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Physical Model of RF Leakage in GaN HEMTs on Si Substrates Based on Atomic Diffusion Analysis at Buffer/Substrate Interface

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2016年10月
DOI：
10.1109/CSICS.2016.7751058
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y. Yamaguchi, J. Kamioka, S. Shinjo, K. Yamanaka and T. Oishi
題名：
Physical Model of RF Leakage in GaN HEMTs on Si Substrates Based on Atomic Diffusion Analysis at Buffer/Substrate Interface
発表情報：
38th IEEE COMPOUND SEMICONDUCTOR IC (CSIC) SYMPOSIUM ページ: Oct. 23-26, 2016, Austin, Texas, L.1.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y. Yamaguchi, J. Kamioka, S. Shinjo, K. Yamanaka and T. Oishi
Title：
Physical Model of RF Leakage in GaN HEMTs on Si Substrates Based on Atomic Diffusion Analysis at Buffer/Substrate Interface
Announcement information:
38th IEEE COMPOUND SEMICONDUCTOR IC (CSIC) SYMPOSIUM Page: Oct. 23-26, 2016, Austin, Texas, L.1.

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