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AlGaN/GaN HEMT with thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate
発表形態：
招待講演・特別講演（学会シンポジウム等での講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2004年03月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
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日本語フィールド
著者：
T.Oishi, T.Nanjo,N.Miura, M. Suita,Y. Abe
題名：
AlGaN/GaN HEMT with thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate
発表情報：
IEEE EDS Kansai Chapter「第4回関西コロキアム電子デバイスワークショップ」 (2004年3月9日，京都)
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
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