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Simulation Study on Comparison Between Metal Gate and Polysilicon Gate for Sub-Quarter-Micron MOSFET’s

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1999年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y.Abe, T.Oishi, K.Shiozawa, Y.Tokuda and S.Satoh
題名：
Simulation Study on Comparison Between Metal Gate and Polysilicon Gate for Sub-Quarter-Micron MOSFET’s
発表情報：
IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) pp.632-634.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y.Abe, T.Oishi, K.Shiozawa, Y.Tokuda and S.Satoh
Title：
Simulation Study on Comparison Between Metal Gate and Polysilicon Gate for Sub-Quarter-Micron MOSFET’s
Announcement information:
IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) pp.632-634.

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