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Decrease in On-State Gate Current of AlGaN/GaN HEMTs by Recombination-Enhanced Defect Reaction of Generated Hot Carriers

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2014年
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
H.Sasaki, K.Kadoiwa, H.Koyama, Y.Kamo, Y.Yamamoto, T.Oishi, K.Hayashi and K.H.Teo
題名：
Decrease in On-State Gate Current of AlGaN/GaN HEMTs by Recombination-Enhanced Defect Reaction of Generated Hot Carriers
発表情報：
Reliability of compound semiconductors (ROCS2014), May 19, 2014, Colorado, USA. Session III Part 2. 巻: Session III Part 2 ページ: Session III Part 2
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
H.Sasaki, K.Kadoiwa, H.Koyama, Y.Kamo, Y.Yamamoto, T.Oishi, K.Hayashi and K.H.Teo
Title：
Decrease in On-State Gate Current of AlGaN/GaN HEMTs by Recombination-Enhanced Defect Reaction of Generated Hot Carriers
Announcement information:
Reliability of compound semiconductors (ROCS2014), May 19, 2014, Colorado, USA. Session III Part 2. Vol: Session III Part 2 Page: Session III Part 2

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