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AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 －TCADシミュレーションによる検討－
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2017年01月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
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日本語フィールド
著者：
大石 敏之, 山口 裕太郎, 山中 宏治
題名：
AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 －TCADシミュレーションによる検討－
発表情報：
電子情報通信学会研究会 巻: ED2016-108 号: 2017年1月27日 ページ: 63-68
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
Author：
Title：
Announcement information:
Vol: ED2016-108 Issue: 2017年1月27日 Page: 63-68
