MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

GaN HEMTのゲート形状とゲート金属残留応力がゲートリーク電流に与える影響のデバイスシミュレーションによる検討

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2017年09月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
大石 敏之，山口 裕太郎，山中 宏治
題名：
GaN HEMTのゲート形状とゲート金属残留応力がゲートリーク電流に与える影響のデバイスシミュレーションによる検討
発表情報：
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 ページ: 福岡国際会議場，福岡県（2017年9月5–8日）7p-S22-13.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
大石 敏之，山口 裕太郎，山中 宏治
Title：
Announcement information:
Page: 福岡国際会議場，福岡県（2017年9月5–8日）7p-S22-13.

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.