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著者:T.Oishi, K.Sugihara, N.Miura, Y.Abe, Y.Tokuda題名:Semiconductor device with sidewall spacers and elevated source/drain region発表情報:第US 6617654 B2号,2003年9月9日登録.キーワード:概要:抄録:英語フィールド
Author:T.Oishi, K.Sugihara, N.Miura, Y.Abe, Y.TokudaTitle:Semiconductor device with sidewall spacers and elevated source/drain regionAnnouncement information: