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Simulation study of NO2-exposed H-terminated diamond FETs with Al2O3 insulator gate

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2015年06月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Oishi, R.Higashi, K.Harada, K.Hirama, and M.Kasu
題名：
Simulation study of NO2-exposed H-terminated diamond FETs with Al2O3 insulator gate
発表情報：
The 2015 international Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) ページ: June 4-5 2015, Kyoto, PA-01.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Oishi, R.Higashi, K.Harada, K.Hirama, and M.Kasu
Title：
Simulation study of NO2-exposed H-terminated diamond FETs with Al2O3 insulator gate
Announcement information:
The 2015 international Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) Page: June 4-5 2015, Kyoto, PA-01.

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