教員活動データベース
全体
研究者氏名
著者名
検索
詳細
Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2009年03月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
リンク情報：
検索条件
トップ（所属別検索）
詳細検索
日本語フィールド
著者：
南條拓真、吹田宗義、今井章文、阿部雄次、大石敏之、柳生栄治、吉新喜市、徳田安紀
題名：
Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
発表情報：
電気学会 電子デバイス研究会 EDD-09-48, 2009年3月10日、pp.77-81.
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
Author：
Title：
Announcement information:
