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GaN HEMT と Si SBD のカスコード接続を用いたシングルャト整流回路の動作実証

著者：

浦田幸佑, 網代康佑,大石敏之, 山口裕太郎, 大塚友絢, 新庄真太郎

題名：

発表情報：

平成30年度応用物理学会九州支部学術講演会，福岡大学七隈キャンパス，福岡（2018年12月9日）9Ba-1.

キーワード：

概要：

抄録：

Author：

K.Urata, K.Ajiro, T.Oishi, Y.Yamaguchi, T.Otsuka,S.Shinjo

Title：

RF-DC conversion using single-shunt rectifying circuit with cascode configuration composed of GaN HEMT and Si SBD

Announcement information:

JSAP Kyushu Chapter Annual Meeting 2018 9 Dec 2018 9Ba-1.