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Giga-bit scale DRAM cell with new simple Ru/(Ba,Sr)TiO3/Ru stacked capacitors using X-ray lithography

発表形態：: 一般講演（学術講演を含む）
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 1995年12月

DOI：
会議属性：: 国際会議（国内開催を含む）
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

Y.Nishioka, K.Shiozawa, T.Oishi, K.Kanamoto, Y.Tokuda, H.Sumitani, S.Aya, H.Yabe, K.Itoga, T.Hifumi, K.Marumoto, T.Kuroiwa, T.Kawahara, K.Nishikawa, T.Oomori, T.Fujino, S.Yamamoto, S.Uzawa, M.Kimata, M.Nunoshita and H.Abe

題名：

Giga-bit scale DRAM cell with new simple Ru/(Ba,Sr)TiO3/Ru stacked capacitors using X-ray lithography

発表情報：

Technical Digest of 1995 International Electron Devices Meeting (IEDM1995), December 10-13, 1995, Washington DC, pp.903-906.

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

Title：

Giga-bit scale DRAM cell with new simple Ru/(Ba,Sr)TiO3/Ru stacked capacitors using X-ray lithography

Announcement information:

Technical Digest of 1995 International Electron Devices Meeting (IEDM1995), December 10-13, 1995, Washington DC, pp.903-906.