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A novel InGaAsP/InP bistable-bipolar transistor

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1990年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, and Y.Nomura
題名：
A novel InGaAsP/InP bistable-bipolar transistor
発表情報：
Int. Symp. GaAs and related compounds, Inst. Phys. Conf. Ser. No.112. Chapter 7 , September 24-27, 1990, Jersey, England, pp.503-508.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, and Y.Nomura
Title：
A novel InGaAsP/InP bistable-bipolar transistor
Announcement information:
Int. Symp. GaAs and related compounds, Inst. Phys. Conf. Ser. No.112. Chapter 7 , September 24-27, 1990, Jersey, England, pp.503-508.

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