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Effect of <100> channel direction for high performance SCE immune pMOSFET with less than 0.15 μm gate length

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1999年12月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
H.Sayama, Y.Nishida, H.Oda, T.Oishi, S.Shimizu, T.Kunikiyo, K.Sonoda, Y.Inoue, M.Iuishi
題名：
Effect of <100> channel direction for high performance SCE immune pMOSFET with less than 0.15 μm gate length
発表情報：
Technical Digest of 1999 International Electron Devices Meeting (IEDM1999), December 5-8, 1999, Washington DC, pp.657-660.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
H.Sayama, Y.Nishida, H.Oda, T.Oishi, S.Shimizu, T.Kunikiyo, K.Sonoda, Y.Inoue, M.Iuishi
Title：
Effect of <100> channel direction for high performance SCE immune pMOSFET with less than 0.15 μm gate length
Announcement information:
Technical Digest of 1999 International Electron Devices Meeting (IEDM1999), December 5-8, 1999, Washington DC, pp.657-660.

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