MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

Drain bias dependence of Y22 and Y21 signals at low frequency for on-state conditions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2024年01月
DOI：
10.35848/1347-4065/ad1894
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Oishi, S.Takada, K.Kudara, Y.Yamaguch, S.Shinj, and K.Yamanaka
題名：
Drain bias dependence of Y22 and Y21 signals at low frequency for on-state conditions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
発表情報：
Jpn. J. Appl. Phys. , 63, 010905 (2024） 巻: 63 ページ: 010905
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Oishi, S.Takada, K.Kudara, Y.Yamaguch, S.Shinj, and K.Yamanaka
Title：
Drain bias dependence of Y22 and Y21 signals at low frequency for on-state conditions in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys. , 63, 010905 (2024） Vol: 63 Page: 010905

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.