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Narrow-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) isolated by an ultra-fine trench

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1997年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda
題名：
Narrow-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) isolated by an ultra-fine trench
発表情報：
Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) pp.L547-L549.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda
Title：
Narrow-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) isolated by an ultra-fine trench
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) pp.L547-L549.

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