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A simulation study of the impact of traps in the GaN substrate on the electrical characteristics of an AlGaN/GaN HEMT with a thin channel layer

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2021年12月
DOI：
10.1007/s10825-021-01809-1
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T. Oishi, K. Ito
題名：
A simulation study of the impact of traps in the GaN substrate on the electrical characteristics of an AlGaN/GaN HEMT with a thin channel layer
発表情報：
Journal of Computational Electronics, 20 (2021) pp.2411-2455. 巻: 20 ページ: 2411-2455
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T. Oishi, K. Ito
Title：
A simulation study of the impact of traps in the GaN substrate on the electrical characteristics of an AlGaN/GaN HEMT with a thin channel layer
Announcement information:
Journal of Computational Electronics, 20 (2021) pp.2411-2455. Vol: 20 Page: 2411-2455

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