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Microwave Power Rectification using β-Ga2O3 Schottky barrier diodes

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2019年09月
DOI：
10.1109/LED.2019.2931793
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T. Oishi, K. Urata, M. Hashikawa, K. Ajiro and T. Oshima
題名：
Microwave Power Rectification using β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
発表情報：
IEEE Electron Device Lett 巻: 40 ページ: 1393
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T. Oishi, K. Urata, M. Hashikawa, K. Ajiro and T. Oshima
Title：
Microwave Power Rectification using β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
Announcement information:
IEEE Electron Device Lett Vol: 40 Page: 1393

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