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Ultra-high current gain InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1990年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, K.Ohtsuka and T.Matsui
題名：
Ultra-high current gain InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor
発表情報：
Electron. Lett. 26 (1990) pp.392-393.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Ohishi, Y.Abe, H.Sugimoto, K.Ohtsuka and T.Matsui
Title：
Ultra-high current gain InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor
Announcement information:
Electron. Lett. 26 (1990) pp.392-393.

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