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Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2012年10月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y.Yamaguchi, K.Hayashi, T.Oishi, H.Otsuka, T.Nanjo, K.Yamanaka, M.Nakayama, and Y.Miyamoto
題名：
Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs
発表情報：
IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS2012), October 14-17, California, session L.2.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y.Yamaguchi, K.Hayashi, T.Oishi, H.Otsuka, T.Nanjo, K.Yamanaka, M.Nakayama, and Y.Miyamoto
Title：
Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs
Announcement information:
IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS2012), October 14-17, California, session L.2.

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