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Design of enhancement mode single-gate and double-gate multi-channel GaN HEMT with vertical polarity inversion heterostructure

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2013年05月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
P.Feng, K.H.Teo, T.Oishi, K.Yamanaka, and R.Ma
題名：
Design of enhancement mode single-gate and double-gate multi-channel GaN HEMT with vertical polarity inversion heterostructure
発表情報：
The 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2013), May 26-30, Kanazawa, Japan, WB-P10.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
P.Feng, K.H.Teo, T.Oishi, K.Yamanaka, and R.Ma
Title：
Design of enhancement mode single-gate and double-gate multi-channel GaN HEMT with vertical polarity inversion heterostructure
Announcement information:
The 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2013), May 26-30, Kanazawa, Japan, WB-P10.

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