ZnMgSeTe epilayers on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy;　2013年09月
  発表情報;　16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, 2013, Nagahama, Japan, Tu-P13.
  著者;　K. Mizoguchi, Y. Nagao, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, and M. Nishio
  
• Fabrication of ZnO/ZnTe Heterojunction by Using a Room Temperature Direct Bonding Technology;　2013年09月
  発表情報;　16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, 2013, Nagahama, Japan, We-P10.
  著者;　Hajime Akiyama, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  
• Growth and Characterization of Zn1-xMgxSeyTe1-y on ZnTe Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2013年09月
  発表情報;　16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, 2013, Nagahama, Japan, We-P13.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Katsuhiko Saito, Ryosuke Ito, Kento Tanaka, Kensuke Urata, Yasuaki Nakamura, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Correlation Between Photoluminescence and Carrier Concentration in Phosphorus-doped ZnTe;　2013年09月
  発表情報;　16th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2013), September 9-13, 2013, Nagahama, Japan, We-P27.
  著者;　Katsuhiko Saito, Ryosuke Ito, Kento Tanaka, Kensuke Urata, Yasuaki Nakamura, Tooru Tanaka, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio
  
• Two-step photon absorption in intermediate band solar cells based on ZnTeO;　2013年09月
  発表情報;　The 8th International Conference on Thin film Physics and Applications, September 20-23, 2013, Shanghai, China, 5.26.
  著者;　Tooru Tanaka, Shin Haraguchi, Masaki Miyabara, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• n-ZnS/p-ZnTe太陽電池におけるi-ZnS層挿入効果;　2013年09月
  発表情報;　第74回応用物理学会秋季学術講演会, 同志社大学, 2013年9月18日, 18p-P12-11.
  著者;　原口真, 宮原雅宜, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• PLD法によるα-Al2O3(001)基板上へのGa2O3薄膜作製及び評価;　2013年09月
  発表情報;　平成25年度（第66回）電気関係学会九州支部連合大会, 熊本大学, 2013年9月24日, 08-1P-07.
  著者;　若松剛次, 西尾光弘, 郭其新, 田中徹, 斉藤勝彦
  
• 有機金属気相成長法によるZnMgSeTe薄膜の成長とSe組成の制御;　2013年09月
  発表情報;　平成25年度（第66回）電気関係学会九州支部連合大会, 熊本大学, 2013年9月24日, 11-1P-01.
  著者;　伊藤綾祐, 田中健人, 浦田健佑, 中村保晃, 齋藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• Al電極透明化によるZnTe LEDの自己吸収効果の抑制;　2013年09月
  発表情報;　平成25年度（第66回）電気関係学会九州支部連合大会, 熊本大学, 2013年9月24日, 11-1P-02.
  著者;　丸山祐一, 岡本康弘, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• 有機金属気相成長法により作製されたZn1-xMgxSeyTe1-y層の組成と基板温度の関係;　2013年09月
  発表情報;　平成25年度（第66回）電気関係学会九州支部連合大会, 熊本大学, 2013年9月24日, 11-1P-03.
  著者;　田中健人, 伊藤綾祐, 浦田健佑, 中村保晃, 齋藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• MOVPE法による(111)GaAs基板上へのZnTe薄膜成長に関する研究;　2013年09月
  発表情報;　平成25年度（第66回）電気関係学会九州支部連合大会, 熊本大学, 2013年9月24日, 11-1P-04.
  著者;　出木場透, 中嶋和紀, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• RFマグネトロンスパッタリング法によるSi基板上のInGaN薄膜成長に関する研究;　2013年09月
  発表情報;　平成25年度（第66回）電気関係学会九州支部連合大会, 熊本大学, 2013年9月24日, 11-1P-05.
  著者;　中尾友也, 牛島孝哉, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• Growth of (GaIn)2O3 film on sapphire substrate by PLD;　2013年09月
  発表情報;　平成25年度（第66回）電気関係学会九州支部連合大会, 熊本大学, 2013年9月24日, 11-1P-07.
  著者;　Fabi Zhang, Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
  
• Growth of GaInN films on silicon substrates by reactive sputtering;　2013年07月
  発表情報;　The 12th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes, July 10-12, 2013, Kyoto, TF P1-1.
  著者;　Q. Guo, T. Nakao, T. Ushijima, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio
  
• Photogenerated current by two-step photon excitation in ZnTeO Intermediate Band Solar Cells;　2013年06月
  発表情報;　38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, June 16-21, 2013, Tampa, Florida, 447.
  著者;　T. Tanaka, M. Miyabara, Y. Nagao, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• Characterization of ZnTe layers on (0001) ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2013年05月
  発表情報;　The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 19-23, 2013, Kober Convention Center, Kobe, Japan, MoPC-01-09.
  著者;　Hajime Akiyama, Tooru Idekoba, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Qixin Guo
  
• Growth of Gallium Oxide Films by Pulsed Laser Deposition;　2013年05月
  発表情報;　The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 19-23, 2013, Kober Convention Center, Kobe, Japan, MoPC-07-08.
  著者;　Qixin Guo, Fabi Zhang, Kouji Wakamatsu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• ZnTeO系高不整合材料による中間バンド型太陽電池の作製;　2013年05月
  発表情報;　第10回次世代の太陽光発電システムシンポジウム, 平成25年5月23日-24日, 金沢.
  著者;　田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• n型ZnSを用いたZnTe太陽電池の作製;　2013年03月
  発表情報;　第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月28日, 28a-G4-4.
  著者;　宮原雅宜，原口真，田中徹，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘
  
• ZnTe基板上へのZnMgSeTe四元混晶のMBE成長;　2013年03月
  発表情報;　第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月27日, 27p-G19-4.
  著者;　長尾康弘，溝口耕輔，田中徹，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘
  
• CZTSナノ結晶を用いた塗布型太陽電池の作製;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 1Ba-4.
  著者;　末廣智, 末石竜也, 田中徹, 藤田克彦, 湯浅雅賀, 木田徹也, 島ノ江憲剛
  
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnSe4薄膜太陽電池におけるKCNエッチング効果;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 1Ba-5.
  著者;　末石竜也, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• ZnCdTeOを用いた中間バンド型太陽電池の作製と評価;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-1.
  著者;　長尾康弘, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• MOVPE法により成長されたPドープZn1-xMgxTeエピ膜の電気的性質及びフォトルミネッセンス特性に及ぼすアニール処理効果;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-3.
  著者;　藤木良太, 伊藤綾祐, 田中健人, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• 有機金属気相エピタキシャル法で成長されたZnTe膜の燐ドーピングに及ぼす原料供給量の影響;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-4.
  著者;　田中健人, 藤木良太, 齋藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• MOVPE法で作製されたZnTe薄膜の表面形態とフォトルミネッセンス特性;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-5.
  著者;　伊藤綾祐, 藤木良太, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• Al電極の透明化により作製されたZnTe緑色LEDの特性;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-6.
  著者;　山下純司, 丸山祐一, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• ZnTe緑色LEDの為のAl電極のエッチング;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-7.
  著者;　丸山祐一, 山下純司, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• 分子線エピタキシー法によりZnTe基板上に成長させたn型ZnS薄膜の作製と評価;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-8.
  著者;　宮原雅宜, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• MOVPE法による(111)GaAs基板上へのZnTe薄膜成長及び特性評価;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fa-9.
  著者;　出木場透, 平野博之, 田中徹, 斉藤勝彦, 西尾光弘, 郭其新
  
• RFスパッタリング法によるSi基板上のInGaN薄膜成長に関する研究;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fp-1.
  著者;　中尾友也, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• PLD法によりα-Aｌ2O3基板上に作成したGa2O3薄膜の評価;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会, 佐賀大学, 2012年12月1-2日, 2Fp-5.
  著者;　若松 剛次, 木稲 貴治, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• Fabrication of CZTS based Solar Cells Using Nanocrystals;　2012年10月
  発表情報;　PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE 2012, Honolulu, Hawaii, October 7-12, 2012, 2889.
  著者;　S. Suehiro, M. Yuasa, T. Tanaka, K. Fujita, S. Hata, T. Kida, and K. Shimanoe
  
• 酸素イオン注入によるマルチバンドギャップ半導体ZnTe1-xOxの作製と光学特性の評価;　2012年10月
  発表情報;　第７回高崎量子応用研究シンポジウム, 高崎シティギャラリー, 2012年10月11-12日, 1P-11.
  著者;　田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• ZnTeO中間バンド型太陽電池における二段階光吸収による電流生成;　2012年10月
  発表情報;　第４回薄膜太陽電池セミナ－2012, 龍谷大学アバンティ響都ホ－ル, 2012年10月18-19日, P2-11.
  著者;　田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• Molecular beam epitaxial growth of ZnCdTeO epilayers for intermediate band solar cells;　2012年09月
  発表情報;　The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 23-28, 2012, Nara, TuP-22.
  著者;　Yasuhiro Nagao, Tomohiro Mochinaga, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu and Wladek Walukiewicz
  
• MOVPE法によるZnO基板上ZnTe薄膜の作製と評価;　2012年09月
  発表情報;　平成24年度第65回電気関係学会九州支部連合大会, 長崎大学，2012年9月24日，05-1A-06.
  著者;　平野博之，秋山肇，西尾光弘，郭其新，田中徹，斉藤勝彦
  
• α-Al2O3基板上へのPLD法によるGa2O3薄膜作製と評価;　2012年09月
  発表情報;　平成24年度第65回電気関係学会九州支部連合大会, 長崎大学，2012年9月24日，05-1A-07.
  著者;　木稲貴治，若松剛次，西尾光弘，郭其新，田中徹，斉藤勝彦
  
• ZnTeO中間バンド型太陽電池の作製と特性評価;　2012年09月
  発表情報;　2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, 2012年9月12日, 12p-H8-3.
  著者;　田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• ナノ結晶を用いたCu2ZnSnS4薄膜の調製と太陽電池特性;　2012年09月
  発表情報;　2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛大学, 2012年9月12日, 13a-H8-4.
  著者;　末廣智，湯浅雅賀，田中徹，藤田克彦，波多聰，木田徹也，島ノ江憲剛
  
• Development of ZnTe-based solar cells;　2012年08月
  発表情報;　8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 2P-PS28.
  著者;　M. Miyabara, T. Tanaka, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• Synchrotron-Radiation-Excited UV-VIS Luminescence Experimental Station at Saga University beamline BL13: Design and Installation Progress;　2012年08月
  発表情報;　8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 2P-PS20.
  著者;　K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo
  
• Growth of ZnTe Layers on (0001) ZnO Substrates by metalorganic vapor phase epitaxy;　2012年08月
  発表情報;　8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 3A-OS01-06.
  著者;　H. Akiyama, H. Hirano, T. Konomi, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo
  
• Synthesis of Cu2ZnSnS4 nanocrystals and fabrication of thin films for photovoltaic application;　2012年08月
  発表情報;　63rd Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry, August 19-24, 2012, Prague, Czech Republic.
  著者;　T. Kida, S. Suehiro, M. Yuasa, T. Tanaka, K. Shimanoe
  
• Synthesis and Optical Properties of ZnTe1-xOx Highly Mismatched Alloys for Intermediate Band Solar Cells;　2012年06月
  発表情報;　37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, June 3-8, 2012, Austin, Texas.
  著者;　T. Tanaka, T. Mochinaga, K. Saito, Q. Guo, M. Nishio, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• Cu2ZnSnS4ナノ結晶太陽電池の作製とそのデバイス評価;　2012年06月
  発表情報;　第49回化学関連支部合同九州大会, 北九州国際会議場, 2012年6月30日, 1_4.094.
  著者;　末廣智, 湯浅雅賀, 田中徹, 藤田克彦, 木田徹也, 島ノ江憲剛
  
• Characterization of ZnTe Epilayers on GaAs (111) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2012年05月
  発表情報;　16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-59.
  著者;　Qixin Guo, Hajime Akiyama, Hiroyuki Hirano, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• Influence of (MeCp)2Mg Transport Rate upon Growth of Phosphorus-doped ZnMgTe Layers by MOVPE;　2012年05月
  発表情報;　16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-62.
  著者;　Katsuhiko Saito, Keita Sekioka, Tooru Tanaka, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio
  
• Surface Morphologies and Photoluminescence Properties of Undoped and P-doped ZnTe Layers Grown by Metaloroganic Vapor Phase Epitaxy;　2012年05月
  発表情報;　16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, TuP-63.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Yuji Hayashida, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• Effects of Annealing Treatment upon Electrical and Photoluminescence Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Epilayers Grown by Metaloroganic Vapor Phase Epitaxy;　2012年05月
  発表情報;　16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), May 20-25, 2012, Busan, Korea, ThB1-4.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Keita Kai, Ryota Fujiki, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Qixin Guo
  
• ZnCdTeOのMBE成長と物性評価;　2012年03月
  発表情報;　2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 平成24年3月18日, 18a-F11-4.
  著者;　長尾 康弘, 持永 智洋, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• Synthesis of multiple-bandgap semiconductor for intermediate-band solar cells;　2012年03月
  発表情報;　JST-PRESTO International Joint Symposium on Photo-Science Leading to a Sustainable Society: Environment, Energy, Functional Materials, 慶応義塾大学, 平成24年3月26-27日, 3PD-141.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• Cu2ZnSnS4ナノ結晶を用いた薄膜作製とその特性評価;　2012年03月
  発表情報;　電気化学会第79回大会, アクトシティ浜松, 平成24年3月29日, 1O29
  著者;　末廣智, 湯浅雅賀, 田中徹, 木田徹也, 島ノ江憲剛
  
• MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF ZnTe1-XOX LAYERS FOR INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL APPLICATIONS;　2011年12月
  発表情報;　21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), 3D-5P-35, November 28-December 2, 2011, Fukuoka.
  著者;　Tooru Tanaka, Shuhei Kusaba, Tomohiro Mochinaga, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• COMPOSITION DEPENDENCE OF ELECTRICAL PROPERTIES OF CU2ZNSNSE4 THIN FILMS FABRICATED BY CO-EVAPORATION;　2011年12月
  発表情報;　21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), 4D-3P-14, November 28-December 2, 2011, Fukuoka.
  著者;　Tatsuya Sueishi, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin M. Yu, Wladek Walukiewicz
  
• INHOMOGENEITY IN THE PHOTOREFLECTANCE OF GANAS GROWN BY ATOMIC H-ASSISTED MBE;　2011年12月
  発表情報;　21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), 2B-4O-08, November 28-December 2, 2011, Fukuoka.
  著者;　N. Ahsan, N. Miyashita, T. Tanaka, K. M. Yu, W. Walukiewicz and Y. Okada
  
• MBE法によるZnCdTe成長と物性評価;　2011年11月
  発表情報;　平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-3.
  著者;　持永智洋, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾 光弘
  
• 酸素イオン注入により作製したZnTeO薄膜の評価;　2011年11月
  発表情報;　平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-4.
  著者;　草場修平, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• GaAs(111)基板上へPLD法によるZnO薄膜作製;　2011年11月
  発表情報;　平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-1.
  著者;　木稲 貴治, 中村 和樹, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• MOVPE法による(111)GaAs基板上のZnTe薄膜の作製と評価;　2011年11月
  発表情報;　平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会, 鹿児島大学, 平成23年11月26-27日, 26Dp-2.
  著者;　平野 博之, 御厨 雄大, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• Optical Characterization of ZnTeO Intermediate Band Solar Cells;　2011年09月
  発表情報;　26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (26th EU PVSEC), September 5-9, 2011, Hamburg, 1DV.1.36.
  著者;　T. Tanaka, K. M. Yu, A. X. Levander, O. D. Dubon, L. A. Reichertz, N. Lopez, M. Nishio, W. Walukiewicz
  
• 分子線エピタキシー法により形成したZnTeO薄膜の光学特性;　2011年09月
  発表情報;　2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会, 山形大学, 平成23年9月1日, 1p-ZA-12.
  著者;　田中徹, 草場修平, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• ＰドープZnMgTeエピ膜の成長特性に及ぼすDETe供給量依存性;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-01.
  著者;　林田裕次, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• ＰドープZnMgTeエピ膜の電気的性質に及ぼすTDMAP供給量効果;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-02.
  著者;　関岡敬太, 斉藤勝彦, 西尾光弘, 田中　徹, 郭　其新
  
• ZnTeO薄膜の分子線エピタキシャル成長と評価;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-03.
  著者;　長尾康弘, 草場修平, 持永智洋, 田中　徹, 斉藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• 有機金属気相成長法によるZnTeヘテロエピタキシャル薄膜のGaAs(111)基板上への作製及び特性評価;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-04.
  著者;　御厨雄大, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新
  
• PLD法によるAl2O3（001）基板上へのFe3O4薄膜作製;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-05.
  著者;　中村和樹, 木稲貴治, 斉藤勝彦, 有田　誠, 生駒嘉史, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新
  
• ZnTe緑色LEDのAl電極透明化の為のAlエッチング特性;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-06.
  著者;　山下純司, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• Cu2ZnSnSe4薄膜におけるCu2Se相の選択エッチングに関する研究;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-07.
  著者;　末石竜也, 田中　徹, 斉藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• PドープZnMgTeエピ膜のフォトルミネッセンスに及ぼすアニール時の温度、時間、雰囲気ガスの効果;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-08.
  著者;　藤木良太, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• RFスパッタリング法により作製されたInGaN薄膜の特性評価;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-09.
  著者;　千田広崇, 齊藤勝彦, 田中　徹, 西尾光弘, 郭　其新
  
• PドープZn1-xMgxTeバルク結晶の電気的特性の測定温度依存性、ラマンスペクトルのＭｇ組成依存性;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-10.
  著者;　樋渡恭佑, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• MOVPE法によって成長されたPドープZnMgTeエピ膜の電気的性質に及ぼすアニール時の温度、時間、雰囲気ガスの効果;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-11.
  著者;　甲斐敬太, 斉藤勝彦, 田中　徹, 郭　其新, 西尾光弘
  
• 透明導電膜を用いたZnTe太陽電池の作製と評価;　2011年09月
  発表情報;　平成23年度第64回電気関係学会九州支部連合大会, 佐賀大学, 平成23年9月26日, 13-1A-12.
  著者;　宮原雅宜, 持永智洋, 草場修平, 田中　徹, 斉藤勝彦, 郭　其新, 西尾光弘
  
• Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE;　2011年08月
  発表情報;　15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Tu-P04.
  著者;　K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q.X. Guo, M. Nishio
  
• Influence of source transport rate upon phosphorus doping in ZnTe layer grown by MOVPE;　2011年08月
  発表情報;　15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico, Thu-P03.
  著者;　M. Nishio, X. Han, K. Saito, T. Tanaka, Q.X. Guo
  
• Fundamental properties of sputtered InGaN films;　2011年07月
  発表情報;　The Eleventh International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, July 6-8, 2011, Kyoto, Japan, TF P1-20.
  著者;　Q. X. Guo, H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. Fan, and D. Zhang
  
• DEVELOPMENT OF INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL BASED ON ZNTE1-xOx SYNTHESIZED BY OXYGEN ION IMPLANTATION;　2011年06月
  発表情報;　36th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, June 19-24, 2011, Seattle, B27-601.
  著者;　T. Tanaka, K. M. Yu, A. X. Levander, O. D. Dubon, L. A. Reichertz, N. Lopez, M. Nishio, W. Walukiewicz
  
• 酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性と中間バンド太陽電池応用;　2011年06月
  発表情報;　第８回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム, 岐阜市じゅうろくプラザ, 平成23年6月30日-7月1日, J-12.
  著者;　田中徹, 草場修平, 斉藤勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• Photo-modulated Reflectance of GaNAs Grown by Atomic Hydrogen-assisted MBE;　2011年04月
  発表情報;　2011 MRS Spring Meeting and Exhibit, April 26-29, 2011, San Francisco, B7.9.
  著者;　Nazmul Ahsan, Naoya Miyashita, Tooru Tanaka, Kin M. Yu, Wladek Walukiewicz and Yoshitaka Okada
  
• Al熱拡散を用いたZnTeホモ接合太陽電池の作製と評価;　2011年03月
  発表情報;　2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 平成23年3月27日, 27a-BQ-8
  著者;　草場修平，田中徹，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘，Kin Man Yu，Wladek Walukiewicz
  
• 酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性;　2011年03月
  発表情報;　2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 平成23年3月27日, 27p-BQ-4
  著者;　田中徹，草場修平，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘，Kin Man Yu，Wladek Walukiewicz
  
• Growth of ZnTe nanowires by molecular beam exitaxy;　2011年03月
  発表情報;　International colloquium on “Recent progress in nanofabrications of MEMS and NEMS: Science and innovation technologies”, Hakata, Fukuoka, March 24, 2010.
  著者;　Tomohiro Mochinaga, Hiroshi Ohshita, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio
  
• マルチバンドギャップ半導体ZnTeOによる中間バンド太陽電池の開発;　2011年03月
  発表情報;　2011世界化学年記念 JSTさきがけ研究領域合同シンポジウム「人類の危機に挑む研究開発：光と太陽エネルギー」(日本化学会第91春季年会), 神奈川大学, 平成23年3月28日, 3PD-062
  著者;　田中徹
  
• MBE-VLS成長によるZnTeナノワイヤの特性評価;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Ba-7
  著者;　持永智洋，大下裕史，田中徹，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘
  
• ブリッジマン法によるPドープZn1-xMgxTeバルク結晶の電気的特性の温度依存性;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Ba-8.
  著者;　樋渡恭佑, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• ZnTeホモ接合太陽電池の作製と評価;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Ba-9.
  著者;　草場修平, 田中徹, 斎藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, Kin Man Yu, Wladek Walukiewicz
  
• 反射スペクトル法による２インチ径ZnMgTe膜の膜厚および組成面内分布評価;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Ba-10.
  著者;　関岡 敬太, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• 有機金属気相成長法により異なる基板温度で作製されたZnMgTeエピ膜の特性評価;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Ba-11.
  著者;　林田 裕次, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• MBE法により作製したZnTe/ZnMgTe量子井戸構造の光学特性;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Bp-1.
  著者;　大下 裕史, 田中 徹, 斉藤 勝彦, 郭 其新, 西尾 光弘
  
• (111)GaAs基板上ZnTeヘテロエピタキシャル薄膜の作製及び特性評価;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Bp-2.
  著者;　御厨 雄大，灘真輝, 斉藤勝彦, 西尾光弘, 郭其新
  
• スパッタリング法によるInGaN薄膜成長と電気特性評価;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Bp-4.
  著者;　千田広崇, 楠木 雄太, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新
  
• PLD法によるα-Al2O3(0001)基板上へのFe3O4薄膜作製;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Fa-5.
  著者;　中村和樹, 重岡健夫, 大塚健治, 斉藤勝彦, 生駒嘉史, 有田誠, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 多源蒸着法により作製したCu2ZnSnSe4薄膜の膜特性の組成依存性;　2010年11月
  発表情報;　平成22年度応用物理学会九州支部学術講演会, 九州大学, 平成22年11月27日, 27Fa-7.
  著者;　齊木大輔, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• Estimation of donor and acceptor levels in Al-doped ZnTe from photominescence measurement;　2010年09月
  発表情報;　7th International conference on Thin Film Physics and Applications, Sep. 24-27, Shanghia, China, P-6.
  著者;　K. Saito, T. Saeki, X. Han, T. Tanaka, Q. Guo, and M. Nishio
  
• Estimation of in-plane profiles in thickness and composition for ZnMgTe layers by optical methods;　2010年09月
  発表情報;　7th International conference on Thin Film Physics and Applications, Sep. 24-27, Shanghia, China, P-7.
  著者;　K. Saito, K. Sekioka, T. Tanaka, Q. Guo, and M. Nishio
  
• Preparation of Cu(In,Ga)Se2 thin films with Ga content of around 0.8 and their solar cell application;　2010年09月
  発表情報;　17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, 27-30 September, 2010, Baku, Azerbaijan, P7-23.
  著者;　T. Yamaguchi, Y. Asai and T. Tanaka
  
• ZnTe基板上へのZnTeナノワイヤのMBE-VLS成長;　2010年09月
  発表情報;　2010年秋季第71回応用物理学関係連合講演会, 長崎大学, 平成22年9月14日, 14p-ZT-7
  著者;　持永智洋，大下裕史，田中　徹，斉藤勝彦，郭　其新，西尾光弘
  
• ZnTe/ZnMgTe量子井戸構造のMBE成長と評価;　2010年09月
  発表情報;　2010年秋季第71回応用物理学関係連合講演会, 長崎大学, 平成22年9月14日, 14p-ZT-4.
  著者;　大下裕史，田中　徹，斉藤勝彦，郭　其新，西尾光弘
  
• Photo-modulated reflectance analysis of atomic hydrogen-assisted MBE grown GaNAs alloys;　2010年09月
  発表情報;　2010年秋季第71回応用物理学関係連合講演会, 長崎大学, 平成22年9月14日, 14p-ZV-12.
  著者;　Nazmul Ahsan，宮下直也，田中　徹，Kin Man Yu，Wladek Walukiewicz，岡田至崇
  
• スパッタリング法によるInGaN薄膜の高品質化に関する研究;　2010年09月
  発表情報;　第63回電気関係学会九州支部連合大会, 九州産業大学, 平成22年9月26日, 06-2P-11
  著者;　楠木雄太, 千田広崇, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル成長膜のバッファー層効果;　2010年09月
  発表情報;　第63回電気関係学会九州支部連合大会, 九州産業大学, 平成22年9月26日, 06-2P-12
  著者;　灘真輝, 御厨雄大, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 陽極酸化ポーラスアルミナを用いたPLD法によるZnOナノ構造の作製に関する研究;　2010年09月
  発表情報;　第63回電気関係学会九州支部連合大会, 九州産業大学, 平成22年9月26日, 06-2P-13
  著者;　重岡健夫, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• Temperature Dependence of Electrical Properties from P-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Bridgman Method;　2010年08月
  発表情報;　The 16th International Conference on Crystal Growth, 8-13 August, 2010, Beijing, PB57.
  著者;　Mitsuhiro Nishio, Kyosuke Hiwatashi, Keita Kai, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
  
• Effects of Total Flow Rate on ZnTe Growth on GaAs Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2010年08月
  発表情報;　The 16th International Conference on Crystal Growth, 8-13 August, 2010, Beijing, PA158.
  著者;　Qixin Guo, Masaki Nada, Yaliu Ding, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
  
• Effect of VI/II ratio upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnTe films grown by MOVPE;　2010年08月
  発表情報;　The 18th International Vacuum Congress, August 23-27, 2010, Beijing, China, P3-TF2-12.
  著者;　M. Nishio, K. Saito, T. Tanaka, Q. Guo
  
• Effects of substrate temperature upon the properties of ZnMgTe layer grown by MOVPE;　2010年08月
  発表情報;　The 18th International Vacuum Congress, August 23-27, 2010, Beijing, China, P3-Tf2-11
  著者;　K. Saito, Y. Inoue, Y. Hayashida, T. Tanaka, Q.X. Guo, M. Nishio
  
• Development of ZnTe1-xOx intermediate band solar cells;　2010年06月
  発表情報;　35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, June 20-25, 2010, Hawaii, 754-C11.
  著者;　T.Tanaka, K.M.Yu, P.R. Stone, J.W.Beeman, O.D. Dubon, L.A. Reichertz, V.M. Kao, M.Nishio, and W.Walukiewicz
  
• Low-temperature growth of InGaN films by reactive sputtering;　2010年05月
  発表情報;　The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, May 31-June 4, 2010, Takamatsu, Japan. FrP70.
  著者;　Q.X. Guo, Y. Kusunoki, Y. Ding, K. Saito, T. Tanaka, and M. Nishio
  
• 酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性;　2010年03月
  発表情報;　2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 平成23年3月27日, 27p-BQ-4
  著者;　田中徹，草場修平，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘，Kin Man Yu，Wladek Walukiewicz
  
• マルチバンドギャップ半導体ZnTeOによる中間バンド太陽電池の開発;　2010年03月
  発表情報;　2011世界化学年記念 JSTさきがけ研究領域合同シンポジウム「人類の危機に挑む研究開発：光と太陽エネルギー」(日本化学会第91春季年会), 神奈川大学, 平成23年3月28日, 3PD-062
  著者;　田中徹
  
• Growth of ZnTe nanowires by molecular beam exitaxy;　2010年03月
  発表情報;　International colloquium on “Recent progress in nanofabrications of MEMS and NEMS: Science and innovation technologies”, Hakata, Fukuoka, March 24, 2010.
  著者;　Tomohiro Mochinaga, Hiroshi Ohshita, Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, and Mitsuhiro Nishio
  
• 分子線エピタキシー法によるGaAs基板上へのZnTeナノワイヤー成長の評価;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学，平成21年11月22日，22Aa-1
  著者;　伊藤博昭, 田中徹, 斎藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• 有機金属気相成長法により作製されたAlドープZnTeエピ膜のフォトルミネッセンススペクトルの解析;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学，平成21年11月22日，22Aa-2
  著者;　佐伯拓也, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• 分子線エピタキシー法により作製したZnTe/ZnMgTe量子井戸の評価;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学，平成21年11月22日，22Aa-3
  著者;　大下裕史, 田中徹, 斉藤勝彦, 西尾光弘, 郭其新
  
• MOVPE 法によるAl3O2 基板上ZnTeエピタキシャル成長膜のバッファー層効果;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学，平成21年11月22日，22Aa-4
  著者;　灘真輝, 角口芳樹, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• MOVPE法によるZn1-xMgxTeエピ膜の光学的電気的特性に及ぼすTDMAP供給量の効果;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学，平成21年11月22日，22Aa-5
  著者;　野中直樹, 井上祐輔, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• ブリッジマン法によるＰドープZnMgTe結晶のフォトルミネッセンススペクトルの解析;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会,熊本大学，平成21年11月22日，22Aa-6
  著者;　田中昌彦, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• 高周波マグネトロンスパッタリング法によるInGaN薄膜成長に関する研究;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学，平成21年11月22日，22Aa-7
  著者;　楠木雄太, 緒方正彦, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 陽極酸化ポーラスアルミナを用いたナノ構造作製に適したAl膜作製の成長条件;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学，平成21年11月22日，22Ca-1
  著者;　重岡健夫, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnSe4の作製と評価;　2009年11月
  発表情報;　平成21年度応用物理学会九州支部学術講演会, 熊本大学，平成21年11月22日，22Ca-6
  著者;　齊木大輔, 吉田晃周, 田中徹, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘
  
• RFスパッタリング法によるInGaN薄膜成長に関する研究;　2009年09月
  発表情報;　平成21年第62回電気関係学会九州支部連合大会, 九州工業大学，平成21年9月29日，06-2P-06
  著者;　緒方正彦・楠木雄太・斉藤勝彦・田中　徹・西尾光弘・郭　其新
  
• MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル成長膜の構造特性;　2009年09月
  発表情報;　平成21年第62回電気関係学会九州支部連合大会, 九州工業大学，平成21年9月29日，06-2P-07
  著者;　角口芳樹・斉藤勝彦・田中　徹・西尾光弘・郭　其新
  
• Influence of low-temperature buffer layer on properties of ZnTe grown on GaAs substrates;　2009年08月
  発表情報;　The 14th International Conference on II-VI compounds, August 23-28, 2009, St.Petersburg, Russia, Th5p-21.
  著者;　Q.X. Guo, K. Saito, Y. Sueyasu, Y. Ding, T. Tanaka, and M. Nishio
  
• Temperature dependence of photoluminescence from P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method;　2009年08月
  発表情報;　The 14th International Conference on II-VI compounds, August 23-28, 2009, St.Petersburg, Russia, Th5p-22.
  著者;　K. Saito, S. Shimao, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio
  
• Growth of low-resistivity p-type ZnMgTe layers by MOVPE;　2009年08月
  発表情報;　The 14th International Conference on II-VI compounds, August 23-28, 2009, St.Petersburg, Russia, Th5p-23
  著者;　K. Saito, N. Nonaka, Y. Inoue, T. Tanaka, Q.X. Guo, and M. Nishio
  
• Buffer Layer Effects on Properties of ZnTe for Terahertz Device Application;　2009年08月
  発表情報;　The 8th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, August 30 - September 3rd, 2009, Shanghai, China, TuP7-01.
  著者;　Qixin Guo, Yuki Nakao, Yoshiki Kadoguchi, Yaliu Ding, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Masahiko Tani, Masanori Hangyo
  
• Growth of InGaN films by reactive sputtering;　2009年07月
  発表情報;　10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processses (ISSP2009), Kanazawa, July 8-9, 2009, TF P1-27, p.177-180.
  著者;　Qixin Guo, Masahiko Ogata, Yaliu Ding, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
  
• Characterization of Cu2ZnSnS4 thin film fabricated by co-evaporation;　2009年07月
  発表情報;　10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processses (ISSP2009), Kanazawa, July 8-9, 2009, TF P2-4, p.342-345.
  著者;　Akihiro Yoshida, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Toshiyuki Yamaguchi
  
• Cu(In,Ga)Se2 thin films with high Ga/III ratio prepared by sequential evaporation from ternary compounds and their solar cell applications;　2009年07月
  発表情報;　10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processses (ISSP2009), Kanazawa, July 8-9, 2009, TF P2-6, p.350-353.
  著者;　Toshiyuki Yamaguchi, Yasutaka Asai, Naoyuki Oku, Shigetoshi Niiyama, Toshito Imanishi, Tooru Tanaka
  
• Effects of growth parameters on surface roughness of rf magnetron sputtered Al films;　2009年07月
  発表情報;　10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processses (ISSP2009), Kanazawa, July 8-9, 2009, TF P3-11, p.563-566
  著者;　Qixin Guo, Yuta Matsushima, Yaliu Ding, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
  
• 三元化合物からの真空蒸着法によるCu(In,Ga)Se2薄膜の作製(VI);　2009年04月
  発表情報;　2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 平成21年4月1日, 1a-P14-10
  著者;　山口利幸，浅井康孝，奥尚之，新山茂利，今西敏人，田中徹
  
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnSe4薄膜の作製と評価;　2009年04月
  発表情報;　2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 平成21年4月2日, 2a-P18-24
  著者;　吉田晃周，斎木大輔，田中徹，郭其新，西尾光弘
  
• Al熱拡散法によるZnTe緑色LEDの作製と評価;　2009年03月
  発表情報;　2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 平成21年3月30日, 30p-J-15
  著者;　田中徹，伊藤博昭，吉本拓史，郭其新，西尾光弘，小川博司
  
• 陽極酸化ポーラスアルミナを用いたナノ構造作製に関する研究;　2008年11月
  発表情報;　平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎大学, 平成20年11月29日, 29Ba-11
  著者;　松嶋祐大, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• シンクロトロン光によるPTFE微細加工;　2008年11月
  発表情報;　平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎大学, 平成20年11月29日, 29Da-8
  著者;　釘野貴史, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• ブリッジマン法で作製した高品質PドープZnMgTe結晶のフォトルミネッセンス特性;　2008年11月
  発表情報;　平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎大学, 平成20年11月30日, 30Ca-1
  著者;　島尾聡, 田中昌彦, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 中畑秀利, 西尾光弘
  
• MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル膜の作製と評価;　2008年11月
  発表情報;　平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎大学, 平成20年11月30日, 30Ca-2
  著者;　末安祐介, 中尾勇貴, 角口芳樹, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• MOVPE法によるサファイア基板上のZnTeエピタキシャル成長膜の構造特性;　2008年11月
  発表情報;　平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎大学, 平成20年11月30日, 30Ca-3
  著者;　中尾勇貴, 末安祐介, 角口芳樹, 灘真輝, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• サファイア基板上ZnTeエピタキシャル成長膜のアニール効果;　2008年11月
  発表情報;　平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎大学, 平成20年11月30日, 30Ca-4
  著者;　角口芳樹, 末安祐介, 中尾勇貴, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• Pドープ Zn1-xMgxTeエピタキシャル膜の電気的光学的性質に及ぼすアニーリング効果;　2008年11月
  発表情報;　平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎大学, 平成20年11月30日, 30Ca-5
  著者;　井上祐輔, 野中直樹, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘
  
• RFスパッタリング法によるInN薄膜成長に関する研究;　2008年11月
  発表情報;　平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会, 宮崎大学, 平成20年11月30日, 30Ca-6
  著者;　緒方正彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新
  
• Influence of precursor transport rate upon the optical and electrical properties of P-ZnTe homoepilayer grown by MOVPE system;　2008年10月
  発表情報;　The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia, Matsue, October 28-31, 2008, 28P001.
  著者;　Xiuxun Han,Yuuki Kuramitsu,Tooru Tanaka, Qixin Guo, Mitsushiro Nishio
  
• Optical Properties of ZnTe Grown on Sapphire Substrates;　2008年10月
  発表情報;　The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia, Matsue, October 28-31, 2008, 30C09.
  著者;　Qixin GUO, Yuki NAKAO, Yaliu DING, Tooru TANAKA, Mitsuhiro NISHIO
  
• Epitaxial Growth and Characterization of AlInN Layers for Multi-Junction Tandem Solar Cells (Invited);　2008年09月
  発表情報;　The 10th China Solar Photovoltaic Conference & Exhibition, Changzhou, September 19-22, 2008, F4-31.
  著者;　Qixin Guo, Yaliu Ding, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製と太陽電池の試作;　2008年09月
  発表情報;　平成20年第61回電気関係学会九州支部連合大会, 大分大学, 平成20年9月24日, 08-1A-04.
  著者;　吉田晃周・田中　徹・郭　其新・西尾光弘
  
• Al酸化膜を用いたAl熱拡散法によるZnTe-LEDの作製;　2008年09月
  発表情報;　平成20年第61回電気関係学会九州支部連合大会, 大分大学, 平成20年9月24日, 08-1A-05
  著者;　伊藤博昭・田中　徹・郭　其新・西尾光弘
  
• 有機金属気相成長法によるZn1-xMgxTeへのドーピング;　2008年09月
  発表情報;　平成20年第61回電気関係学会九州支部連合大会, 大分大学, 平成20年9月24日, 08-1A-06
  著者;　野中直樹・井上祐輔・斉藤勝彦・田中　徹・郭　其新・西尾光弘
  
• Heteroepitaxial growth of InN thin films on (111) silicon substrates;　2008年07月
  発表情報;　Second International Symposium on Growth of III-Nitrides, Izu, July 6-9, 2008. Mo-6.
  著者;　Qixin GUO, Masahiko OGATA, Keisukei TAIRA, Tooru TANAKA, Mitsuhiro NISHIO, and Hiroshi OGAWA
  
• Optical Properties of ZnTe epilayers on GaAs substrate by metalorganic vapor phase epitaxy;　2008年05月
  発表情報;　The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Sendai, May 21-24, 2008. 23FriPM2II-8-40.
  著者;　Qixin Guo, Yusuke Kume, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, and Hiroshi Ogawa
  
• MBE法によるZn1-xMgxTe混晶成長と量子井戸構造の作製;　2008年03月
  発表情報;　2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 千葉
  著者;　吉本拓史, 伊藤博昭, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• 常圧MOVPE法により作製された燐ド－プZnTe膜の品質と基板温度の関係;　2008年03月
  発表情報;　2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 千葉
  著者;　倉滿悠紀，山口浩司, 韓修訓, 斉藤勝彦, 田中徹,　郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• Al酸化膜を介したAl熱拡散により作製したZnTe LEDの評価;　2008年03月
  発表情報;　2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会 千葉
  著者;　田中徹, 吉本拓史, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• EFFECT OF COMPOSITIONAL RATIO ON PROPERTIES OF CU2ZNSNS4 THIN FILM FABRICATED BY CO-EVAPORATION,;　2007年12月
  発表情報;　17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17), December 3-7, 2007, 5P-P3-29. Fukuoka
  著者;　Tooru Tnaka, Keisuke Ikari, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
  
• FUNDAMENTAL PROPERTIES OF EPITAXIAL ALINN SEMICONDUCTORS,;　2007年12月
  発表情報;　17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17), December 3-7, 2007, 5P-P4-13. Fukuoka
  著者;　Q. Guo, T. Tanaka, M. Nishio and H. Ogawa
  
• シンクロトロン光によるPTFE 薄膜の成長に関する研究;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　釘野貴史, 郭其新, 田中徹, 西尾光弘, 小川博司
  
• ZnTe ナノ構造の作製に関する研究;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　松嶋祐大, 郭其新, 田中徹, 西尾光弘, 小川博司
  
• Si(111)基板上のInN 薄膜成長に関する研究;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　平圭介, 緒方正彦, 郭其新, 田中徹, 西尾光弘, 小川博司
  
• MOVPE 法によるGaAs 基板上ZnTe エピタキシャル膜の作製と評価;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　末安祐介, 中尾勇貴, 白石徹, 久米祐介, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• MOVPE 法によるサファイア基板上のZnTe エピタキシャル成長膜の構造特性;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　中尾勇貴, 末安祐介, 白石徹, 久米祐介, 郭其新, 田中徹, 西尾光弘, 小川博司
  
• 有機金属気相成長法により作製された燐ドープZnTe エピ層の表面モフォロジの改善;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　倉満悠紀, 山口浩司, 斉藤勝彦, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新, 小川博司
  
• P ドープZnTe エピ膜のフォトルミネッセンス及び電気的特性に及ぼすアニール効果;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　倉満悠紀, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• 分子線エピタキシー法によるZnTe 基板上へのZn1-xMgxTe エピタキシャル成長;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　吉本拓史, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新, 小川博司
  
• MOVPE 法によるアンドープZnMgTe エピ膜のPL 特性;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　河野大輔, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• 垂直ブリッジマン法による大型ZnMgTe バルク成長の試み;　2007年12月
  発表情報;　平成19年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　島尾聡, 田口幸樹, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 中畑秀利, 西尾光弘, 小川博司
  
• Microfabrication of ZnO on PTFE template patterned by synchrotron radiation,;　2007年09月
  発表情報;　The 13th International Conference on II-VI compounds, September 10-14, 2007, Jeju, Korea, Tu-P-128.
  著者;　Q.X. Guo, Y. Mitsuishi, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, and Y.Z. Huang,
  
• Surface morphology of ZnTe:P(100) homoepitaxially grown by horizontal MOVPE technique,;　2007年09月
  発表情報;　The 6th International Conference on Thin Film Physics and Application, September 25-28, 2007, Shanghai, P2-2.
  著者;　K. Yamaguchi, Y. Kuramitsu, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo, and H. Ogawa,
  
• Heteroepitaxial growth of ZnTe thin films on sapphire substrates for terahertz devices applications,;　2007年09月
  発表情報;　The 6th International Conference on Thin Film Physics and Application, September 25-28, 2007, Shanghai, P3-5.
  著者;　Q.X. Guo, Y. Kume, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa,
  
• Fabrication of ZnTe light emitting diode on p-ZnMgTe substrate by Al thermal diffusion,;　2007年08月
  発表情報;　International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA), 30 July - 3 August, 2007, London, P077.
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa,
  
• Epitaxial growth of ZnMgTe with a wide composition range on ZnTe substrate by molecular beam epitaxy,;　2007年07月
  発表情報;　17th International Vacuum Congress, July 2-6, 2007, Stockholm, EMPP2-97.
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa,
  
• Improvement of MOVPE grown ZnTe:P layers by annealing treatment,;　2007年07月
  発表情報;　17th International Vacuum Congress, July 2-6, 2007, Stockholm, EMPP2-99.
  著者;　Katsuhiko Saito, Kenji Fujimoto, Kouji Yamaguchi, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa,
  
• Growth of undoped ZnMgTe layers by metalorganic vapour phase epitaxy,;　2007年07月
  発表情報;　17th International Vacuum Congress, July 2-6, 2007, Stockholm, EMPP2-123.
  著者;　Katsuhiko Saito, Daisuke Kouno, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa,
  
• Post-annealing effect upon electrical and optical properties of MOVPE grown P-doped ZnTe homoepitaxial layers,;　2007年07月
  発表情報;　International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA), 30 July - 3 August, 2007, London, S1-8.
  著者;　Katsuhiko Saito, Kouji Yamaguchi, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo and Hiroshi Ogawa,
  
• Epitaxial growth of InN on (111) silicon substrates,;　2007年07月
  発表情報;　The International Conference on Electrical Engineering 2007, HongKong, July 8-12, 2007, ICEE-080.
  著者;　Qixin GUO, Keisuke TAIRA, Tooru TANAKA, Mitsuhiro NISHIO, and Hiroshi OGAWA,
  
• Epitaxial Growth of Ternary AlInN on Sapphire Substrates;　2007年06月
  発表情報;　2007 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 19-22, 2007, Nagano, P1-20.
  著者;　Q.X. Guo, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
  
• Nanofabrication of PTFE films by synchrotron radiation,;　2007年06月
  発表情報;　2007 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, June 19-22, 2007, Nagano, P1-41.
  著者;　Q.X. Guo, T. Kugino, Y. Mitsuishi, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa,
  
• 同時蒸着法によるCu2ZnSnS4薄膜の膜特性の組成依存性;　2007年03月
  発表情報;　2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会 東京
  著者;　碇圭輔，川崎大輔，田中徹，西尾光弘，郭其新，小川博司
  
• PドープZnTeホモエピタキシャル膜の熱処理効果;　2007年03月
  発表情報;　2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会 東京
  著者;　山口浩司，斉藤勝彦，田中　徹，西尾光弘，郭　其新，小川博司
  
• ZnTeにおけるAl熱拡散特性の評価;　2007年03月
  発表情報;　2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会 東京
  著者;　田中徹，村田敬洋，斉藤勝彦，西尾光弘，郭其新，小川博司
  
• FABRICATION OF MICRO-ARRAY OF ZINC OXIDE SEMICONDUCTORS;　2007年01月
  発表情報;　International Conference on Integration and Commercialization of Micro and Nano-systems, January 10-13, 2007, Sanya, Hainan, China
  著者;　Q.X. Guo, N. Uesugi, Y. Kume, Y. Mitsuishi, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, A.Yoshida, and Y.Z. Huang
  
• Fabrication of Zinc Oxide Microstructures Using Synchrotron Light;　2006年11月
  発表情報;　The 7th Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, November 15-17, 2006, Nara
  著者;　Q.X. Guo, N. Uesugi, Y. Kume, Y. Mitsuishi, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, A. Yoshida, Y. Huang,
  
• Influence of surface treatment on properties of ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion;　2006年11月
  発表情報;　The 7th Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments, November 15-17, 2006, Nara
  著者;　TOORU TANAKA, KATSUHIKO SAITO, MITSUHIRO NISHIO, QIXIN GUO, AND HIROSHI OGAWA
  
• Si(111)基板上のInNエピタキシャル成長に関する研究;　2006年11月
  発表情報;　平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 大分
  著者;　平圭介, 郭其新, 田中徹, 西尾光弘, 小川博司
  
• PドープZnTeエピ膜の電気的特性に及ぼすアニール効果;　2006年11月
  発表情報;　平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 大分
  著者;　山口浩司, 藤本賢治, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• MOVPE法により成長したPドープZnTeエピ膜における表面形態と基板温度の関係;　2006年11月
  発表情報;　平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 大分
  著者;　藤本賢治, 山口浩司, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭基新, 西尾光弘, 小川博司
  
• α-Al2O3(0001)基板上のZnTe薄膜のエピタキシャル成長;　2006年11月
  発表情報;　平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 大分
  著者;　白石徹, 福原裕二, 郭其新, 久米裕介, 田中徹, 西尾光弘, 小川博司
  
• PドープZnMgTeバルク結晶の格子定数とバンドギャップのMg組成依存性;　2006年11月
  発表情報;　平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 大分
  著者;　田口幸樹, 曽元昆, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• 多源蒸着法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製と評価;　2006年11月
  発表情報;　平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 大分
  著者;　川崎大輔, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新, 小川博司
  
• 二次イオン質量分析法を用いたZnTeにおけるAl熱拡散層の評価;　2006年11月
  発表情報;　平成18年度応用物理学会九州支部学術講演会 大分
  著者;　村田敬洋, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新, 小川博司
  
• SIMS study of Al thermal diffusion in ZnTe;　2006年09月
  発表情報;　2006 E-MRS Fall Meeting, Warsaw, September 4-8, 2006.
  著者;　Tooru Tanaka, Norihiro Murata, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, and Hiroshi Ogawa
  
• Post-annealing effect upon phosphorus-doped ZnTe homoepitaxial layers grown by MOVPE;　2006年09月
  発表情報;　2006 E-MRS Fall Meeting, Warsaw, September 4-8, 2006.
  著者;　Katsuhiko Saito, Kenji Fujimoto, Kouji Yamaguchi, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
  
• Fabrication of ZnTe Epilayers for Terahertz Devices Applications;　2006年09月
  発表情報;　2006 Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics, September 18-22, 2006, Shanghai
  著者;　Q.X. Guo, Y. Kume, Y. Fukuhara, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, M. Hiratsuka, M. Tani, and M. Hangyo
  
• MOVPE法によるZnMgTe薄膜の成長特性;　2006年09月
  発表情報;　平成18年第59回電気関係学会九州支部連合大会 宮崎
  著者;　河野大輔・斉藤勝彦・田中　徹・郭　其新・西尾光弘・小川博司
  
• PドープZnTeエピ膜のPL特性に及ぼすアニール効果;　2006年09月
  発表情報;　平成18年第59回電気関係学会九州支部連合大会 宮崎
  著者;　山口浩司・藤本賢治・斉藤勝彦・田中　徹・郭　其新・西尾光弘・小川博司
  
• MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル膜の成長と結晶性の評価;　2006年09月
  発表情報;　平成18年第59回電気関係学会九州支部連合大会 宮崎
  著者;　福原裕二・白石　徹・久米祐介・郭　其新・田中　徹・西尾光弘・小川博司
  
• ZnO薄膜のRIEによる微細加工に関する研究;　2006年09月
  発表情報;　平成18年第59回電気関係学会九州支部連合大会 宮崎
  著者;　上杉望夢・久米祐介・郭　其新・田中　徹・西尾光弘・小川博司
  
• Present Status and Future Prospect of Saga Synchrotron Light Project;　2006年08月
  発表情報;　Progress in Electromagnetics Research Symposium Tokyo
  著者;　M.Kamada, K.Takahashi, J.Azuma, T.Tanaka, H.Ogawa
  
• Characterization of Al-doped ZnTe layer fabricated by Al thermal diffusion;　2006年07月
  発表情報;　International Conference on Nanoscience and Technology 2006, July 30, 2006 – August 04, 2006. Basel
  著者;　Tooru Tanaka, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, and Hiroshi Ogawa, ,
  
• Growth and Characterization of AlInN Films;　2006年06月
  発表情報;　First International Symposium on Growth of III-Nitride, June 4 - 7, 2006, Link�ping, Sweden
  著者;　Q.X. Guo, Y. Okazaki, Y. Kume, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
  
• Low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy growth of ZnTe;　2006年05月
  発表情報;　13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 22-26, 2006
  著者;　Q. Guo, Y. Kume, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa and W. Shen
  
• Growth Characteristics of ZnMgTe Layer on ZnTe Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2006年05月
  発表情報;　13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 22-26, 2006
  著者;　K. Saito, T. Yamashita, D. Kouno, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo and H. Ogawa
  
• Effects of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethlaminophosphorus;　2006年05月
  発表情報;　13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 22-26, 2006
  著者;　T. Tanaka, M. Nishio, K. Hayashida, K. Fujimoto, Q. Guo and H. Ogawa
  
• Design of Beamline BL9 at Saga Light Source;　2006年05月
  発表情報;　9th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation, Daegu, Korea, May 28 – June 2, 2006
  著者;　Tooru Tanaka, Hiroshi Ogawa, Masao Kamada, Mitsuhiro Nishio, Masataka Masuda, Qixin Guo, Kazuki Hayashida, Yuzi Kondo, Teruaki Motooka, Daisuke Yoshimura, Hiroyuki Setoyama, and Toshihiro Okajima
  
• Growth and Characterization of ZnTe epilayers on GaAs substrate by metalorganic vapor phase epitaxy;　2006年05月
  発表情報;　13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 22-26, 2006
  著者;　Y. Kume, Q. Guo, T. Tanaka, M. Nishio and H. Ogawa
  
• Fabrication of stannite Cu2ZnSnS4 thin films by physical vapor deposition;　2006年03月
  発表情報;　15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Kyoto, March 6-10, 2006
  著者;　T. Tanaka, D. Kawasaki, M. Nishio, Q. Guo and H. Ogawa
  
• Optical and Electrical Properties of Phosphorus-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Bridgman Method;　2006年03月
  発表情報;　15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Kyoto, March 6-10, 2006
  著者;　K. Saito, G. So, T. Tanaka, M. Nishio, Q. Guo and H. Ogawa
  
• MOD 法によるZnO の作製及び評価;　2005年11月
  発表情報;　平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　福原裕二, 八谷洋介, 郭其新, 久米裕介, 田中徹, 西尾光弘, 小川博司
  
• 厚膜フォトレジストを用いた３次元構造の作製;　2005年11月
  発表情報;　平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　村田敬洋, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新, 小川博司
  
• 有機金属気相成長法により作製したAl ドープZnTe エピタキシャル層中のAl 濃度とフォトルミネッセンス特性に及ぼすVI/II原料供給量比の効果;　2005年11月
  発表情報;　平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　藤本賢治, 久米祐介, 西尾光弘, 田中徹, 郭其新, 小川博司
  
• Al 熱拡散法で作製したZnTe LED における表面処理の効果;　2005年11月
  発表情報;　平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会
  著者;　黒岩武司, 田中徹, 西尾光弘, 郭其新, 小川博司
  
• トリスジメチルアミノ燐を用いた常圧MOVPE 成長におけるZnTe のフォトルミネッセンスと電気的特性に及ぼす基板温度効果;　2005年11月
  発表情報;　平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　軽部 貴繁, 林田 和樹, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新, 小川 博司
  
• 垂直ブリッジマン法により成長したP ドープZnMgTe バルク結晶の評価;　2005年11月
  発表情報;　平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　曽元昆, 木下恵介, 田口孝治, 田中徹, 西尾光弘, 斉藤勝彦, 郭其新, 小川博司
  
• Growth of AlInN films for multi-junction tandem solar cells;　2005年10月
  発表情報;　15th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, October 10-15, 2005, Shanghai.
  著者;　Qixin GUO, Yoshiyuki OKAZAKI, Yusuke KUME, Tooru TANAKA, Mitsuhiro NISHIO, and Hiroshi OGAWA
  
• Effect of surface treatment on properties of ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion;　2005年09月
  発表情報;　11th International Conference on II-VI Compounds, Warsaw, September 12-16, 2005
  著者;　Tooru Tanaka, Y.Hosi, T.Kuroiwa, Kazuki Hayashida, Katsuhiko Saito, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Effects of substrate temperature upon photoluminescence and electrical properties of ZnTe in atmospheric pressure MOVPE using tris-dimethlaminophosphorus;　2005年09月
  発表情報;　11th International Conference on II-VI Compounds, Warsaw, September 12-16, 2005
  著者;　Kazuki Hayashida, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, T. Tanigawa, and Hiroshi Ogawa
  
• Phosphorus-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Vertical Bridgman Method;　2005年09月
  発表情報;　11th International Conference on II-VI Compounds, Warsaw, September 12-16, 2005
  著者;　Katsuhiko Saito, Keisuke Kinoshita, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2005年09月
  発表情報;　11th International Conference on II-VI Compounds, Warsaw, September 12-16, 2005
  著者;　Katsuhiko Saito, Tetsuo Yamashita, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• 拡散制御層を用いたAl熱拡散によるZnTe純緑色LEDの作製;　2005年09月
  発表情報;　平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会 福岡
  著者;　田中徹, 黒岩武司, 西尾光弘, 郭其新, 小川博司
  
• Phosphorus-Doped ZnMgTe Bulk Crystals Grown by Vertical Bridgman Method;　2005年09月
  発表情報;　11th International Conference on II-VI Compounds, Warsaw, September 12-16, 2005
  著者;　Katsuhiko Saito, Keisuke Kinoshita, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Optical Properties of Anodic Nanochannel Alumina;　2005年08月
  発表情報;　15th International Conference on Dynamical Processes in Exited States of Solids Shanghai, August 3, 2005.
  著者;　Q.X. Guo, Y. Hachiya, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
  
• Epitaxial growth properties of AlN films on sapphire substrates by reactive sputtering;　2005年06月
  発表情報;　THE EIGHTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON　SPUTTERING and PLASMA PROCESSES Kanazawa, June 8, 2005
  著者;　Q.X. Guo, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
  
• 陽極酸化ポーラスアルミナの作製と評価に関する研究;　2004年11月
  発表情報;　平成16年度応用物理学会九州支部学術講演会 沖縄
  著者;　八谷洋介, 郭其新, 田中徹, 西尾光弘, 小川博司
  
• Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by hybrid sputtering;　2004年09月
  発表情報;　14th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, September 27-October 1, 2004, Denver.
  著者;　Tooru Tanaka, Takeshi Nagatomo, Daisuke Kawasaki, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida and Hiroshi Ogawa, ,
  
• ダブルショットキー法によるZnTeの電気的特性評価;　2004年09月
  発表情報;　平成16年第57回電気関係学会九州支部連合大会 鹿児島
  著者;　原田賢治, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• 連続積層法による太陽電池用Cu2ZnSnS4薄膜の作製と評価;　2004年09月
  発表情報;　平成16年第57回電気関係学会九州支部連合大会 鹿児島
  著者;　川崎大輔, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• 有機金属気相成長法によるホウ素ドープZnTe薄膜の成長と評価;　2004年09月
  発表情報;　平成16年第57回電気関係学会九州支部連合大会 鹿児島
  著者;　川崎大輔, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• 垂直ブリッジマン法によるBNるつぼを使用したZnMgTeバルク単結晶の作製と評価;　2004年09月
  発表情報;　平成16年第57回電気関係学会九州支部連合大会 鹿児島
  著者;　木下恵介, 田中徹, 郭其新, 西尾光弘, 小川博司
  
• Saga Synchrotron Light and its Application for Advanced Science/Technology and Regional Development;　2004年09月
  発表情報;　10th International Symposium on High Pressure, Low Temperature. Plasma Chemistry Saga
  著者;　M. Kamada, K. Takahashi, J. Azuma, H. Sugiyama, S. Tokudomi, T. Tanaka, H. Ogawa
  
• Synchrotron radiation-excited etching of ZnTe using Ar gas;　2004年08月
  発表情報;　4th Conference on Synchrotron Radiation in Materials Science, Grenoble, August 23-25, 2004
  著者;　Tooru Tanaka, Yusuke Kume, Kazuki Hayashida, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
  
• Extended X-ray absorption fine structure study of Al-doped ZnTe;　2004年08月
  発表情報;　4th Conference on Synchrotron Radiation in Materials Science, Grenoble, August 23-25, 2004
  著者;　Q.X. Guo, J. Ding, K. Hayashida, T. Tanaka, M. Nishio and H. Ogawa
  
• Depth dependence of photoluminescence spectra of Al thermal diffusion layer in ZnTe LED;　2003年09月
  発表情報;　11th International Conference on II-VI Compounds, Niagara Falls, New York, September 22-26, 2003
  著者;　Tooru Tanaka, Yusuke Kume, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Influence of Al thermal diffusion time on electroluminescence properties of ZnTe LED;　2003年09月
  発表情報;　11th International Conference on II-VI Compounds, Niagara Falls, New York, September 22-26, 2003
  著者;　Tooru Tanaka, Yusuke Kume, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Growth of phosphorus-doped ZnTe layers by metalorganic vapor phase epitaxy using tris-dimethylaminophosphorus;　2003年09月
  発表情報;　11th International Conference on II-VI Compounds, Niagara Falls, New York, September 22-26, 2003
  著者;　Kazuki Hayashida, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Synchrotron Radiation-Excited Etching of ZnTe;　2003年08月
  発表情報;　8th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation (SRI 2003), San Francisco, August 25-29, 2003
  著者;　Tooru Tanaka, Yusuke Kume, Sinji Tokunaga, Kazuki Hayashida, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Growth properties of reactive sputtered AlInN films;　2003年05月
  発表情報;　5th International Conference on Nitride Semiconductors, Nara, May 25-30, 2003
  著者;　Q.X. Guo, K. Yahata, T. Tanaka, M. Nishio and H. Ogawa
  
• MOVPE Growth and characterization of high quality ZnTe homoepitaxial layers;　2002年06月
  発表情報;　11th International Conference on Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE11), Berlin, June 3-7, 2002
  著者;　Tooru Tanaka, Kazuki Hayashida, Shanli Wang, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Photoluminescence properties of chlorine-doped ZnTe grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2002年06月
  発表情報;　11th International Conference on Metal Organic Vapour Phase Epitaxy (ICMOVPE11), Berlin, June 3-7, 2002
  著者;　Tooru Tanaka, Kazuki Hayashida, Shanli Wang, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial films deposited by photo-excited growth using synchrotron-radiation light;　2002年01月
  発表情報;　Third International Conference on Synchrotron Radiation in Materials Science, Singapore, January 21-24 2002
  著者;　Tooru Tanaka, Kazuki Hayashida, Shanli Wang, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, and Hiroshi Ogawa
  
• Effect of Substrate Position in i-ZnO Thin Film Formation to Cu(In,Ga)Se2 Solar Cell;　2001年11月
  発表情報;　15th International Vacuum Congress (IVC15), San Francisco, October 28-November 2, 2001
  著者;　T. Yamaguchi, T. Tanaka, A. Yoshida
  
• Photoluminescence properties of iodine-doped ZnTe grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2001年10月
  発表情報;　28th International Symposium on Compound Semiconductors 2001 (ISCS2001), Tokyo, October 1-4, 2001
  著者;　Tooru Tanaka, Kazuki Hayashida, Hiroki Harada, Mitsuhiro Nishio, Shanli Wang, Yong Chang, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
  
• Arsenic and Phosphor P-type Doping of Bulk ZnTe for LED Applications;　2001年10月
  発表情報;　28th International Symposium on Compound Semiconductors 2001 (ISCS2001), Tokyo, October 1-4, 2001
  著者;　Y. Chang, S.L. Wang, T. Tanaka, K. Hayashida, S. Kanamaru, Q.X. Guo, M.Nishio, H. Ogawa
  
• Investigation into the influence of GaN buffer layer on crystallinity of InN;　2001年07月
  発表情報;　13th International Conference on Crystal Growth (ICCG13), Kyoto, July 30-August 4, 2001
  著者;　Q.X. Guo, A. Okada, H. Kidera, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa
  
• Growth of Arsenic-Doped ZnTe by MOVPE using Triethylarsine;　2001年07月
  発表情報;　13th International Conference on Crystal Growth (ICCG13), Kyoto, July 30-August 4, 2001
  著者;　Kazuki Hayashida, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Yong Chang, Jun Wang, Shanli Wang, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
  
• Effect of Gas Flow Rate on Properties of ZnTe Epitaxial Layers Grown by Horizontal Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2001年07月
  発表情報;　13th International Conference on Crystal Growth (ICCG13), Kyoto, July 30-August 4, 2001
  著者;　Tooru Tanaka, Kazuki Hayashida, Mitsuhiro Nishio, Yong Chang, Jun Wang, Shanli Wang, Qixin Guo, Hiroshi Ogawa
  
• Heteroepitaxial Growth of GaN on (111)GaAs Substrates;　2001年07月
  発表情報;　13th International Conference on Crystal Growth (ICCG13), Kyoto, July 30-August 4, 2001
  著者;　Q.X. Guo, A. Okada, H. Kidera, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa
  
• Effect of 8MeV-electron irradiation on electrical properties of CuInSe2 thin films;　2001年06月
  発表情報;　12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference(PVSEC12), Korea, June 11-15, 2001
  著者;　Tooru Tanaka, Toshiyuki Yamaguchi, Akihiro Wakahara, and Akira Yoshida, Ryoichi Taniguchi, Yatsuka Matsuda, Masatoshi Fujishiro
  
• Implantation of Chlorine ion into CuInSe2 thin films;　2001年06月
  発表情報;　12th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC12), Korea, June 11-15, 2001
  著者;　Tooru Tanaka,Toshiyuki Yamaguchi, Akihiro Wakahara, and Akira Yoshida, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, and Sohei Okada
  
• Irradiation effect of 8MeV-electron on electrical properties of CuInSe2 thin films;　2000年07月
  発表情報;　The International Conference on Electrical Engineering 2000 (ICEE2K), July 24-28, 2000
  著者;　Tooru Tanaka, Ryoichi Taniguchi, Yatsuka Matsuda, Masatoshi Fujishiro, Akihiro Wakahara, and Akira Yoshida
  
• Effect of electron irradiation on properties of CuInSe2 thin films;　2000年03月
  発表情報;　12th International Conference on Ternary and Multinary Compounds(ICTMC12), Hsinchu, March 13-17, 2000
  著者;　Tooru Tanaka, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Sohei Okada, Akihiro Wakahara, and Akira Yoshida
  
• Mg ion implantation in CuInSe2 thin films;　1999年09月
  発表情報;　11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Sapporo, September 20-24, 1999
  著者;　Tooru Tanaka, Takeshi Ohshima, Hisayoshi Itoh, Sohei Okada, Akihiro Wakahara, and Akira Yoshida
  
• Preparation and characterization of (Cd,Zn)S thin films by chemical bath deposition for photovoltaic devices;　1998年08月
  発表情報;　14th International Vacuum Congress, Birmingham, August 31-September 4, 1998
  著者;　Toshiyuki Yamaguchi, Yukio Yamamoto, Tooru Tanaka, Akira Yoshida
  
• Effect of substrate temperature on properties of thin films prepared by RF sputtering from CuInSe2 target with Na2Se;　1998年08月
  発表情報;　14th International Vacuum Congress, Birmingham, August 31-September 4, 1998
  著者;　T.Tanaka, T.Yamaguchi, A.Wakahara, and A.Yoshida
  
• CHARACTERIZATION OF CuInSe2 THIN FILMS FABRICATED BY RF SPUTTERING WITH ALKALI METALS;　1998年07月
  発表情報;　2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, July 6-10, 1998
  著者;　T.Tanaka, Y.Kitamura, T.Yamaguchi, and A.Yoshida
  
• Influence of incorporation of Na on CuInSe2 thin films;　1997年09月
  発表情報;　11th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Salford, September 8-12, 1997
  著者;　T.Tanaka, T.Yamaguchi, and A.Yoshida
  
• Characterization of CuInS2 thin films prepared by sputtering from binary compounds;　1996年11月
  発表情報;　9th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Miyazaki, November 11-15, 1996
  著者;　Y.Yamamoto, T.Yamaguchi, T.Tanaka, N.Tanahashi and A.Yoshida
  
• Preparation of CuInSe2 thin films with large grain by excimer laser ablation;　1996年11月
  発表情報;　9th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Miyazaki, November 11-15, 1996
  著者;　A.Yoshida, N.Tanahashi, T.Tanaka, Y.Demizu, Y.Yamamoto and T.Yamaguchi
  
• Influence of annealing temperature on the properties of Cu(In,Ga)Se2 thin films by thermal crystallization in Se vapor;　1996年11月
  発表情報;　9th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Miyazaki, November 11-15, 1996
  著者;　T. Yamaguchi, Y.Yamamoto, T.Tanaka, N.Tanahashi and A.Yoshida
  
• Characterization of Cu(In,Ga)2Se3.5 thin films prepared by rf sputtering from Cu(In,Ga)Se2 with Na2Se;　1996年11月
  発表情報;　9th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Miyazaki, November 11-15, 1996
  著者;　T.Tanaka, N.Tanahashi, Y.Yamamoto, T.Yamaguchi and A.Yoshida
  
• (Cd,Zn)S THIN FILMS PREPARED BY CHEMICAL BATH DEPOSITION FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES;　1995年09月
  発表情報;　13th International Vacuum Congress, Yokohama, September 25-29, 1995
  著者;　T.Yamaguchi, Y.Yamamoto, T.Tanaka, Y.Demizu and A.Yoshida
  
• FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF CuIn(SxSe1-x)2 THIN FILMS BY RF SPUTTERING;　1995年09月
  発表情報;　13th International Vacuum Congress, Yokohama, September 25-29, 1995
  著者;　Y.Yamamoto, T.Yamaguchi, T.Tanaka, Y.Demizu, A.Ganjoo and A.Yoshida
  
• Characterization of CuInSe2 thin films prepared by Excimer Laser Ablaton;　1995年09月
  発表情報;　The 10th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Stuttgart, September 19-22, 1995
  著者;　Y.Yamamoto, T.Yamaguchi, Y.Demizu, T.Tanaka, A.Ganjoo and A.Yoshida
  
• Influence of precursor structure on the properties of Cu(In,Ga)Se2 thin fims by thermal crystallization;　1995年09月
  発表情報;　The 10th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Stuttgart, September 19-22, 1995
  著者;　T.Yamaguchi, M.Suzuki, Y.Yamamoto, Y.Demizu, T.Tanaka and A.Yoshida
  

その他講演

• 太陽光発電が拓く未来 ～発電原理から最先端技術まで;　2022年09月
  発表情報;　佐賀大学附属中学校講座「大学の授業を受けてみよう」, 佐賀大学, 2022年9月3日.
  著者;　田中徹（依頼講座）
  
• 「これからのエネルギーとの付き合い方」;　2022年08月
  発表情報;　地域連携型佐賀大学公開講座（有田町），有田町生涯学習センター，2022年8月22日
  著者;　田中徹（依頼講演）
  
• 新材料開発で太陽電池の効率向上をめざす;　2020年10月
  発表情報;　夢ナビライブ2020, 学問の講義ライブ, 2020年10月14-20日, オンラインイベント.
  著者;　田中 徹
  
• 未来を切り拓く太陽光発電技術（依頼講座）;　2019年09月
  発表情報;　佐賀大学附属中学校講座「大学の授業を受けてみよう」, 佐賀大学, 2019年9月7日.
  著者;　田中徹
  
• 第3回「研究をはじめるにあたって」;　2019年03月
  発表情報;　平成30年度高大連携プロジェクト「科学へのとびら」, 佐賀大学, 平成31年3月17日.
  著者;　田中徹
  
• マルチバンドギャップ半導体を用いた中間バンド型太陽電池の開発;　2018年06月
  発表情報;　公益財団法人加藤科学振興会研究助成成果報告会, 東京銀座, 2018年6月14日.
  著者;　田中徹
  
• 第3回「研究をはじめるにあたって」;　2018年01月
  発表情報;　科学のとびら, 佐賀大学, 平成30年1月27日.
  著者;　田中徹
  
• 太陽光発電が拓く未来　～その仕組みから最先端テクノロジーまで～;　2017年09月
  発表情報;　佐賀大学附属中学校講座「大学の授業を受けてみよう」, 佐賀大学, 平成29年9月9日.
  著者;　田中徹
  
• 高不整合材料による中間バンド型太陽電池;　2012年08月
  発表情報;　佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所セミナー, 佐賀大学, 2012年8月22日
  著者;　田中徹
  
• Development of ZnTe Green LED at Saga University;　2010年01月
  発表情報;　Lawrence Berkeley National Laboratory, Jan. 19, 2010
  著者;　Tooru Tanaka
  
• Optoelectronics research in Saga University VBL;　2008年10月
  発表情報;　International Symposium on Environment and Energy, Saga, October 1-2, 2008
  著者;　Tooru Tanaka
  
• ナノ薄膜利用による新しい低コスト緑色LEDの開発;　2008年09月
  発表情報;　平成20年度第３回九州地区ナノテクノロジー拠点ネットワーク講演会, 佐賀大学, 平成20年9月11日
  著者;　田中徹
  
• 低コスト製造法による高効率純緑色発光ダイオードの開発;　2008年05月
  発表情報;　NEDO技術開発機構, 若手研究グラント, 平成20年度第2回研究成果報告会, 川崎日航ホテル, 平成20年5月27日
  著者;　田中徹
  
• 低コスト製造法による高効率純緑色発光ダイオードの開発;　2006年09月
  発表情報;　イノベーション・ジャパン２００６　新技術説明会, 東京国際フォーラム
  著者;　田中徹
  
• Research on semiconductor materials for optoelectronic applications;　2006年06月
  発表情報;　Yeungnam University, June 1, 2006.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• 佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター・県有ビームラインBL9の設計とシンクロトロン光励起プロセスへの応用;　2005年09月
  発表情報;　電気学会光・量子デバイス研究会, 平成17年9月9日，早稲田大学
  著者;　田中 徹，郭 其新，西尾 光弘，小川 博司，本岡 輝昭
  
• Development of Synchrotron Light-Excited Process;　2004年12月
  発表情報;　Joint Seminar between Institute of Composite Materials, Shanghai Jiaotong University and Saga University Synchrotron Light Application Center on Material Science and Synchrotron Light -2004, Shanghai Jiaotong University, Xujiahui
  著者;　Tooru Tanaka
  
• Synchrotron Light-Excited Growth and Etching of Semiconductors;　2004年12月
  発表情報;　Joint Seminar between Shanghai Institute of Applied Physics and Saga University on Synchrotron Light Applications -2004, Shanghai Institute of Applied Physics, Jiading
  著者;　Tooru Tanaka
  
• 県有ビームラインＢＬ１の設計概要と利用分野（招待講演）;　2004年10月
  発表情報;　ビームライン技術開発研究会 主催：佐賀県シンクロトロン光応用研究施設利用研究フォーラム：エレクトロニクス研究会、表面・界面ダイナミクス研究会、量子ビーム科学研究会 Tosu
  著者;　田中徹
  
• シンクロトロン光励起プロセスによる半導体材料加工（招待講演）;　2004年07月
  発表情報;　九州シンクロトロン光研究センターオンサイトシンポジウム－県有ビームラインの役割と技術的課題－ 主催：応用物理学会九州支部、佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター
  著者;　田中徹
  
• 県有ビームラインBL１の整備状況（招待講演）;　2004年07月
  発表情報;　九州シンクロトロン光研究センターオンサイトシンポジウム－県有ビームラインの役割と技術的課題－ 主催：応用物理学会九州支部、佐賀県立九州シンクロトロン光研究センター Tosu
  著者;　田中徹
  

知的財産権の出願等（著作権は除く）

• 半導体装置及びその製造方法;　2007年09月
  発表情報;　特願2007-256110
  著者;　田中徹，小川博司，西尾光弘，齊藤勝彦
  
• 半導体の製造方法;　2006年08月
  発表情報;　特願2006-222455
  著者;　田中徹，小川博司，西尾光弘，齋藤勝彦
  
• 半導体素子の製造方法;　2005年
  発表情報;　PCT/JP2005/21
  著者;　田中徹，小川博司，西尾光弘
  
• 電磁調理器用土鍋，森義久;　2004年
  発表情報;　特願2004-051119
  著者;　小川博司，田中徹，正木裕一
  
• 化合物半導体の加工方法、及び化合物半導体の加工装置;　2003年
  発表情報;　特願2003-198375/特許登録3783056号
  著者;　小川博司，西尾光弘，郭其新，田中徹
  
• II-VI族化合物半導体結晶を基板とする光電変換機能素子の製造方法;　2002年
  発表情報;　特願2002-89312
  著者;　小川博司，西尾光弘，郭其新，田中徹
  
• 有機金属気相成長によるｐ型のテルル化亜鉛の製造方法;　2002年
  発表情報;　特願2002-89318
  著者;　小川博司，西尾光弘，郭其新，田中徹
  
• II-VI族化合物半導体のドライエッチング方法;　2002年
  発表情報;　特願2002-89303
  著者;　小川博司，西尾光弘，郭其新，田中徹
  

その他

• 低コスト製造法による高効率純緑色発光ダイオードの開発;　2008年09月
  発表情報;　科学新聞　2008年9月5日
  著者;　田中徹
  
• 低コスト緑色LED　テルル化亜鉛原料　佐賀大が製造法;　2008年08月
  発表情報;　日刊工業新聞　2008年8月8日　27面
  著者;　田中徹
  
• 低コスト製造法で緑色LED開発　テルル化亜鉛ベース;　2008年08月
  発表情報;　半導体産業新聞　2008年8月20日
  著者;　田中徹
  
• 材料コスト大幅低減　佐賀大学　テルル化亜鉛系を開発;　2008年07月
  発表情報;　化学工業日報　2008年7月23日　5面
  著者;　田中徹
  
• 緑色LED安価に　ガリウム使わず　材料・製造低コスト;　2008年06月
  発表情報;　日経産業新聞　2008年6月6日　1面
  著者;　田中徹
  
• 佐賀大学が新材料で緑色LEDを試作　「低コスト化と高効率化に向く」;　2008年06月
  発表情報;　日経BP Tech-On (インターネット)　2008年6月11日
  著者;　田中徹
  
• 佐賀大学が新材料で緑色LEDを試作　「低コスト化と高効率化に向く」;　2008年06月
  発表情報;　日経エレクトロニクス 2008年6月30日号
  著者;　田中徹
  

招待講演・特別講演（学会シンポジウム等での講演を含む）

• ZnTeO系中間バンド型太陽電池の現状と課題（招待講演）;　2023年09月
  発表情報;　シンポジウム「酸化物半導体が拓く太陽電池の新展開」, 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会，熊本城ホールほか, 2023年9月19日, 19p-A301-2.
  著者;　田中徹
  
• 太陽光発電が拓く未来～その仕組みから最先端テクノロジーまで～;　2022年10月
  発表情報;　第55回サイエンスカフェ in SAGA，メートプラザ佐賀，2022年10月15日.
  著者;　田中徹（依頼講演）
  
• Intermediate band solar cells based on highly-mismatched ZnTeO alloy semiconductors (invited);　2021年08月
  発表情報;　International Conference on Materials Science and Computation, Online, 21 August 2021.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• Intermediate band solar cells based on highly mismatched II-VI oxide semiconductors (Invited);　2020年02月
  発表情報;　SPIE Photonics West 2020, 1 - 6 February 2020, San Francisco, 11281-60.
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Intermediate band solar cells based on highly-mismached ZnTeO alloys (Invited);　2019年01月
  発表情報;　International Symposium on Solar Energy Materials, Kobe, Jan. 25, 2019, IL-02.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• 高不整合材料による中間バンド型太陽電池 (招待講演);　2018年12月
  発表情報;　第3回フロンティア太陽電池セミナー, 宮崎市ホテルメリージュ, 2018年12月13日.
  著者;　田中徹
  
• Improved photovoltaic properties of ZnTeO-based intermediate band solar cells [invited talk];　2018年02月
  発表情報;　SPIE Photonics West 2018, 27 January - 1 February 2018, San Francisco.
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Intermediate band solar cells based on highly-mismached ZnTeO alloys (invited);　2017年08月
  発表情報;　2017 International Symposium for Advanced Materials Research (ISAMR 2017), August 21, 2017, Sun Moon Lake, Taiwan.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• Intermediate band solar cells based on II-VI dilute oxide semiconductors (invited);　2017年07月
  発表情報;　International Workshop on Advanced Smart Materials and Engineering for Nano- and Bio-Technologies, July 14, 2017, Kobe.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• ZnTeO-based multiple band gap semiconductors for intermediate band solar cells (invited);　2016年06月
  発表情報;　2016 Collaborative Conference on 3D and Materials Research (CC3DMR), 20 June 2016, Incheon, South Korea.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• ZnTeO-related multiple bandgap semiconductors for intermediate band solar cells application (Invited lecture);　2015年10月
  発表情報;　Lanzhou Institute of Chemical Physics, October 20, 2015.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• マルチバンドギャップ半導体ZnTeOを用いた中間バンド型太陽電池の開発;　2015年09月
  発表情報;　「酸化亜鉛系機能性膜に関する革新的液相結晶成長研究会」，科学技術交流財団研究交流センター 平成27年9月29日
  著者;　田中徹
  
• Recent progress of ZnTe-based optoelectronic devices (Invited lecture);　2014年10月
  発表情報;　Lanzhou Institute of Chemical Physics, October 27, 2014.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• ZnTeO-based intermediate band solar cells (Invited);　2014年05月
  発表情報;　The EMN East Meeting, May 12, 2014, Beijing, China.
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Carrier dynamics in dilute II-VI oxide highly-mismatched alloys (Invited Paper);　2014年02月
  発表情報;　SPIE Photonics West 2014, Febgruary 2, 2014, San Francisco, Paper 8987-12.
  著者;　Yan-Cheng Lin, Wu-Ching Chou, Jen-Inn Chyi, Tooru Tanaka
  
• 高不整合材料による中間バンド太陽電池の創製;　2013年12月
  発表情報;　JSTさきがけ「太陽光と光電変換機能」領域公開シンポジウム, 東京, 2013年12月9日.
  著者;　田中徹
  
• Intermediate band solar cells based on ZnTeO (Invited Talk);　2013年11月
  発表情報;　9th China SoG Silicon and PV Power Conference (9th CSPV), November 7-9, 2013, Suzhou, China.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• Development of ZnTeO-based Intermediate band solar cells (invited);　2013年11月
  発表情報;　The 9th C-K-J Joint Workshop on Advanced Functional Materials, November 24-27, 2013, Saga, I-12.
  著者;　Tooru Tanaka, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Kin Man Yu, and Wladek Walukiewicz
  
• Photovoltaic research activity at Saga University (Invited lecture);　2013年09月
  発表情報;　Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, September 25, 2013.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• ZnTeO系高不整合材料による中間バンド型太陽電池の作製;　2013年05月
  発表情報;　第10回次世代の太陽光発電システムシンポジウム, 平成25年5月23日-24日, 金沢.
  著者;　田中徹, 長尾康弘, 宮原雅宜, 斉藤勝彦, 郭其新, 西尾光弘, K. M. Yu, W. Walukiewicz
  
• ZnTe系材料の物性と光デバイス応用（招待講演）;　2012年12月
  発表情報;　平成24年度応用物理学会九州支部, 支部オータムスクール, 佐賀大学, 2012年12月2日, As-3.
  著者;　田中徹
  
• Heteroepitaxial growth of ZnTe layers by MOVPE (Invited Talk);　2012年12月
  発表情報;　The Collaborative Conference on Crystal Growth 2012, A23, December 12, 2012, 14:00-14:25, Doubletree by Hilton Orlando at SeaWorld, Orlando, FL, USA.
  著者;　Qixin Guo, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, and Mitsuhiro Nishio
  
• 高不整合材料による中間バンド太陽電池の創製;　2012年12月
  発表情報;　JSTさきがけ「太陽光と光電変換機能」領域公開シンポジウム, 東京, 2012年12月17日.
  著者;　田中徹
  
• 太陽電池の基礎と応用（招待講演）;　2012年09月
  発表情報;　第2回九州若手セラミックフォーラム, 佐賀市, 2012年9月1日
  著者;　田中徹
  
• Low-temperature Epitaxial Growth of GaInN Films (invited);　2012年08月
  発表情報;　8th International Forum on Advanced Material Science and Technology (IFAMST-8), Fukuoka, August 1-4, 2012, 3A-OS01-08.
  著者;　Q. Guo, T. Nakao, M. Arita, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio
  
• Green LEDs and Solar Cells based on ZnTe-related Materials (Invited);　2012年05月
  発表情報;　Conference on Lasers and Electro-Optics 2012 (CLEO:2012), May 6-11, 2012, San Jose. JTh4J.4.
  著者;　Tooru Tanaka
  
• ZnTeO系高不整合材料の作製と中間バンド太陽電池への応用;　2012年05月
  発表情報;　第９回次世代の太陽光発電システムシンポジウム, 平成24年5月31日-6月1日, 京都.
  著者;　田中徹，長尾康弘，宮原雅宜，斉藤勝彦，郭其新，西尾光弘
  
• STRUCTURAL PROPERTIES OF MAGNETITE FILMS GROWN BY PULSED LASER DEPOSITION (Invited Talk);　2011年07月
  発表情報;　The Nineteenth Annual International Conference on COMPOSITES/NANO ENGINEERING, July 24-30, 2011, Session 2d OXIDE 1, Invited Talk, July 25, Shanghai, China.
  著者;　Qixin Guo, Kazuki Nakamura, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Makoto Arita, Yoshifumi Ikoma, Jian Ding, and Di Zhang
  
• ZnTeを用いた光デバイスの開発;　2009年09月
  発表情報;　JAMS-CS AWARD受賞記念講演会, 新日鉱ビル, 東京, 平成21年9月10日
  著者;　田中徹
  
• Growth and characterization of ZnTe for pure-green light emitting diodes and terahertz devices (Invited Lecture);　2009年06月
  発表情報;　International Conference on Advances in Functional Materials, I-9-19, June 9-12, 2009, Jiuzhaigou, China.
  著者;　Qixin Guo, T. Tanaka, and M. Nishio