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Study of Self-heating Effect of GaN HEMTs with Buffer Traps by Low Frequency S-parameters Measurements and TCAD Simulation

発表形態：: 一般講演（学術講演を含む）
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2019年11月

DOI：
会議属性：: 国際会議（国内開催を含む）
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

T. Otsuka,Y. Yamaguchi, S. Shinjo, and Toshiyuki Oishi

題名：

Study of Self-heating Effect of GaN HEMTs with Buffer Traps by Low Frequency S-parameters Measurements and TCAD Simulation

発表情報：

IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) ページ: November 3-6, 2019, Nashville, Tennessee, USA, 3b.2.

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

T. Otsuka,Y. Yamaguchi, S. Shinjo, and Toshiyuki Oishi

Title：

Study of Self-heating Effect of GaN HEMTs with Buffer Traps by Low Frequency S-parameters Measurements and TCAD Simulation

Announcement information:

IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) Page: November 3-6, 2019, Nashville, Tennessee, USA, 3b.2.