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Expansion of effective channel width for MOSFETs defined by novel T-shaped shallow trench isolation fabricated with SiON spacers and liners

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2000年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K.Shiozawa, T.Oishi, Y.Abe, Y.Tokuda
題名：
Expansion of effective channel width for MOSFETs defined by novel T-shaped shallow trench isolation fabricated with SiON spacers and liners
発表情報：
Electron. Lett. 36 (2000) pp.910-912.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K.Shiozawa, T.Oishi, Y.Abe, Y.Tokuda
Title：
Expansion of effective channel width for MOSFETs defined by novel T-shaped shallow trench isolation fabricated with SiON spacers and liners
Announcement information:
Electron. Lett. 36 (2000) pp.910-912.

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