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Study on Self-heating and Drain Voltage Effects for Buffer Traps in GaN HEMTs by Low Frequency S-parameter Measurements

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2020年09月
DOI：
10.1109/RFIT49453.2020.9226246
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M.Tabuchi, T.Otsuka, Y.Yamaguchi, S.Shinjo and T.Oishi
題名：
Study on Self-heating and Drain Voltage Effects for Buffer Traps in GaN HEMTs by Low Frequency S-parameter Measurements
発表情報：
2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT2020) ページ: September 2-4, 2020, Hiroshima, Japan.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M.Tabuchi, T.Otsuka, Y.Yamaguchi, S.Shinjo and T.Oishi
Title：
Study on Self-heating and Drain Voltage Effects for Buffer Traps in GaN HEMTs by Low Frequency S-parameter Measurements
Announcement information:
2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT2020) Page: September 2-4, 2020, Hiroshima, Japan.

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