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Anomalous gate length dependence of threshold voltage of trench-isolated metal oxide semiconductor field effect transistors

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1998年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda
題名：
Anomalous gate length dependence of threshold voltage of trench-isolated metal oxide semiconductor field effect transistors
発表情報：
Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) pp.L852-L854.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda
Title：
Anomalous gate length dependence of threshold voltage of trench-isolated metal oxide semiconductor field effect transistors
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) pp.L852-L854.

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