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Bias Dependence Model of Peak Frequency of GaN Trap in GaN HEMTs Using Low-Frequency Y22 Parameters

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2021年10月
DOI：
10.1109/TED.2021.3115083
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T. Oishi, T. Otsuka, M. Tabuchi, Y. Yamaguchi, S. Shinjo, and K. Yamanaka
題名：
Bias Dependence Model of Peak Frequency of GaN Trap in GaN HEMTs Using Low-Frequency Y22 Parameters
発表情報：
IEEE Trans. Electron Devices, 68 (2021) pp.5565-5571. 巻: 68 ページ: 5565-5571.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T. Oishi, T. Otsuka, M. Tabuchi, Y. Yamaguchi, S. Shinjo, and K. Yamanaka
Title：
Bias Dependence Model of Peak Frequency of GaN Trap in GaN HEMTs Using Low-Frequency Y22 Parameters
Announcement information:
IEEE Trans. Electron Devices, 68 (2021) pp.5565-5571. Vol: 68 Page: 5565-5571.

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