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Self-Aligned Pocket Implantation into Elevated Source,/Drain MOSFETs for Reduction of Junction Capacitance and Leakage Current

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2000年08月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
N.Miura, Y.Abe, K.Sugihara, T.Oishi, T.Furukawa, T.Nakahara, K.Shiozawa, S.Maruno, and Y.Tokuda
題名：
Self-Aligned Pocket Implantation into Elevated Source,/Drain MOSFETs for Reduction of Junction Capacitance and Leakage Current
発表情報：
Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2000), August 29-31, 2000, Sendai, Japan, pp.52-53.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
N.Miura, Y.Abe, K.Sugihara, T.Oishi, T.Furukawa, T.Nakahara, K.Shiozawa, S.Maruno, and Y.Tokuda
Title：
Self-Aligned Pocket Implantation into Elevated Source,/Drain MOSFETs for Reduction of Junction Capacitance and Leakage Current
Announcement information:
Extended Abstracts of the 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2000), August 29-31, 2000, Sendai, Japan, pp.52-53.

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