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Simulation study of gate leakage current under three-terminal operation for AlGaN/GaN HEMTs

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2013年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Oishi, K.Hayashi, H.Sasaki, Y.Yamaguchi, K.H.Teo, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama and Y.Miyamoto
題名：
Simulation study of gate leakage current under three-terminal operation for AlGaN/GaN HEMTs
発表情報：
10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013), Sept 2-5, 2013, Hakodate, Japan, 4-3.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Oishi, K.Hayashi, H.Sasaki, Y.Yamaguchi, K.H.Teo, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama and Y.Miyamoto
Title：
Simulation study of gate leakage current under three-terminal operation for AlGaN/GaN HEMTs
Announcement information:
10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013), Sept 2-5, 2013, Hakodate, Japan, 4-3.

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