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Remarkable effects of introduction of SiON materials into shallow trench isolation fabrication process on metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

発表形態：: 原著論文
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2001年

DOI：
会議属性：: 指定なし
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

K.Shiozawa, T.Oishi, Y.Abe and Y.Tokuda

題名：

Remarkable effects of introduction of SiON materials into shallow trench isolation fabrication process on metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

発表情報：

Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) pp.462-466.

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

K.Shiozawa, T.Oishi, Y.Abe and Y.Tokuda

Title：

Remarkable effects of introduction of SiON materials into shallow trench isolation fabrication process on metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Announcement information:

Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) pp.462-466.