日本語フィールド
著者:T.Ohishi, K.Ohtsuka, T.Matsui and H.Ogata題名:GaInAsP/InP heterojunction bipolar transistors with a double layer base発表情報:Electron. Lett. 25 (1989) pp.41-42.キーワード:概要:抄録:英語フィールド
Author:T.Ohishi, K.Ohtsuka, T.Matsui and H.OgataTitle:GaInAsP/InP heterojunction bipolar transistors with a double layer baseAnnouncement information:Electron. Lett. 25 (1989) pp.41-42.