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Gate overlap length reduction and shallow junction formation in high-performance fine MOSFETs by ion implantation through thin oxide film

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1998年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Oishi, A.Furukawa, K.Shiozawa, Y.Abe and Y.Tokuda
題名：
Gate overlap length reduction and shallow junction formation in high-performance fine MOSFETs by ion implantation through thin oxide film
発表情報：
Electron. Lett. 34 (1998) pp.2436-2438.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Oishi, A.Furukawa, K.Shiozawa, Y.Abe and Y.Tokuda
Title：
Gate overlap length reduction and shallow junction formation in high-performance fine MOSFETs by ion implantation through thin oxide film
Announcement information:
Electron. Lett. 34 (1998) pp.2436-2438.

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