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Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2005年01月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
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日本語フィールド
著者：
國井徹朗、戸塚正裕、加茂宣卓、山本佳嗣、竹内日出雄、島田好治、志賀俊彦、巳浪裕之、北野俊明、宮国晋一、中塚茂典、井上晃、奥友希、南條拓真、大石敏之
題名：
Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT
発表情報：
電子情報通信学会研究会 ED2004-216, MW2004-23、2005年1月17日, pp.25-30.
キーワード：
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抄録：
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