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Effects of interfacial thin metal layer for high-performance Pt-Au-based Schottky contacts to AlGaN-GaN

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2004年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
N.Miura, T.Oishi, T.Nanjo, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, and T.Egawa
題名：
Effects of interfacial thin metal layer for high-performance Pt-Au-based Schottky contacts to AlGaN-GaN
発表情報：
IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) pp.297-303.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
N.Miura, T.Oishi, T.Nanjo, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, and T.Egawa
Title：
Effects of interfacial thin metal layer for high-performance Pt-Au-based Schottky contacts to AlGaN-GaN
Announcement information:
IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) pp.297-303.

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