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Improvement of DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs by thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate

発表形態：: 一般講演（学術講演を含む）
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2003年09月

DOI：
会議属性：: 国際会議（国内開催を含む）
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

T.Nanjo, N.Miura, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Ishikawa, Y.Matsuda, H.Ishikawa, and T.Egawa

題名：

Improvement of DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs by thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate

発表情報：

Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2003), September 16-18, 2003, Tokyo, Japan, pp.136-137.

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

T.Nanjo, N.Miura, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Ishikawa, Y.Matsuda, H.Ishikawa, and T.Egawa

Title：

Improvement of DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HEMTs by thermally annealed Ni/Pt/Au Schottky gate

Announcement information:

Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2003), September 16-18, 2003, Tokyo, Japan, pp.136-137.