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Low resistance Co-salicided 0.1 μm CMOS technology using selective Si growth

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
1999年06月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
H.Sayama, S.Shimizu, Y.Nishida, T.Kuroi, Y.Kanda, M.Fujisawa, Y.Inoue, T.Nishimura, T.Oishi, T.Nakahara, T.Furukawa, D.Yamakawa, Y.Abe, S.Maruno, Y.Tokuda, S.Satoh
題名:
Low resistance Co-salicided 0.1 μm CMOS technology using selective Si growth
発表情報:
Digest of Technical Papers of Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp. 1999), June 14-16, 1999, Kyoto, pp.55-56.
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
H.Sayama, S.Shimizu, Y.Nishida, T.Kuroi, Y.Kanda, M.Fujisawa, Y.Inoue, T.Nishimura, T.Oishi, T.Nakahara, T.Furukawa, D.Yamakawa, Y.Abe, S.Maruno, Y.Tokuda, S.Satoh
Title:
Low resistance Co-salicided 0.1 μm CMOS technology using selective Si growth
Announcement information:
Digest of Technical Papers of Symposium on VLSI Technology (VLSI Symp. 1999), June 14-16, 1999, Kyoto, pp.55-56.


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