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Isolation Edge Effect Depending on Gate Length of MOSFET's with Various Isolation Structures

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2000年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda
題名：
Isolation Edge Effect Depending on Gate Length of MOSFET's with Various Isolation Structures
発表情報：
IEEE Trans. on Electron Devices 47 (2000) pp.822-827.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Oishi, K.Shiozawa, A.Furukawa, Y.Abe and Y.Tokuda
Title：
Isolation Edge Effect Depending on Gate Length of MOSFET's with Various Isolation Structures
Announcement information:
IEEE Trans. on Electron Devices 47 (2000) pp.822-827.

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