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Investigation of self-assembled monolayer treatment on SiO2 gate insulator of poly (3-hexylthiophene) thin-film transistors

発表形態：: 原著論文
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2009年07月

DOI：
会議属性：: 指定なし
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

堀井　美徳、井川　光弘、坂口　幸一、近松　真之、吉田　郵司、阿澄　玲子、八瀬　清志、茂木　弘、北川　雅彦、小西　久俊読み: ほりい　よしのり、いかわ　みつひろ、さかぐち　こういち、ちかまつ　まさゆき、よしだ　ゆうじ、あずみ　れいこ、やせ　きよし、もぎ　ひろし、きたがわ　まさひこ、こにし　ひさとし

題名：

Investigation of self-assembled monolayer treatment on SiO2 gate insulator of poly (3-hexylthiophene) thin-film transistors

発表情報：

Thin Solid Films 巻: 518 ページ: 642-646

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

Yoshinori Horii, Mitsuhiro Ikawa, Koichi Sakaguchi, Masayuki Chikamatsu, Yuji Yoshida, Reiko Azumi, Hiroshi Mogi, Masahiko Kitagawa, Hisatoshi Konishi, Kiyoshi Yase

Title：

Investigation of self-assembled monolayer treatment on SiO2 gate insulator of poly (3-hexylthiophene) thin-film transistors

Announcement information:

Thin Solid Films Vol: 518 Page: 642-646