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A C-Band AlGaN/GaN HEMT with Cat-CVD SiN Passivation Developed for an Over 100 W Operation

発表形態：: 一般講演（学術講演を含む）
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2005年06月

DOI：
会議属性：: 国際会議（国内開催を含む）
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

Y. Kamo, T. Kunii, H. Takeuchi, Y. Yamamoto, M. Totsuka, T. Shiga, H. Minami, T. Kitano, S. Miyakuni, T. Oku, A. Inoue, T. Nanjo, H. Chiba, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, Y. Tsuyama, R. Shirahana, H. Ohtsuka, K. Iyomasa, K. Yamanaka, M. Hieda, M. Nakayama, T. Ishikawa, T. Takagi, K. Marumoto and Y. Matsuda

題名：

A C-Band AlGaN/GaN HEMT with Cat-CVD SiN Passivation Developed for an Over 100 W Operation

発表情報：

IEEE MTT-S 2005 International Microwave Symposium (IMS2005), June 12-17, 2005, Long Beach California, WE1E-4.

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

Title：

A C-Band AlGaN/GaN HEMT with Cat-CVD SiN Passivation Developed for an Over 100 W Operation

Announcement information:

IEEE MTT-S 2005 International Microwave Symposium (IMS2005), June 12-17, 2005, Long Beach California, WE1E-4.