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Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2012年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y.Yamaguchi, K.Hayashi, T.Oishi, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama, and Y.Miyamoto
題名：
Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation
発表情報：
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), September 25-27, 2012, Kyoto, Japan, pp.214-215.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y.Yamaguchi, K.Hayashi, T.Oishi, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama, and Y.Miyamoto
Title：
Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation
Announcement information:
Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), September 25-27, 2012, Kyoto, Japan, pp.214-215.

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