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Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation

発表形態：: 原著論文
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2014年

DOI：
会議属性：: 指定なし
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

H.Sasaki, K.Kadoiwa, H.Koyama, Y.Kamo, Y.Yamamoto, T.Oishi, K.Hayashi

題名：

Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation

発表情報：

Microelectronic Engineering 巻: 54 ページ: pp.2662-2667

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

H.Sasaki, K.Kadoiwa, H.Koyama, Y.Kamo, Y.Yamamoto, T.Oishi, K.Hayashi

Title：

Decrease in on-state gate current of AlGaN/GaN HEMTs by recombination-enhanced defect reaction of generated hot carriers investigated by TCAD simulation

Announcement information:

Microelectronic Engineering Vol: 54 Page: pp.2662-2667