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Noticeable enhancement of edge effect in short channel characteristics of trench-isolated MOSFETs

発表形態：: 一般講演（学術講演を含む）
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 1998年09月

DOI：
会議属性：: 国際会議（国内開催を含む）
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe, and Y.Tokuda

題名：

Noticeable enhancement of edge effect in short channel characteristics of trench-isolated MOSFETs

発表情報：

Extended Abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1998), September 7-10, 1998, Hiroshima, Japan, pp.86-87.

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe, and Y.Tokuda

Title：

Noticeable enhancement of edge effect in short channel characteristics of trench-isolated MOSFETs

Announcement information:

Extended Abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1998), September 7-10, 1998, Hiroshima, Japan, pp.86-87.