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Study on Effects of GaN Trap Depth Profiles to Transient Response in GaN HEMTs on GaN Substrates by Device Simulation

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2020年09月
DOI：
10.1109/RFIT49453.2020.9226201
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K.Ito and T.Oishi
題名：
Study on Effects of GaN Trap Depth Profiles to Transient Response in GaN HEMTs on GaN Substrates by Device Simulation
発表情報：
2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT2020) ページ: September 2-4, 2020, Hiroshima, Japan.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K.Ito and T.Oishi
Title：
Study on Effects of GaN Trap Depth Profiles to Transient Response in GaN HEMTs on GaN Substrates by Device Simulation
Announcement information:
2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT2020) Page: September 2-4, 2020, Hiroshima, Japan.

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