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Advantage of shallow trench isolation over local oxidation of silicon on alignment tolerance

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1999年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K.Shiozawa, T.Oishi, K.Sugihara, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda
題名：
Advantage of shallow trench isolation over local oxidation of silicon on alignment tolerance
発表情報：
Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) pp.L234-L235.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K.Shiozawa, T.Oishi, K.Sugihara, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda
Title：
Advantage of shallow trench isolation over local oxidation of silicon on alignment tolerance
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) pp.L234-L235.

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