MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

Ka-band GaN Large-Signal Model Considering Trap Effect on Non-linear Capacitance by Using Transient S-parameters Measurement

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2018年10月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Yutaro Yamaguchi, Masatake Hangai, Shintaro Shinjo, Koji Yamanaka, and Toshiyuki Oishi
題名：
Ka-band GaN Large-Signal Model Considering Trap Effect on Non-linear Capacitance by Using Transient S-parameters Measurement
発表情報：
IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) 巻: October 14-17, 2018, California, USA
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Yutaro Yamaguchi, Masatake Hangai, Shintaro Shinjo, Koji Yamanaka, and Toshiyuki Oishi
Title：
Ka-band GaN Large-Signal Model Considering Trap Effect on Non-linear Capacitance by Using Transient S-parameters Measurement
Announcement information:
IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) Vol: October 14-17, 2018, California, USA

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.