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A High Reliability GaN HEMT with SiN Passivation by Cat-CVD

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2004年10月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Kunii, M.Totsuka, Y.Kamo, Y.Yamanoto, H.Takeuchi, Y.Shimada, T.Shiga, H.Minami, T.Kitano, S.Miyakuni, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Oku, T.Nanjo, T.Oishi, T.Ishikawa, and Y.Matsuda
題名：
A High Reliability GaN HEMT with SiN Passivation by Cat-CVD
発表情報：
Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS 2004), Oct. 24-27, Monterey California, pp.197-200.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Kunii, M.Totsuka, Y.Kamo, Y.Yamanoto, H.Takeuchi, Y.Shimada, T.Shiga, H.Minami, T.Kitano, S.Miyakuni, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Oku, T.Nanjo, T.Oishi, T.Ishikawa, and Y.Matsuda
Title：
A High Reliability GaN HEMT with SiN Passivation by Cat-CVD
Announcement information:
Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS 2004), Oct. 24-27, Monterey California, pp.197-200.

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