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Improvement of DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors by Thermally Annealed Ni/Pt/Au Schottky Gate

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2004年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Nanjo, N.Miura, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Ishikawa, Y.Matsuda, H.Ishikawa and T.Egawa
題名：
Improvement of DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors by Thermally Annealed Ni/Pt/Au Schottky Gate
発表情報：
Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) pp.1925-1929.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Nanjo, N.Miura, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe, T.Ozeki, S.Nakatsuka, A.Inoue, T.Ishikawa, Y.Matsuda, H.Ishikawa and T.Egawa
Title：
Improvement of DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors by Thermally Annealed Ni/Pt/Au Schottky Gate
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) pp.1925-1929.

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