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Improvement of Schottky characteristics by insertion of refractory metal into Ni/Au electrode on n-(Al)GaN with thermal annealing

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2003年06月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
N.Miura, T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, T.Egawa, T.Jinbo
題名：
Improvement of Schottky characteristics by insertion of refractory metal into Ni/Au electrode on n-(Al)GaN with thermal annealing
発表情報：
Electronic Materials Conference (EMC2003), June 25-27, 2003, Utah, T7.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
N.Miura, T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, T.Egawa, T.Jinbo
Title：
Improvement of Schottky characteristics by insertion of refractory metal into Ni/Au electrode on n-(Al)GaN with thermal annealing
Announcement information:
Electronic Materials Conference (EMC2003), June 25-27, 2003, Utah, T7.

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